1.一种新型非易失性存储器的过擦除处理方法，其特征在于，所述方法包括：
在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵；
对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，所述预弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行一次弱编程处理；
对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理，所述完整弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行至少一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行至少一次弱编程处理，直至每根字线都通过过擦除状态检测。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所选的储存单元列阵中字线进行过擦除状态检测，包括：
为所选的储存单元列阵中的字线上施加一个过擦除检测电压，并为所选的储存单元列阵中其他未施加过擦除检测电压的字线施加一个防漏电电压；
依次检测施加有过擦除检测电压的字线上每个储存单元的阀值电压是否小于或等于过擦除检测电压；
当检测的字线中存在有储存单元的阀值电压小于或等于过擦除检测电压时，则检测的字线未通过过擦除状态检测。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对未通过过擦除状态检测的字线进行弱编程处理，包括：
为检测的字线中每个检测不通过的储存单元，对应的字线施加一个弱编程操作电压，且其对应的位线施加一个位线处理电压，并为所选的储存单元列阵中其他未施加弱编程操作电压的字线施加一个防漏电电压。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述防漏电电压的范围为：-4v～-2v，所述过擦除检测电压的范围为：1.5v～2.0v，所述位线处理电压的范围为：3.8v～4.2v。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，包括：
对所选的储存单元列阵进行两次预弱编程处理。
6.一种新型非易失性存储器的过擦除处理装置，其特征在于，包括：
选择模块，用于在待处理的非易失性存储器中选择已擦除处理的储存单元列阵；
处理模块，用于对所选的储存单元列阵进行至少一次预弱编程处理，所述预弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行一次弱编程处理；
所述处理模块，还用于对预弱编程处理后的储存单元列阵进行完整弱编程处理，所述完整弱编程处理包括：依次对所选的储存单元列阵中的每根字线进行至少一次过擦除状态检测，并对未通过过擦除状态检测的字线进行至少一次弱编程处理，直至每根字线都通过过擦除状态检测。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述处理模块，包括：
第一施加单元，用于为所选的储存单元列阵中的字线上施加一个过擦除检测电压，并为所选的储存单元列阵中其他未施加过擦除检测电压的字线施加一个防漏电电压；
检测单元，用于依次检测施加有过擦除检测电压的字线上每个储存单元的阀值电压是否小于或等于过擦除检测电压；
判断单元，用于当检测的字线中存在有储存单元的阀值电压小于或等于过擦除检测电压时，则检测的字线未通过过擦除状态检测。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述处理模块，还包括：
第二施加单元，用于为检测的字线中每个检测不通过的储存单元，对应的字线施加一个弱编程操作电压，且其对应的位线施加一个位线处理电压，并为所选的储存单元列阵中其他未施加弱编程操作电压的字线施加一个防漏电电压。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述防漏电电压的范围为：-4v～-2v，所述过擦除检测电压的范围为：1.5v～2.0v，所述位线处理电压的范围为：3.8v～4.2v。
10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述处理模块，还用于对所选的储存单元列阵进行两次预弱编程处理。