1.一种多存储器单元操作器，包括：
存储数据的非破坏性存储器阵列，所述阵列每列具有第一位线和第二位线；
激活单元，其用于同时激活所述存储器阵列的列中的至少两个单元，从而在所述第一位线上生成所述至少两个单元的所述数据和互补数据的多个布尔函数输出，并在所述第二位线上生成所述数据和所述互补数据的不同的多个布尔函数输出；以及
多列解码器，其至少用于激活多个选定列的所述第一位线和所述第二位线以用于读取或写入。
2.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，其中，所述多列解码器还包括写入单元，所述写入单元用于将所述选定列的所述第一位线、所述第二位线或所述第一位线与所述第二位线两者的输出写入到所述存储器阵列中。
3.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，其中，所述多列解码器包括预充电器，所述预充电器用于在读取之前将所述第一位线和所述第二位线预充电到预定义的预充电电压。
4.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，其中，所述多列解码器包括：充电器，其用于利用状态值对选定列的所述第一位线充电，并利用选定列的所述状态值的互补值对所述第二位线充电，以用于将所述状态值写入到所述选定列中被激活的单元；以及预充电器，其用于在写入期间将非选定列的所述第一位线和所述第二位线预充电到预定义的预充电电压。
5.根据权利要求4所述的多存储器单元操作器，其中，所述多列解码器包括输出单元，所述输出单元用于在选定的所述非选定列的所述第一位线和所述第二位线中的一个或两者上输出值，以用于在所述写入期间进行读取。
6.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，还包括搜索单元，所述搜索单元用于针对具有与输入值匹配的值的单元搜遍所述数据，在所述匹配的值上执行操作以生成经处理的值，并将所述经处理的值写回到其相关联的所述单元。
7.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，其中，所述单元是SRAM(静态随机访问存储器)单元。
8.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，其中，所述单元是6晶体管SRAM单元。
9.根据权利要求2所述的多存储器单元操作器，其中，所述多列解码器还包括计算器，所述计算器用于通过多次读取操作并通过将读取结果写入到所述存储器阵列中的其它位置来执行存储器内计算，所述结果被用于后续计算。
10.根据权利要求1所述的多存储器单元操作器，其中，所述布尔运算是NOR、NAND、AND和OR。
11.一种用于操作用于计算的存储器阵列的方法，所述方法包括：
同时激活在每列具有第一位线和第二位线的非破坏性存储器阵列的列中的至少两个单元，从而在所述第一位线上生成被存储在所述至少两个单元中的数据和所述至少两个单元的互补数据的多个布尔函数输出，并在所述第二位线上生成所述数据和所述互补数据的不同的多个布尔函数输出；并且
激活多个选定列的所述第一位线和所述第二位线以用于读取或写入。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二激活还包括：将所述选定列的所述第一位线、所述第二位线或所述第一位线与所述第二位线两者的输出写入到所述存储器阵列中。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二激活包括：在读取之前将所述第一位线和所述第二位线预充电到预定义的预充电电压。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二激活包括：利用状态值对选定列的所述第一位线充电，并利用选定列的所述状态值的互补值对所述第二位线充电，以用于将所述状态值写入到所述选定列中被激活的单元；并且在写入期间将非选定列的所述第一位线和所述第二位线预充电到预定义的预充电电压。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二激活包括：在选定的所述非选定列的所述第一位线和所述第二位线中的一个或两者上输出值，以用于在所述写入期间进行读取。
16.根据权利要求11所述的方法，还包括：针对具有与输入值匹配的值的单元搜遍所述数据，在所述匹配的值上执行操作以生成经处理的值，并将所述经处理的值写回到其相关联的所述单元。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述单元是SRAM单元。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述单元是6晶体管SRAM单元。
19.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二激活还包括：通过多次读取操作并通过将读取结果写入到所述存储器阵列中的其它位置来执行存储器内计算，所述结果被用于后续计算。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述布尔运算是NOR、NAND、AND和OR。