1.一种半导体存储器件，其包括：
控制信号生成器，其适于生成对应于温度信息的控制信号；
刷新控制器，其适于响应于刷新命令信号在预定时刻启用针对智能刷新操作的刷新信号，并且响应于所述刷新命令信号在对应于所述控制信号的时刻启用针对标准刷新操作的刷新信号；以及
数据存储器，其适于存储数据以及响应于所述刷新控制器的所述刷新信号而执行所述智能刷新操作和所述标准刷新操作，
其中，所述刷新控制器基于所述控制信号来控制启用所述针对标准刷新操作的刷新信号的次数，并且基于启用针对所述标准刷新操作的刷新信号的次数来确定所述预定时刻。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中执行所述标准刷新操作的次数基于所述温度信息被控制。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述刷新控制器包括：
计数块，其适于通过计数所述刷新命令信号而生成计数信号；
标准刷新控制块，其适于通过将所述计数信号和所述控制信号反应到所述刷新命令信号中而生成源刷新信号；
智能计数块，其适于通过基于所述控制信号控制最大计数值而生成智能刷新启用信号并且以所述最大计数值计数所述源刷新信号值；以及
刷新输出块，其适于响应于所述源刷新信号和所述智能刷新启用信号输出对应于所述智能刷新操作和所述标准刷新操作的所述刷新信号。
4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述标准刷新控制块包括：
解码部，其适于解码所述计数信号；和
选择和传送部，其适于响应于所述控制信号和所述解码部的输出信号将所述刷新命令信号选择性地输出为所述源刷新信号。
5.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述智能计数块包括：
移位部，其适于响应于所述源刷新信号在所述智能刷新启用信号上执行移位操作；和
路径控制部，其适于响应于所述控制信号而控制所述移位部的信号传送路径。
6.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述标准刷新控制块控制所述源刷新信号响应于所述控制信号被启用的次数。
7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中所述路径控制部控制响应于所述控制信号执行的所述移位操作的次数。
8.一种半导体存储系统，其包括：
控制器，其适于在刷新操作部分期间通过生成顺序的刷新命令信号而控制刷新操作并且响应于温度信息用其它命令信号替换在顺序的所述刷新命令信号中的至少一个所述刷新命令信号；和
半导体存储器件，其适于响应于所述刷新命令信号执行所述刷新操作并且执行对应于所述其它命令信号的操作，
其中所述其它命令信号不同于所述刷新命令信号。
9.根据权利要求8所述的半导体存储系统，其中所述半导体存储器件包括：
控制信号生成器，其适于生成对应于所述温度信息的控制信号；
刷新控制器，其适于响应于所述刷新命令信号在预定时刻启用针对智能刷新操作的刷新信号，并且响应于所述刷新命令信号在对应于所述控制信号的时刻启用针对标准刷新操作的所述刷新信号；以及
数据存储器，其适于存储数据并且响应于所述刷新控制器的所述刷新信号而执行所述智能刷新操作和所述标准刷新操作。
10.根据权利要求9所述的半导体存储系统，其中所述刷新控制器包括：
智能计数块，其适于通过基于所述控制信号控制最大计数值而生成智能刷新启用信号并且将所述刷新命令信号计数为所述最大计数值；和
刷新输出块，其适于响应于源刷新信号和所述智能刷新启用信号而输出对应于所述智能刷新操作和所述标准刷新操作的所述刷新信号。
11.根据权利要求8所述的半导体存储系统，其还包括：
电路，其适于响应于所述其它命令信号而执行相对应的操作。
12.根据权利要求8所述的半导体存储系统，其中基于所述温度信息来控制执行所述刷新操作的次数。
13.根据权利要求9所述的半导体存储系统，其中所述刷新命令信号是对应于所述标准刷新操作的信号。
14.一种用于操作半导体存储系统的方法，所述方法包括：
基于温度信息设置要执行的刷新操作的次数；
将在刷新操作部分期间的刷新操作的预定最大次数与所述要执行的刷新操作的次数进行比较；
基于比较结果用其它操作替换所述刷新操作；以及
执行所述刷新操作和所述其它操作，
其中所述其它操作不同于所述刷新操作。
15.根据权利要求14所述的方法，其中基于所述比较结果用其它操作替换所述刷新操作包括：
通过确定是否执行所述刷新操作来执行所述刷新操作和所述其它操作；以及
确定所述刷新操作部分是否结束。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述刷新操作包括在预定时刻执行的智能刷新操作。