1.一种半导体装置，包括：
第一至第三晶体管；以及
电容器，
其中，所述第一晶体管的栅极与第一布线电连接，
所述第一晶体管的背栅极与第二布线电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接，
所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述电容器的一个电极电连接，
所述电容器的另一个电极与第三布线电连接，
所述第二晶体管的栅极与所述电容器的一个电极电连接，
所述第二晶体管的背栅极与第四布线电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第四布线电连接，
所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三晶体管的源极和漏极的一个电连接，
所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第五布线电连接，
并且，所述第三晶体管的栅极与第六布线电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述第三晶体管的栅极与所述第三晶体管的背栅极电连接。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，
其中所述第一晶体管的半导体层包含氧化物半导体。
4.一种储存装置，包括：
包括根据权利要求1或2所述的半导体装置的存储元件；以及
驱动电路。
5.根据权利要求4所述的存储装置，
其中所述半导体装置与所述驱动电路重叠。
6.根据权利要求4所述的存储装置，
其中所述存储元件具有储存多值信息的功能。