技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法，以对半导体存储器装置的选择的物理页面进行编程。该方法可以包括执行多个编程循环。编程循环中的每一个可以包括：基于输入到半导体存储器装置的页面缓冲器的数据施加位线电压；将两步编程脉冲施加到与选择的物理页面联接的字线；使用双重验证方案对选择的物理页面执行编程验证操作；以及基于编程验证操作的结果确定待在随后的编程循环中施加的位线电压。
技术研发人员：梁仁坤
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2018.08.22
技术公布日：2019.06.25