多读取器的导线弯曲结构的制作方法

本发明涉及改进一多读取器的一导线弯曲结构的电气特性，该多读取器安装在例如一硬盘驱动器上。

背景技术：

随着硬盘驱动器容量的增加而它们的尺寸不断缩小，需要对一磁盘的记录密度进行进一步改进。为了实现上述需求，需要对除磁盘的线性密度以外的磁道密度进行改进。但是，缩小磁道宽度会导致磁盘中记录数据以及磁头的再生装置的偏移问题。

对于此问题，如公开号为JPH06-215322 A的专利文献(专利文献1)公开的内容，提出了一种方法，用于同时再生记录数据和一偏移信号并通过在一磁头内提供两个再生装置(一多读取器)进行校正。进一步地，随着上述方法的发展形势，如公开号为JP 2011-134372 A的专利文献(专利文献2)公开的内容，提出了一种方法，用于通过多个再生装置再生二维磁记录(TDMR)。一弯曲结构，用于安装一磁头，该磁头包括设置于该磁头上的多个再生装置，该弯曲结构在下文中称作针对一多读取器的一导线弯曲结构。在该针对一多读取器的导线弯曲结构中，分别提供了与再生装置相对的读取磁道对。

优选地，应该降低每对读取磁道的阻抗，以使得读取磁道对的阻抗与再生装置等部件的阻抗相匹配，且还为了降低能耗。在包括一对读取磁道的一般的导线弯曲结构中，一窗口部分通过在一区域的一金属基体上刻蚀形成，该区域中设置有一对读取磁道(读取磁道对)，从而调节阻抗值。在针对一多读取器的一导线弯曲结构中还包括多个读取磁道对，为每个读取磁道对形成一窗口部分。

但是，由于可以由柔性制造中的常规化学刻蚀形成的金属基体的最小宽度受到限制，如果一互联部分由于弯曲的微型化继续变得越来越密集，则在每个读取磁道对中形成一独立的窗口部分会变得困难。因此，为了缩小针对一多读取器的导线弯曲结构的尺寸，可以通过形成对应于多对读取磁道的一共用窗口部分来实现。

但是，如果形成了这样一窗口部分，形成一对读取磁道的正(正相位信号)读取磁道和负(负相位信号)读取磁道之间的位置关系和窗口部分(地面的外部形势)变得不平衡。如果正相和负相之间的读取磁道的电容值变得不平衡，则读取磁道通过成对传输一差动信号消除噪声的能力降低。在这种情况下，读取磁道对可能受到来自一写入磁道对的串扰(噪声)的影响。

时至今日，对于一单一读取器的一般的导线弯曲结构，提出了针对抑制传输一差动信号的一对读取磁道中的串扰的各种技术。同时，用于抑制针对一多读取器的一导线弯曲结构中成对的读取磁道串扰的技术鲜为人知。举个例子，即使如公开号JP 2006-48800 A(专利文献3)或公开号JP 2006-331485 A(专利文献4)公开的用于针对一单一读取器的一导线弯曲结构的一串扰抑制技术被应用于一多读取器的一导线弯曲结构，所应用的技术不将带来任何优势或相反地将引起不良反应。

技术实现要素：

本发明提供了一种弯曲结构，尤其涉及一种用于一多读取器的一导线弯曲结构，用于安装一磁头，所述磁头上包括多个再生装置，所述再生装置能够同时满足节省空间和良好电气特性的要求。

根据一实施例的一种弯曲结构，用于在上面安装一记录装置和多个再生装置，且包括一金属基体和形成于所述金属基体上的一互联部分。金属基体包括向所述金属基体的纵向延伸的一第一区域，以及沿着内部形成有一窗口部分的所述第一区域延伸的一第二区域。所述互联部分包括：一绝缘层，所述绝缘层包括覆盖所述第一区域的一第一通道，以及覆盖所述窗口部分和所述第二区域的一第二通道；一写入磁道对，由形成一对并传输一差动信号的一第一写入磁道和一第二写入磁道构成；读取磁道对组，每个所述读取磁道对由形成一对并传输一差动信号的一第一读取磁道和一第二读取磁道构成；以及一接地(GND)磁道，包括一第一端部和一第二端部，且在所述第一端部和所述第二端部位置设置有接地点。所述写入磁道对设置于所述第一通道上并与所述记录装置连接。所述读取磁道对组设置于所述第二通道上以在所述金属基体的厚度方向上面对所述窗口部分，并分别与所述再生装置连接。所述接地磁道设置于两个邻近的读取磁道对之间。

在这个实施例中，可以设置所述第一读取磁道和所述第二读取磁道使得所述第一读取磁道和所述接地磁道之间的距离与所述第二读取磁道和所述窗口部分的一边的距离大致相等。而且，当所述读取磁道对包括最接近于一第二读取磁道对的一第一读取磁道对，且包括靠近所述第一读取磁道对旁边的所述写入磁道对的一第二读取磁道对时，所述接地磁道可以设置在所述第一读取磁道对和所述第二读取磁道对之间。可选的，所述接地磁道设置于所有邻近的读取磁道对之间。进一步地，所述接地磁道可以包括一额外的接地点，所述接地点进一步设置于所述接地磁道的第一端部和第二端部之间。所述接地磁道、所述第一读取磁道和所述第二读取磁道三者的宽度可以大致相等。所述互联部分可以包括设置于除了所述第二通道上 方的其他部分的一额外导线。所述接地磁道可以包括一延伸部分，所述延伸部分从所述第一端部和/或所述第二端部延伸出来。

本发明额外的目的和优势将在下面的说明书中进行陈述，且其中的一部分在说明书中是明显的，或者可以通过本发明的实践得到。本发明的目的和优势可以通过尤其是下文指出的手段和组合的方法实现和取得。

附图说明

此处结合的附图构成了说明书的一部分，解释了本发明的实施例，且连同上面给出的整个描述和下面给出的实施例的详细描述，帮助解释本发明的原理。

图1显示的是一磁头万向组件的实例的一透视图。

图2根据一第一实施例示意性地描绘了一互联部分。

图3是沿图2的线F3-F3剖视的互联部分的一剖视图。

图4根据一第二实施例图示性地描绘了一互联部分。

图5是沿图4的线F5-F5剖开的互联部分的一剖视图。

图6根据一第三实施例图示性地描绘了一互联部分。

图7是沿图6的线F7-F7剖开的互联部分的一剖视图。

图8是一原理图，展示了每个实施例中的互联部分的一串扰解析模型。

图9是一特征图，显示了通过图8的解析模型计算出的根据第三实施例的影响第一读取磁道对和第二读取磁道对的串扰。

图10是一特征图，显示了通过图8的解析模型计算出的根据第四至第十实施例的影响第一读取磁道对和第二读取磁道对的串扰的。

图11根据一第十一实施例图示性地描绘了一互联部分。

图12是根据一第十三实施例的一互联部分的一剖视图。

图13根据一第十四实施例图示性地描绘了一互联部分。

具体实施方式

首先，参考图1描述各实施例中常见的一结构。图1显示了一磁头万向组件(HGA)，包括构成一磁头2的一滑动器8，形成的一载荷架6形如一板簧，针对一多读取器的导线弯曲结构10(在下文中仅称作一完全10)固定至载荷架6上，且滑动器8邻近于它的末端安装在其上，等。磁头2包括一记录装置3和多个(例如两个)再生装置4a和4b。

弯曲结构10包括通过刻蚀奥氏体不锈钢的一金属箔得到的一金属基体20，以及例如沿着金属基体20形成的一互联部分30。

金属基体20的厚度小于载荷架6的厚度。载荷架6的厚度是，例如，30至62μm，以及金属基体20的厚度是，例如，18μm(12至25μm)。金属基体20通过，例如，激光焊接形成的多个焊接条固定至载荷架6上。通过图1中的箭头X指示的方向是金属基体20(弯曲结构10)的纵向方向。

【第一实施例】

参考图2和图3，根据第一实施例描述弯曲结构10。图2根据当前实施例图示性地描绘了互联部分。弯曲结构10的金属基体20包括在纵向X方向延伸的一第一区域21，以及沿着第一区域21延伸的一第二区域22。

在第一区域21内，设置于纵向X线上的多个长孔(开口)23形成了一窗口部分24。在第二区域22内，设置于纵向X线上的多个长孔组(开口组)25形成了一窗口部分26。每个长孔23和25在厚度方向Y(即图3中箭头Y显示的方向)上穿过金属基体20。可选地，窗口部分26可以由通过互相连接构成窗口部分26的长孔组25所构建的一长孔(开口)形成。

图3是沿图2的线F3-F3剖视的互联部分的一剖视图。互联部分30包括一绝缘层31，由铜制成的形成于绝缘层31上的多个导线32，及一覆盖层33(图1)。请注意，出于解释的目的，图2至13中显示的弯曲结构10中省略了覆盖层33。每个绝缘层31和覆盖层33由比如聚酰亚胺的一电气绝缘材料形成。绝缘层31的厚度是，例如，10μm(3至18μm)。导线32的厚度是，例如，9μm(3至18μm)。覆盖层33的厚度是，例如，4μm(1至10μm)。

绝缘层31包括一第一通道35及一第二通道36。第一通道35覆盖金属基体20的窗口部分24，也覆盖第一区域21。第二通道36覆盖金属基体20的窗口部分26，也覆盖第二区域22。第一通道35和第二通道36可以相互隔开，或如实例中显示的没有间隔。

多个导线32包括设置于第一通道35上的一写入磁道对40、设置于第二通道36上的一第一读取磁道对51和一第二读取磁道对52、一接地磁道71等。第一读取磁道对51和第二读取磁道对52是本发明的读取磁道对的一个例子，可以简单称作读取磁道对51和读取磁道对52。另外，多个读取磁道对可以被统称作一读取磁道结构50。

如图2中显示的，写入磁道对40由一正写入磁道41和一负写入磁道42构成，形成了一对并传输一差动信号，写入磁道对40连接于记录装置3。正(正相位信号)写入磁道41传输一信号，该信号在高电平和低电平二进制值之间波动。负(负相位信号)写入磁道42传输一信号，该信号在相对于正写入磁道41的信号的反相位处的二进制值之间波动。正写入磁道 41是本发明成对的写入磁道中的一个写入磁道(也作为一第一写入磁道参考)的一个例子，并分叉成一第一交叉线411和一第二交叉线412。负写入磁道42是本发明成对的写入磁道中的另一个写入磁道的一个例子(也作为一第二写入磁道参考)，并分叉成一第一交叉线421和一第二交叉线422。

写入磁道对40(第一交叉线411，421及第二交叉线412，422及正写入磁道41及负写入磁道42)设置于第一通道35上使得它在厚度方向Y上面对金属基体20的第一区域21的窗口部分24。

第一写入磁道对51由一正写入磁道51a和一负写入磁道51b构成，组成了一对并用于传输一差动信号，并连接于再生装置4a。正(正相位信号)读取磁道51a传输一信号，该信号在高电平和低电平二进制值之间波动。负(负相位信号)读取磁道51b传输一信号，该信号在相对于正读取磁道51a的信号的反相位处的二进制值之间波动。

第二读取磁道对52由一正写入磁道52a和一负写入磁道52b构成，组成了一对并用于传输一差动信号，并连接于再生装置4b。正(正相位信号)读取磁道52a传输一信号，该信号在高电平和低电平二进制值之间波动。负(负相位信号)读取磁道52b传输一信号，该信号在相对于正读取磁道52a的信号的反相位处的二进制值之间波动。正读取磁道51a和52a中的每个都是本发明成对的读取磁道中的一读取磁道的一个例子(可以作为一第一读取磁道参考)。负读取磁道51b和52b中的每个都是本发明成对的读取磁道中的另一读取磁道的一个例子(可以作为一第二读取磁道参考)。进一步地，正写入磁道41、负写入磁道42、正读取磁道51a、正读取磁道52a、负读取磁道51b、负读取磁道52b中的每个可以作为一信号线参考。请注意，用于信号线的术语“正”和“负”不能限制信号的极性(即电位是否为正或负)。那就是说，在高电平和低电平二进制值之间波动的一信号可以处于正电位或负电位。

第一读取磁道对51和第二读取磁道对52(正读取磁道51a，52a和负读取磁道51b和52b)设置于第二通道36上，使得它们在厚度方向Y上面对金属基体20的第二区域22的窗口部分26。

接地磁道71设置于第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面对第二区域22的窗口部分26，且被设置于第一读取磁道对和第二读取磁道对之间。接地磁道71的最小宽度与正读取磁道51a、正读取磁道52a、负读取磁道51b、负读取磁道52b中的每一个的宽度相等，例如，12μm。接地磁道71、正读取磁道51a、正读取磁道52a、负读取磁道51b、负读取磁道52b都具有相同的宽度(例如，最小宽度)。接地磁道71包括一第一端部71a，以及处于第一端部71a相对侧的一第二端部71b。进一步地，在图1的例子中，第一端部71a设置于弯曲结 构10的一远端附近，且第二端部71b设置于弯曲结构10的一近端部分上。在本说明书中，第一端部和第二端部指的不仅是接地磁道71的尾端表面，还有接地磁道71的尾端表面附近的部分，该部分在纵向上具有一定长度。

在接地磁道71内，接地点分别设置于第一端部71a和第二端部72b(两端)之间。在接地点内，穿透绝缘层31形成一孔，并在该孔中填充镀镍或镀铜。接地磁道71电(地)连接至第一步端部71a和第二端部71b处的金属基体20。

而且，导线32(写入磁道对40、第一读取磁道51、第二读取磁道52和接地磁道71)包括一重叠部分37和一非重叠部分38。重叠部分37处不具有金属基体20的窗口部分24和26(长孔23和25)的一个部分在厚度方向Y上与导线32重叠。非重叠部分38处窗口部分24和26在厚度方向Y上与导线32重叠。

导线32的重叠部分37包括写入磁道对40的一重叠部分47，第一读取磁道对51的一重叠部分571，第二读取磁道对52的一重叠部分572，及接地磁道71的一重叠部分77。导线32的非重叠部分38包括写入磁道对40的一非重叠部分48，第一读取磁道对51的一非重叠部分581，第二读取磁道对52的一非重叠部分582，及接地磁道71的一非重叠部分78。接地磁道71的接地点设置在重叠部分77内。

在该实施例中，如图3所示，在第一读取磁道对51内，正读取磁道51a和接地磁道71之间的距离A1与负读取磁道51b和窗口部分26的一边缘之间的距离A2大致相等。在第二读取磁道对52内，正读取磁道52a和接地磁道71之间的距离A3与负读取磁道51b和窗口部分26的一边缘之间的距离A4大致相等。请注意，本说明书中的窗口部分26的边缘所指的，是沿着如图2所示的长孔25的一边缘部分的纵向X与长边25a和25b相对的边缘。

根据上面描述的结构，在一多读取器的导线弯曲结构10中，第一读取磁道51和第二读取磁道52的阻抗值可以通过窗口部分26来调节。此处，在构成第一读取磁道对51的正读取磁道51a和负读取磁道51b内，距离A1与距离A2相等，且在构成第二读取磁道对52的正读取磁道52a和负读取磁道52b内，距离A3与距离A4相等。因此，在一成对的正读取磁道51a和负读取磁道51b内，以及一成对的正读取磁道52a和负读取磁道52b内，所形成的电容不平衡。结果，写入磁道对40产生的影响第一读取磁道51和第二读取磁道52的串扰能够受到抑制。

进一步地，在本实施例中，省略了一框架部分29(图4)。本实施例可以同时满足节省空间和改善电气特性的要求。以下将与其他实施例对上述特征进行比较详细地描述。

接下来，参考图4至图13，将根据第二至十四实施例中的每个实施例描述一弯曲结构10。 请注意，每个实施例中，对于具有与第一实施例一相同功能的一结构，添加相同的参考数字。第一实施例的说明应是指根据对应于各自的参考数字的各装置的详细解释。

【第二实施例】

参考图4和图5，根据第二实施例描述一弯曲结构10。需要注意的是，第二实施例也可以视为是一第一参考例子。第二实施例与第一实施例的不同点在于，形成有两个独立窗口部分26a和26b而不是窗口部分26，也在于未设置有接地磁道71。其他结构与第一实施例的结构相同。

图4图示性地描绘了根据第二实施例的一互联部分30。在一第二区域22中，形成有两个窗口部分26a和26b。窗口部分26a由成行布设于纵向X上的多个长孔(开口)25a形成。窗口部分26b由成行布设于纵向X上的多个长孔(开口)25b形成。长孔25a和25b都在厚度方向Y(即图3中箭头Y指示的方向)上穿过金属基体20。窗口部分26a和26b之间的一区域形成为框架部分29，其中留下的金属基体20类似一条带。在金属基体厚度为18μm的情况下，可以由一般刻蚀形成的框架部分29的最小宽度为，例如，40μm。

一第一读取磁道对51(正读取磁道51a和负读取磁道51b)设置于一第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面对金属基体20的第二区域22的窗口部分26a。一第二读取磁道对52(正读取磁道52a和负读取磁道52b)设置于第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面对窗口部分26a。

第一读取磁道对51和第二读取磁道对52包括一重叠部分57和一非重叠部分58。重叠部分57处不具有金属基体20的窗口部分24和26(长孔25a和25b)的一个部分在厚度方向Y上与第一读取磁道对51和第二读取磁道对52重叠。非重叠部分58处的窗口部分26a和26b在厚度方向Y上与第一读取磁道对51和第二读取磁道对52重叠。

在第二实施例中，如图5所示，在第一读取磁道对51内，正读取磁道51a和26a(框架部分29)的一边缘之间的距离B1与负读取磁道51b和窗口部分26a的一边缘之间的距离B2大致相等。在第二读取磁道对52内，正读取磁道52a和26b(框架部分29)的一边缘之间的距离B3与负读取磁道52b和窗口部分26b的一边缘之间的距离B4大致相等。

根据第二实施例，在一多读取器的导线弯曲结构10中，第一读取磁道51和第二读取磁道52的阻抗值可以通过窗口部分26a和26b来调节。此处，在构成第一读取磁道对51的正读取磁道51a和负读取磁道51b内，与窗口部分26a边缘的距离B1与距离B2相等，且在构成第二读取磁道对52的正读取磁道52a和负读取磁道52b内，与窗口部分26b边缘的距离B3与距离B4相等。因此，在一成对的正读取磁道51a和负读取磁道51b内，以及一成对的 正读取磁道52a和负读取磁道52b内，所形成的电容不平衡。结果，写入磁道对40产生的影响第一读取磁道51和第二读取磁道52的串扰能够受到抑制。

【第三实施例】

根据第三实施例参考图6和图7描述了一弯曲结构10。需要注意的是，第三实施例也可以作为第二参考例子而被参考。图6图示性地描绘了根据第三实施例的一互联部分30。第三实施例与第一实施例的不同点在于，一接地磁道71未设置在第一读取磁道对和第二读取磁道对之间。其他结构与第一实施例的结构相同。

在第三实施例中，如图7所示，在第一读取磁道对51内，正读取磁道51a和一窗口部分26的一边缘之间的距离C1与负读取磁道51b和窗口部分26的边缘之间的距离C2不相等。在第二读取磁道对52内，正读取磁道52a和窗口部分26的一边缘之间的距离C3与负读取磁道51b和窗口部分26的边缘之间的距离C4不相等。因此，在一成对的正读取磁道51a和负读取磁道51b内，以及一成对的正读取磁道52a和负读取磁道52b内，所形成的电容平衡。

根据第三实施例的结构，在一多读取器的导线弯曲结构10中，第一读取磁道51和第二读取磁道52的阻抗值可以通过窗口部分26来调节。而且，在第三实施例中，省略了第二实施例中描述的一框架部分29(图4)。由于没有形成框架部分29，节省了金属基体20的空间。结果，设计弯曲结构10的设计自由程度得到改善，且可以使一硬盘驱动器变得密集。

参考图8和图9，根据第一至第三实施例比较导线弯曲结构10。图8是根据每个实施例的用于模拟影响互联部分30的一解析模型。相对于长度为30mm的实施例中的互联部分30，该解析模型通过连接三十个1-mm模型(M1至M30)设置，这些1-mm模型通过将互联部分30分成1mm段的网格获得。图9是一特征图，显示了通过关于第一至第三实施例的串扰的一电路模拟器计算图8中解析模型的计算结果。该图的纵轴代表写入磁道对40产生的影响第一读取磁道对51和第二读取磁道对52的串扰。

在第三实施例与第一实施例比较中，在第一读取磁道对51和第二读取磁道52的解析结果中，第一实施例中的串扰比第三实施例中减少更多。

在第二实施例与第一实施例比较中，当第一实施例和第二实施例在第二读取磁道对52的解析结果上差别不大时，在第一读取磁道对51的解析结果上，第一实施例中的串扰比第二实施例减少更多。

而且，在第一实施例中，省略了第二实施例中的一框架部分29(图4)。因为根据第一实施例的接地磁道71的最小宽度(12μm)小于根据第二实施例的框架部分29的最小宽度(40μm)，实现了金属基体20的空间节省。结果，设计弯曲结构10的设计自由程度得到改 善，且可以使一硬盘驱动器变得密集。

第一实施例同时使得节省空间和良好电气特性的要求在一多读取器的一导线弯曲结构中得以满足。

【第四和第五实施例】

接下来，将参考图8和图10描述第四和第五实施例。需要注意的是，第四和第五实施例也可以分别作为第三和第四参考例子而被参考。

第四实施例与第一实施例的不同点在于，在一接地磁道71的一第一端部71a和一第二端部71b中未设置有接地点。那就是说，当设置了接地磁道71时，没有端部接地。其他结构与第一实施例的结构相同。

第五实施例与第一实施例的不同点在于，仅在一接地磁道71的一第一端部71a和一第二端部71b中的一者内设置有一接地点。那就是说，当设置了接地磁道71时，仅有一个端部接地。其他结构与第一实施例的结构相同。

图10是一特征图，显示了通过关于第四至第五实施例的串扰的一电路模拟器计算图8中显示的解析模型的一结果。该图的纵轴代表由一写入磁道对40产生的影响第一读取磁道对51和第二读取磁道对52的串扰。如附图中显示的那样，与第一实施例相比，第四和第五实施例中的串扰的减少没有那么多。相反，由于写入磁道对40的一信号是通过接地磁道71输送的，由写入磁道对40产生的影响第一读取磁道对51和第二读取磁道对52的串扰得到增强。

【第六至第十实施例】

接下来，将参考图8和图10描述第六至第十实施例。第六实施例与第一实施例的不同点在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之间的长度平分的一位置(一中点71c)处，进一步设置有一接地点(换句话说，设置有一额外的接地点)。其他结构与第一实施例的结构相同。

第七实施例与第一实施例的不同点在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之间的长度大致四等分的三个位置(即在1-mm模型M7和M8之间、M15和M16之间【一中点71c】、M23和M24之间的位置)处，进一步设置有一接地点(换句话说，设置有三个额外的接地点)。其他结构与第一实施例的结构相同。

第八实施例与第一实施例的不同点在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之间的长度大致八等分的七个位置(即在1-mm模型M3和M4之间、M7和M8之间、M11和M12之间、M15和M16之间、M19和M20之间、M23和M24之间、M27和M28之间的位置)处，进一步设置有接地点(换句话说，设置有七个额外的接 地点)。其他结构与第一实施例的结构相同。

第九实施例与第一实施例的不同点在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之间的长度间隔为2mm的十五等分的十四个位置处，进一步设置有接地点(换句话说，设置有十四个额外的接地点)。其他结构与第一实施例的结构相同。

第十实施例与第一实施例的不同点在于，除了接地磁道71的第一端部71a和第二端部72b，在第一端部71a和第二端部71b之间的长度间隔为1mm的30等分的二十九个位置处，进一步设置有接地点(换句话说，设置有二十九个额外的接地点)。其他结构与第一实施例的结构相同。

对于各个实施例，对图10的解析结果进行比较。将第一和第六实施例与第四和第五实施例相比较，与两个端部未设置有接地点的实施例(即，第四和第五实施例)相比，接地点设置于两端的这些实施例(即，第一实施例和第六至第十实施例)中的影响第一读取磁道对51和第二读取磁道对52的串扰大大减少。

同时，将第六至第十实施例与第一实施例比较，可以理解，即使实施例一中设置有额外的接地点，所显示的串扰也没有改善。相反，由于限制于第一读取磁道对51，第六至第十实施例中的串扰相较于第一实施例略有增加。

【第十一实施例】

参考图11，描述了第十一实施例。第十一实施例与第一实施例的不同点在于，进一步提供了一再生装置4c、一第三读取磁道对53和一第二接地磁道72。其他结构与第一实施例的结构相同。

第三读取磁道对53由一正写入磁道53a和一负写入磁道53b构成，组成了一对并用于传输一差动信号。正读取磁道53a和负读取磁道53b与未显示的再生装置4c连接。正(正相位信号)读取磁道53a传输一信号，该信号在高电平和低电平二进制值之间波动。负(负相位信号)读取磁道53b传输一信号，该信号在相对于正读取磁道53a的信号的反相位处的二进制值之间波动。正读取磁道53a和负读取磁道53b分别是本发明的一对读取磁道的例子。第三读取磁道对53是本发明的读取磁道对的一个例子，且可以简单作为读取磁道对53被参考。第三读取磁道对53设置于与第一读取磁道对51和第二读取磁道对52相比距离一写入磁道对40更远的地方，且设置于一第二通道36上，使得它在厚度方向Y上面对一金属基体20的一第二区域22的一窗口部分26。第二接地磁道72设置于第二读取磁道对和第三读取磁道对之间，且包括一第一端部72a，以及处于第一端部72a相对侧的一第二端部72b。第二接地磁道 72在第一端部72a和第二端部72b(两端)处分别设置有接地点，且与金属基体20电(地)连接。第二读取磁道对72是本发明的接地磁道的一个例子，且可以简单称作接地磁道72。另外，多个接地磁道可以统称作一接地磁道结构70。在第十一实施例中，所有相邻对读取磁道之间都设置有一接地磁道。从另一个观点来看，它可以称为读取磁道对(一对正读取磁道和负读取磁道)，可选地设置有接地磁道。当设置有四对或多对读取磁道(即，成对的读取磁道之间的间隔数量为三个或更多)时，采用上面的叫法。

在第十一实施例中，调节所有读取磁道对51，52和53的容量和抑制来自写入磁道对40的串扰是可能的。

【第十二实施例】

将描述一第十二实施例。第十二实施例是第十一实施例的一改进。第十二实施例与第十一实施例的不同点在于，在相互邻近的多对读取磁道中，仅在一第一读取磁道对51和一第二读取磁道对52之间设置一接地磁道71。其他结构与第十一实施例的结构相同。当设置有四对或多对读取磁道(即，成对的读取磁道之间的间隔数量为三个或更多)时，采用上面的叫法。

在第十二实施例中，当一接地磁道因为空间不足等原因不能设置于所有对的读取磁道之间时，接地磁道优选地设置于最可能受到串扰影响的第一读取磁道对51上，从而调节电容。结果，即使一弯曲结构10仅有一最小需要数量的接地磁道71，可以将来自写入磁道对的整个串扰抑制在弯曲结构10中。

【第十三实施例】

参考图12，将描述第十三实施例。第十三实施例与第一实施例的不同点在于，提供了一额外导线39。其他结构与第一实施例的结构相同。额外导线39的一个例子是给一加热装置导电的一加热线，用于调节一滑动器8的飞行高度。额外导线39设置于一绝缘层31的一第一通道35上。换句话说，额外导线39不设置在一第二通道36上。

如果额外导线39设置于第一读取磁道对51和第二读取磁道对52之间，可以改变第一读取磁道对51和第二读取磁道对52的阻抗值。进一步地，通过额外导线39转发的来自一写入磁道对40的串扰，可以反过来影响第一读取磁道51和第二读取磁道52。在第十三实施例中，由于额外导线39设置于除了第二通道36的部分内(即，第一通道35)，额外导线39没有设置于第一读取磁道对51和第二读取磁道对52之间。由于设置于对噪音敏感的读取磁道对51和52之间一导线32仅是一个接地磁道71，可以抑制来自写入磁道对40的串扰的影响。

【第十四实施例】

参考图13，将描述一第十四实施例。第十四实施例与第一实施例不同点在于，一接地磁道71包括从一第二端部71b延伸的一延伸部分79。那就是说，在接地磁道71的一装置端部(延伸部分79)未设置接地点。在比延伸部分79更为朝向内部(即，在第一端部71a和第二端部71b之间的一部分)的一侧部，设置有接地点。

在第十四实施例中，可以调节位于从第一端部71a至第二端部71b的区域上方的第一读取磁道对51和第二读取磁道52对的电容，两者分别设置有接地点，并对来自于一写入磁道对40的串扰进行抑制。

另外的优势和改进将准备呈现给本领域技术人员。所以，在更广的方面，本发明并未限制于本文描述和显示的特有的细节和代表性实施例。相应地，在不脱离所附权利要求和其相等物所定义的一般发明概念的精神和范围的情况下，可作出各种变形。

一多读取器的导线弯曲结构包括各种改进，其中一接地磁道设置于相互邻近的成对读取磁道之间的至少两个接地点之间，且接地点设置于期望具有良好电气特性的一部分的至少两端附近。