技术特征：
技术总结
本发明公开用于采用P型场效应晶体管PFET写入端口的存储器位胞元(“位胞元”)的写入辅助电路。还公开了相关的方法及系统。已观察到，随着节点技术的大小按比例缩小，PFET驱动电流(即，驱动强度)超出用于类似尺寸的FET的N型场效应晶体管NFET驱动电流。就这点来说，在一个方面中，相对于NFET写入端口，需要提供具有PFET写入端口的位胞元来减少到所述位胞元的存储器写入时间，且由此改进存储器性能。为缓解在将数据写入位胞元时原本可发生的写入争用，可采用以负字线升压电路的形式提供的写入辅助电路来加强具有PFET写入端口的存储器位胞元中的PFET存取晶体管。
技术研发人员：郑志勋;F·I·阿塔拉;K·A·柏曼;D·J·W·昂基纳;H·H·阮
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.02.02
技术公布日：2017.10.13