技术特征：
技术总结
本发明公开了一种存储单元漏电处理方法、装置及存储器，所述方法包括：对擦除区域的存储单元执行擦除操作；若检测到复位异步操作，则记录所述擦除区域的首地址；根据所述首地址确定所述擦除区域所在的存储块；对所述存储块内的存储单元执行过擦除恢复操作，以消除所述存储块内存储单元位线上的漏电流对编程操作的影响。通过采用上述方法消除了位线漏电流对编程操作的影响，提高了存储单元存储数据的准确性。
技术研发人员：崔茂兴;徐玉峰
受保护的技术使用者：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
技术研发日：2017.12.18
技术公布日：2019.06.25