技术特征：
技术总结
本公开的实施例描述了用于控制非易失性随机存取存储器(NVRAM)设备中的电流的技术和配置。在一个实施例中，NVRAM设备可以包括耦合到多个位线的多个存储器单元，多个位线形成具有寄生电容的位线节点。每个存储器单元可以包括具有所需的电平的保持电流以维持单元的导通状态的开关器件。电压供应电路和控制器可以与NVRAM设备耦合。控制器可以控制电路以提供使存储器单元保持在导通状态的电流脉冲。脉冲可以包括响应于在达到设定点之后通过存储器单元的位线节点电容的放电而随时间推移从设定点改变到保持电流电平的简档。
技术研发人员：D-S·李-加尼翁;K·潘加尔;R·W·曾;M·J·陶布
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2016.05.12
技术公布日：2018.01.26