技术特征：
技术总结
提供了一种用于使用多单元存储单元组对非易失性存储器进行编程以提供保持差错的差错位置信息的方法和设备。非易失性存储器中的每个存储单元利用阈值电压电平被编程，并且根据来自多个页的位来编程每个存储单元。存储器控制器将存储单元组织为存储单元组，其各自存储利用阈值电压电平所编程的信息的m个位。确定要用于存储单元组中的每个存储单元以利用定义多个有效状态之一的阈值电压电平在存储单元组中对所选择的k个位进行编程的一个阈值电压电平。对于任何2个有效状态中的存储单元组的存储单元的至少一个的阈值电压电平相差至少2个阈值电压电平。
技术研发人员：W.吴;J.B.卡恩;S.N.特里卡;Y.邹
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2017.08.24
技术公布日：2019.06.04