技术特征：
技术总结
公开了半导体存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法。半导体存储装置包括存储单元阵列、误差校正电路、误差日志寄存器和控制逻辑电路。存储单元阵列包括多个存储体阵列，其中每个存储体阵列包括多个页。控制逻辑电路被配置为控制误差校正电路以响应于从存储控制器接收的第一命令对由至少一个访问地址指示的多个页中的一些页顺序执行ECC解码，从而检测至少一个位误差。控制逻辑电路执行误差记录操作以将页误差信息写入误差日志寄存器，页误差信息包括从所述检测确定的一些页中每一页上的误差事件的数量。
技术研发人员：郑会柱;车相彦;宋镐永;金炫中
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2016.11.10
技术公布日：2017.07.21