1.一种半导体装置，包括：
可变电阻器；
可变电阻器选择单元，被配置为响应于电阻器选择信号来将可变电阻器电耦接到感测放大器；
电源单元，被配置为响应于读取信号来施加第一电压到可变电阻器选择单元；以及
开关驱动单元，被配置为响应于电阻器选择控制信号来产生电阻器选择信号，以及在第一电压被施加到可变电阻器选择单元时提高电阻器选择信号的电压。
2.如权利要求1所述的半导体装置，
其中，可变电阻器选择单元包括开关晶体管，以及
其中，开关晶体管具有接收电阻器选择信号的栅极、电耦接到电源单元的漏极以及电耦接到可变电阻器的源极。
3.如权利要求1所述的半导体装置，
其中，可变电阻器选择单元包括开关晶体管，以及
其中，开关晶体管包括N沟道晶体管。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，开关驱动单元在电阻器选择控制信号被使能时产生具有第二电压的电阻器选择信号，而在第一电压被施加到可变电阻器选择单元时产生具有第三电压的电阻器选择信号。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，第三电压对应于第一电压与第二电压的和。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，开关驱动单元包括：
反相器，被配置为反相电阻器选择控制信号；
第一晶体管，被配置为接收反相器的输出，以及用来将输出节点驱动到第一电压；以及
第二晶体管，被配置为响应于电阻器选择控制信号来将输出节点驱动到接地电压，
其中，电阻器选择信号在输出节点处产生。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，第一晶体管和第二晶体管为N沟道晶体管。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，电阻器选择控制信号在读取信号之前被使能。
9.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
预充电单元，被配置为响应于读取信号来预充电公共节点，
其中，可变电阻器选择单元、电源单元和感测放大器耦接在公共节点处。
10.一种半导体装置，包括：
列选择单元，被配置为响应于位线选择信号来通过位线将电源单元电耦接到存储单元，其中，电源单元被配置为响应于读取信号来施加第一电压到列选择单元；以及
开关驱动单元，被配置为响应于列选择信号来产生位线选择信号，以及用来在第一电压被施加到列选择单元时提高位线选择信号的电压。