存储设备的制作方法

文档序号:19747644发布日期:2020-01-21 18:47阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种存储设备,具备:

存储单元;

第1感测放大器电路,电连接于所述存储单元;

第2感测放大器电路,经由选择电路而电连接于所述第1感测放大器电路;及

电压供给电路,经由所述选择电路而电连接于所述第2感测放大器电路,且包含第1端子;

在所述存储单元的数据读出动作时,基于参照数据写入前的所述存储单元的输出信号的第1信号、及基于所述参照数据写入后的所述存储单元的输出信号的第2信号经由所述选择电路从所述第1感测放大器电路供给至所述第2感测放大器电路,所述第2感测放大器电路基于所述第1及第2信号,读出所述数据,且

在对于所述存储单元的测试动作时,基于所述存储单元的输出信号的第3信号经由所述选择电路从所述第1感测放大器电路供给至所述第2感测放大器电路,基于施加至所述第1端子的第1电压的第4信号经由所述选择电路从所述电压供给电路供给至所述第2感测放大器电路,所述第2感测放大器电路基于所述第3及第4信号,输出所述存储单元的测试结果。

2.根据权利要求1所述的存储设备,还具备转换电路,

所述转换电路电连接于所述选择电路与所述第2感测放大器电路之间,且包含第1晶体管与第2晶体管,所述第1晶体管具有电连接于所述第2感测放大器电路的第1输入端子的第2端子,所述第2晶体管具有电连接于所述第2感测放大器电路的第2输入端子的第3端子,

在所述读出动作时,所述选择电路将所述第1信号供给至所述第1晶体管的栅极,并将所述第2信号供给至所述第2晶体管的栅极,且

在所述测试动作时,所述选择电路将所述第3信号供给至所述第1晶体管的栅极,并将所述第4信号供给至所述第2晶体管的栅极。

3.根据权利要求2所述的存储设备,其中

所述电压供给电路还包含电连接于所述第1端子与所述选择电路之间的第1电压输出电路,且

所述第1电压输出电路使用所述第1电压,产生所述第4信号。

4.根据权利要求2或3所述的存储设备,其中

所述转换电路还包含第3晶体管及第4晶体管,所述第3晶体管具有电连接于所述第1输入端子的第4端子,所述第4晶体管具有电连接于所述第2输入端子的第5端子,

在所述读出动作时,所述选择电路对所述第3晶体管的栅极供给第5信号,且

在所述测试动作时,所述选择电路对所述第4晶体管的栅极供给来自所述电压供给电路的第6信号。

5.根据权利要求4所述的存储设备,其中

所述电压供给电路还包含第6端子、及电连接于所述第6端子与所述选择电路之间的第2电压输出电路,且

在所述测试动作时,所述第2电压输出电路使用施加至所述第6端子的第2电压,产生所述第6信号,所述选择电路将所述第6信号供给至所述第3晶体管的栅极及所述第4晶体管的栅极中的至少一者。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1