1.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：
主存储单元区域，包括多个存储单元；以及
控制电路，电性连接所述主存储单元区域，被配置为对所述多个存储单元进行抹除操作，其中所述控制电路被配置为：
获得所述多个存储单元目前的临界电压；
计算所述临界电压与原始临界电压的偏移电压值，其中所述原始临界电压代表所述多个存储单元出厂前的临界电压；
根据所述偏移电压值调整抹除验证电压电平；以及
根据调整后的所述抹除验证电压电平判断所述抹除操作是否完成。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于还包括备用存储单元区域，所述备用存储单元区域包括多个备用存储单元，其中所述原始临界电压是所述多个备用存储单元的临界电压。
3.根据权利要求2所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述控制电路被配置为在获得所述临界电压之前，对所述主存储单元区域与所述备用存储单元区域进行弱抹除操作，且其中所述原始临界电压是所述多个备用存储单元经弱抹除操作后的临界电压。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于调整后的所述抹除验证电压电平是初始抹除验证电压电平加上所述偏移电压值，其中所述初始抹除验证电压电平是预设值。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述控制电路被配置为在获得所述临界电压之前，对所述主存储单元区域进行弱抹除操作。
6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述控制电路被配置为对所述主存储单元区域进行所述弱抹除操作之前，先对所述主存储单元区域进行前期程序化操作。
7.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述控制电路被配置为依据第一抹除电压对所述多个存储单元执行第一抹除操作，并在所述第一抹除操作后对所述多个存储单元执行反向读取操作，且依据所述反向读取操作的读取结果与调整后的所述抹除验证电压电平的比较结果来决定是否再对所述多个存储单元执行第二抹除操作，且所述第二抹除操作采用的第二抹除电压大于所述第一抹除电压。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储装置，其特征在于，所述临界电压大于0伏特且小于程序化验证电压电平。
9.一种非易失性存储装置的抹除操作方法，其特征在于，包括：
获得所述非易失性存储装置的多个存储单元目前的临界电压；
计算所述临界电压与原始临界电压的偏移电压值，其中所述原始临界电压代表所述多个存储单元出厂前的临界电压；
根据所述偏移电压值调整抹除验证电压电平；以及
对所述多个存储单元进行抹除操作，其中根据调整后的所述抹除验证电压电平判断所述抹除操作是否完成。
10.根据权利要求9所述的抹除操作方法，其特征在于，其中所述非易失性存储装置包括所述多个存储单元与多个备用存储单元，所述原始临界电压是所述多个备用存储单元的临界电压。
11.根据权利要求10所述的抹除操作方法，其特征在于，获得所述多个存储单元目前的所述临界电压的步骤包括：
在获得所述临界电压之前，对所述多个存储单元与所述多个备用存储单元进行弱抹除操作，且其中所述原始临界电压是所述多个备用存储单元经弱抹除操作后的临界电压。
12.根据权利要求9所述的抹除操作方法，其特征在于调整后的所述抹除验证电压电平是初始抹除验证电压电平加上所述偏移电压值，其中所述初始抹除验证电压电平是预设值。
13.根据权利要求9所述的抹除操作方法，其特征在于，获得所述多个存储单元目前的所述临界电压的步骤包括：
在获得所述临界电压之前，对所述多个存储单元进行弱抹除操作。
14.根据权利要求13所述的抹除操作方法，其特征在于，获得所述多个存储单元目前的所述临界电压的步骤还包括：
对所述多个存储单元进行所述弱抹除操作之前，先对所述多个存储单元进行前期程序化操作。
15.根据权利要求9所述的抹除操作方法，其特征在于，对所述多个存储单元进行所述抹除操作的步骤包括：
设定依序递增的多个抹除电压；
分别依据所述多个抹除电压对所述多个存储单元执行多次所述抹除操作；
每次所述抹除操作后对所述存储单元执行反向读取操作；以及
依据所述反向读取操作的读取结果与调整后的所述抹除验证电压电平的比较结果来决定是否继续下一次所述抹除操作。
16.根据权利要求9所述的抹除操作方法，其特征在于所述临界电压大于0伏特且小于程序化验证电压电平。