1.一种存储器的读取电路，所述读取电路包括数据存储单元电路和参考电路，所述数据存储电路包括多个数据存储单元，其特征在于，包括：
所述参考电路包括n个参考单元组，n为正整数；
每一个所述参考单元组包括m个参考单元，m为正整数；
n个所述参考单元组串联连接；
m个所述参考单元并联连接。
2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于，
所述数据存储单元包括阻变存储单元。
3.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于，
所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的高阻态阻值；或者，
所述参考单元的阻值的取值为所述数据存储单元的低阻态阻值。
4.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于，
所述参考电路还包括多个间隔排列的第一电极和多个间隔排列的第二电极，所述第一电极包括第一子电极和第二子电极，所述第二电极包括第三子电极和第四子电极，相邻两个所述第一电极中，前一个所述第一电极的第二子电极和后一个所述第一电极中的第一子电极与一个所述第二电极相对设置，相邻两个所述第二电极中，前一个所述第二电极的第四子电极和后一个所述第二电极中的第三子电极与一个所述第一电极相对设置；
其中，所述第二子电极与所述第三子电极相对设置，所述第一子电极与所述第四子电极相对设置；
同一个所述参考单元组的参考单元的第一端与同一个所述第一电极电连接，且一个所述参考单元组的参考单元的第二端与同一个所述第二电极电连接；
第奇数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第二子电极电连接，第奇数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第三子电极电连接；
第偶数个所述参考单元组的参考单元的第一端与所述第一子电极电连接，第偶数个所述参考单元组的参考单元的第二端与所述第四子电极电连接；
当n为偶数时，首个所述第一电极与位线电连接，最后一个所述第一电极接地；
当n为奇数时，首个所述第一电极与位线电连接，最后一个所述第二电极接地。
5.根据权利要求4所述的读取电路，其特征在于，
每个参考单元所需的物理宽度为单位宽度，n与m的乘积个参考单元所需的物理宽度等于位线的长度。
6.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于，
所述参考电路的等效电阻大于或等于多个所述数据存储单元处于低阻态时阻值最高的低阻态阻值，且小于或等于多个所述数据存储单元处于高阻态时阻值最低的高阻态阻值。
7.根据权利要求6所述的读取电路，其特征在于，
所述参考电路的等效电阻等于多个所述数据存储单元处于低阻态时阻值最高的低阻态阻值和多个所述数据存储单元处于高阻态时阻值最低的高阻态阻值的平均值。
8.根据权利要求4所述的读取电路，其特征在于，
所述参考电路还包括第一MOS管和比较器；
所述第一MOS管的第一端与比较器的第一信号输入端电连接，所述第一MOS管的第二端与所述位线电连接，所述第一MOS管的控制端用于接入字线的电信号。
9.根据权利要求8所述的读取电路，其特征在于，
所述数据存储电路还包括第二MOS管；
所述第二MOS管的第一端与所述比较器的第二输入端电连接，所述第二MOS管的第二端与所述位线电连接，所述第二MOS管的控制端用于接入所述字线的电信号，多个所述数据存储单元的第一公共输出端与所述位线电连接，多个所述数据存储单元的第二公共输出端接地。
10.根据权利要求9所述的读取电路，其特征在于，
所述比较器包括电流比较器或者电压比较器。