一种电子设备防盗保护膜的制作方法

本实用新型涉及电子设备保护膜技术领域，尤其涉及一种电子设备防盗保护膜。

背景技术：

随着现在电子设备、移动终端的使用越来越多，现有技术中电子设备经常会存在被盗走的风险，没有对设备进行很好的防盗技术处理，设备被盗走后无法第一时间报警，现在技术的保护膜也缺少一种防盗功能，只是一种简单的保护膜，无法在手机被盗及时起保护报警的作用。

因此，本领域的技术人员一直致力于研发一种适合批量生产、环保、结构简单、耗能小、当电子设备被盗时可及时报警提醒用户的电子设备防盗保护膜。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是提供一种电子设备防盗保护膜，该电子设备防盗保护膜适合批量生产、环保、结构简单、耗能小、当电子设备被盗时可及时报警提醒用户、防止电子设备被盗。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种电子设备防盗保护膜，包括设置于电子设备表面的保护膜主体、容置于所述保护膜主体中的主控制模块、与所述主控制模块连接的防盗感应电子膜控制电路、与所述防盗感应电子膜控制电路连接的感应电子膜、与所述主控制模块连接的短信报警控制电路，所述短信报警控制电路包括SIM主控制模块、SIM发送模块、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4及第五电阻R5，所述SIM主控制模块的VDD端与所述SIM发送模块的VCC端、第二电阻R2、第二电容C2连接，所述SIM主控制模块的I\O端与第一电阻R1连接，所述SIM主控制模块的CLX端与第五电阻R5连接，所述SIM主控制模块的RST端与第四电阻R4连接，所述第一电阻R1的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接，所述第五电阻R5的另一端与所述SIM发送模块的CLX端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述SIM发送模块的RESET端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接。

优选地，所述防盗感应电子膜控制电路包括第三电阻R3、第六电阻R6、MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的发射端与所述第六电阻R6连接，所述MOSFET晶体管的集电极端与电源VIN连接，所述MOSFET晶体管的接收端与第三电阻R3连接，所述第三电阻R3的另一端接地。

优选地，所述主控制模块为AT89S52。

优选地，所述SIM主控制模块为SIM300。

采用上述结构之后，电子设备防盗保护膜，包括设置于电子设备表面的保护膜主体、容置于所述保护膜主体中的主控制模块、与所述主控制模块连接的防盗感应电子膜控制电路、与所述防盗感应电子膜控制电路连接的感应电子膜、与所述主控制模块连接的短信报警控制电路，所述短信报警控制电路包括SIM主控制模块、SIM发送模块、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4及第五电阻R5，所述SIM主控制模块的VDD端与所述SIM发送模块的VCC端、第二电阻R2、第二电容C2连接，所述SIM主控制模块的I\O端与第一电阻R1连接，所述SIM主控制模块的CLX端与第五电阻R5连接，所述SIM主控制模块的RST端与第四电阻R4连接，所述第一电阻R1的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接，所述第五电阻R5的另一端与所述SIM发送模块的CLX端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述SIM发送模块的RESET端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接，该电子设备防盗保护膜适合批量生产、环保、结构简单、耗能小、当电子设备被盗时可及时报警提醒用户、防止电子设备被盗。

附图说明

图1为本实用新型一种电子设备防盗保护膜的防盗感应电子膜控制电路的整体结构图；

图2为本实用新型一种电子设备防盗保护膜的短信报警控制电路的整体结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1，图1为本实用新型一种电子设备防盗保护膜的防盗感应电子膜控制电路的整体结构图；图2为本实用新型一种电子设备防盗保护膜的短信报警控制电路的整体结构图

实施例一

在本实施例中，一种电子设备防盗保护膜，包括设置于电子设备表面的保护膜主体、容置于所述保护膜主体中的主控制模块、与所述主控制模块连接的防盗感应电子膜控制电路、与所述防盗感应电子膜控制电路连接的感应电子膜、与所述主控制模块连接的短信报警控制电路，所述短信报警控制电路包括SIM主控制模块、SIM发送模块、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4及第五电阻R5，所述SIM主控制模块的VDD端与所述SIM发送模块的VCC端、第二电阻R2、第二电容C2连接，所述SIM主控制模块的I\O端与第一电阻R1连接，所述SIM主控制模块的CLX端与第五电阻R5连接，所述SIM主控制模块的RST端与第四电阻R4连接，所述第一电阻R1的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接，所述第五电阻R5的另一端与所述SIM发送模块的CLX端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述SIM发送模块的RESET端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接。

在本实施例中，感应电子膜为一种感应传感器，如果感应电子膜被割开或者被损坏或者被不正常侵入，感应传感器马上就会发出报警信号给主控制模块，开启防盗系统。

在本实施例中，所述防盗感应电子膜控制电路包括第三电阻R3、第六电阻R6、MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的发射端与所述第六电阻R6连接，所述MOSFET晶体管的集电极端与电源VIN连接，所述MOSFET晶体管的接收端与第三电阻R3连接，所述第三电阻R3的另一端接地。

在本实施例中，优先的所述主控制模块为AT89S5，在其他实施例中，所述主控制模块也可以为其他类型的控制模块。

在本实施例中，优先的所述SIM主控制模块为SIM300，在其他实施例中，所述SIM主控制模块也可以为其他类型的控制模块

采用上述结构之后，电子设备防盗保护膜，包括设置于电子设备表面的保护膜主体、容置于所述保护膜主体中的主控制模块、与所述主控制模块连接的防盗感应电子膜控制电路、与所述防盗感应电子膜控制电路连接的感应电子膜、与所述主控制模块连接的短信报警控制电路，所述短信报警控制电路包括SIM主控制模块、SIM发送模块、第一电阻R1、第二电阻R2、第四电阻R4及第五电阻R5，所述SIM主控制模块的VDD端与所述SIM发送模块的VCC端、第二电阻R2、第二电容C2连接，所述SIM主控制模块的I\O端与第一电阻R1连接，所述SIM主控制模块的CLX端与第五电阻R5连接，所述SIM主控制模块的RST端与第四电阻R4连接，所述第一电阻R1的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接，所述第五电阻R5的另一端与所述SIM发送模块的CLX端连接，所述第四电阻R4的另一端与所述SIM发送模块的RESET端连接，所述第二电阻R2的另一端与所述SIM发送模块的I\O端连接，该电子设备防盗保护膜适合批量生产、环保、结构简单、耗能小、当电子设备被盗时可及时报警提醒用户、防止电子设备被盗。

应当理解的是，以上仅为本实用新型的优选实施例，不能因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。