存储器件、存储系统以及用于刷新存储器件的方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月9日提交的申请号为10-2018-0093166的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

本专利申请中公开的技术和实施方式涉及一种存储器件，并且更具体地，涉及一种能够根据所需的数据可靠性等级来将不同刷新率应用于目标数据的存储器件，以及用于刷新存储器件的方法。

背景技术：

根据在电源被停止时所储存的数据是否丢失，将半导体存储器件分类为易失性存储器件和非易失性存储器件。

来自半导体存储器件之中的易失性存储器件(诸如动态随机存取存储器(dram))周期性地执行刷新操作，以便保留储存在其中的数据。

在自动刷新操作模式下，动态随机存取存储器(dram)响应于从外部部件接收到的刷新命令而刷新多个存储单元。在自刷新操作模式下，动态随机存取存储器(dram)根据刷新计数器的操作信息来自主刷新存储单元。

近来，许多开发人员和公司正在对能够增强易失性存储器件的刷新性能或吞吐量的各种技术进行深入研究。

技术实现要素：

本专利申请提供了存储器件、存储系统以及用于刷新存储器件的方法的设计，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。

本公开的一个实施例涉及一种存储器件，其使用基于数据特性的不同刷新率来相对地增强需要高可靠性的数据的刷新操作，从而提供更高可靠性的数据。

根据本公开的一个方面，一种存储器件包括：存储单元阵列，其设置有多个存储单元；行解码器，其被配置为响应于行地址信号来选择性地激活存储单元阵列的字线；以及刷新控制器，其被配置为响应于刷新信号来输出行地址信号。刷新控制器响应于可变刷新控制值来控制包含在存储单元阵列中的第一储存区域和第二储存区域的刷新比率。

根据本公开的一个方面，一种存储系统包括：存储器件，其被配置为响应于命令信号和地址信号来将数据储存在第一储存区域和第二储存区域中，并且响应于可变刷新控制值来控制第一储存区域和第二储存区域的刷新比率，以及存储器控制器，其被配置为响应于从主机接收到的控制信号来将命令信号、地址信号和刷新控制值输出给存储器件。

根据本公开的一个方面，一种用于刷新存储器件的方法包括：响应于刷新信号和刷新控制值来选择性地输出第一刷新地址和第二刷新地址。刷新控制值是可变的，并且第二刷新地址的输出次数比第一刷新地址的输出次数高与刷新控制值的倍数相对应的预定次数。

应理解，这些实施例的前述一般性描述和以下详细描述二者都是示例性和说明性的。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的上述和其他特征以及优点将变得容易显而易见。

图1是示出根据所公开技术的一个实施例的电子系统的框图。

图2是示出根据所公开技术的一个实施例的用于在图1中所示的电子系统中使用的存储器件的示意图。

图3是示出根据所公开技术的一个实施例的应用于车辆的图1中所示的电子系统的示图。

图4是示出根据所公开技术的一个实施例的用于执行电子系统的数据储存和刷新操作的方法的流程图。

具体实施方式

现在将详细参考其示例在附图中示出的某些实施例。只要有可能，在整个附图中使用的相同附图标记将指代相同或相似的部分。在以下描述中，当被合并在本文中的相关已知配置或功能的详细描述使得主题不太清楚时，该详细描述将被省略。

图1是示出根据所公开技术的一个实施例的电子系统1的框图。

参考图1，电子系统1可以包括主机10和存储系统20。存储系统20可以包括存储器控制器100和存储器件200。

从图1中可以看出，主机10可以使用命令/地址ca来控制用于将数据储存在存储系统20中的功能。例如，当主机10希望将数据data储存在存储系统20中或者希望刷新(或自动刷新)储存在存储系统20中的数据时，或者当主机10需要储存在存储系统20中的数据时，主机10可以产生命令/地址ca并将命令/地址ca发送到存储系统20。

具体地，主机10不仅可以可变地调整被用于储存具有不同特性的数据的储存区域的大小，而且还可以根据要储存在存储系统20中的客观数据的特性来可变地调整储存区域的刷新率。例如，当主机10试图将需要高可靠性的数据(在下文中被称为高可靠性数据)和不需要高可靠性的其他数据(在下文中被称为低可靠性数据)同时储存在存储器件200中时，主机10可以在用于储存低可靠性数据的第一区域(或第一范围)与用于在整个储存区域内储存高可靠性数据的第二区域(或第二范围)之间进行区分，并且可以允许用于储存低可靠性数据的第一区域(在下文中被称为低可靠性数据储存区域)与用于储存高可靠性数据的第二区域(在下文中被称为高可靠性数据储存区域)相比具有不同的刷新率，使得第一区域和第二区域可以具有不同的刷新率。为此，主机10可以向存储系统20发送被配置为确定每个数据的储存区域的第一控制因子cf1和被配置为确定针对每个储存区域的刷新率的第二控制因子cf2。在这种情况下，低可靠性数据可以是由诸如图像传感器的传感器捕获的原始图像数据，并且可以通过使用特定算法处理原始图像数据来获取高可靠性数据。例如，高可靠性数据可以是图像压缩数据、图像处理的元数据等。

控制因子cf1和cf2可以由系统管理员来随机地建立或改变。如果控制因子cf1和cf2被系统管理员改变，则主机10可以将被改变的控制因子cf1和cf2发送给存储系统20。此后，当主机10尝试将数据储存在存储系统20中时，主机10可以判断要储存在存储系统20中的数据是高可靠性数据还是低可靠性数据，并且可以产生命令/地址ca以将数据储存在与控制因子cf1相对应的储存区域中。

主机10可以是中央处理单元(cpu)、微处理器和应用处理器(ap)等中的任意一个。主机10可以使用各种接口协议(例如pci-快速(pci-e)、高级技术附件(ata)、串行高级技术附件(sata)、并行高级技术附件(pata)和串行附接的scsi(sas))中的任意一种与存储系统20通信。然而，在主机10与存储系统20之间的这种接口协议的范围或精神不限于此，并且主机10和存储系统20可以使用其他接口协议(例如通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、增强型小磁盘接口(esdi)和集成驱动电子设备(ide))中的任意一种彼此通信。

一旦从主机10接收到控制信号ca、cf1和cf2，存储系统20就可以储存数据data，可以读取所储存的数据，并且可以将被读取的数据发送给主机10。具体地，存储系统20可以在主机10的控制下将储存区域划分为多个子储存区域(例如，低可靠性数据储存区域和高可靠性数据储存区域)，并且可以使用不同的刷新率来刷新相应的子储存区域。存储系统20可以包括存储器控制器100和存储器件200。

响应于从主机10接收的命令/地址ca，存储器控制器100可以储存从主机10接收的数据data，或者可以将储存在存储器件200中的数据dq发送到主机10。

首先，响应于从主机10接收的命令/地址ca(充当控制信号)，存储器控制器100不仅可以产生激活存储器件200所需的命令信号cmd，而且还可以产生地址信号add。存储器控制器可以将所产生的命令信号cmd和所产生的地址信号add发送给存储器件200，不仅可以产生数据的写入操作和读取操作所需的命令信号cmd，而且还可以产生地址信号add。存储器控制器可以将所产生的命令信号cmd和所产生的地址信号add发送到存储器件200，不仅可以产生刷新操作所需的命令信号cmd，而且还可以产生地址信号add，并且可以发送所产生的cmdn信号和地址信号add。结果，响应于从主机10接收的命令/地址ca，可以连续地执行上面提到的如下操作：产生命令信号cmd和地址信号add、然后将所产生的命令信号cmd和产生的地址信号add发送给存储器件200。

具体地，一旦从主机10接收到控制因子cf1和cf2，存储器控制器100就可以产生与接收到的控制因子cf1和cf2相对应的刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c，并且可以将所产生的刷新阈值ilimit和所产生的刷新控制值ref_c发送到存储器件200。在这种情况下，刷新阈值ilimit可以包括表示由主机10划分的子储存区域(例如，低可靠性数据储存区域)的边界的地址值。例如，假设存储器件200的整个区域的地址被设置为地址“0至max”，则与某些地址“0至ilimit”相对应的储存区域可以被设置为低可靠性数据储存区域，并且与其他地址“ilimit+1至max”相对应的储存区域可以被设置为高可靠性数据储存区域。刷新控制值ref_c可以包括用于确定由主机10确定的每个储存区域的刷新率的特定值。换句话说，该特定值可以被用于确定低可靠性数据储存区域的刷新率和高可靠性数据储存区域的刷新率。

存储器件200可以包括在行方向和列方向上以矩阵布置的多个存储单元，可以一旦从存储器控制器100接收到命令信号cmd和地址信号add就将数据dq储存在存储单元中，并且可以将所储存的数据dq发送给存储器控制器100。此外，存储器件200可以响应于从存储器控制器100接收的刷新命令或者在其中产生的刷新信号来刷新存储单元。

具体地，存储器件200可以储存从存储器控制器100接收的刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c，并且可以通过根据所储存的刷新阈值ilimit和所储存的刷新控制值ref_c来将不同的刷新率分配给相应的储存区域来刷新存储单元。例如，假设存储器件200的整个储存空间的行地址被设置为地址“0至max(ax[0:n])”、由刷新阈值ilimit指定的至少一个行地址被设置为至少一个地址“ilimit(ax[0:n])”以及刷新控制值ref_c被设置为3，则存储器件200可以确定与地址“0至ilimit(ax[0:n])”相对应的储存区域和与地址“limit(ax[0:n])+1至max(ax[0:n])”相对应的另一储存区域的刷新比率是1:3的特定刷新比率，使得存储器件200可以使用1:3的刷新比率来刷新两个储存区域。更详细地，在用于重复刷新存储单元的过程中，存储器件200可以根据预定的刷新模式来刷新与地址“0至ilimit(ax[0:n])”相对应的储存区域，在所述预定的刷新模式下与地址“0至ilimit(ax[0:n])”相对应的第一储存区域首先被刷新一次，并且与地址“ilimit(ax[0:n])+1至max(ax[0]:n])”相对应的第二个储存区域被连续刷新三次。

尽管为了便于描述和更好地理解本公开，图1仅示例性地示出了与存储器控制器100相对应的一个存储器件200，但是本公开的范围或精神不限于此，并且在必要时存储器件200也可以被实现为设置有多个存储器件200的存储器模块。在这种情况下，存储器模块也可以被实现为无缓冲双列直插式存储器模块(udimm)、寄存器式双列直插式存储器模块(rdimm)或低负载双列直插式存储器模块(lrdimm)。

图2是示出用于在图1中所示的电子系统1中使用的存储器件200的示意图。

参考图2，存储器件200可以包括地址(add)缓冲器210、命令解码器220、自刷新(s/r)计时器230、刷新控制器240、行解码器250和存储单元阵列260。

add缓冲器210可以将从存储器控制器100接收的至少一个地址(add)(即，行地址和列地址)暂时储存在其中。为了便于描述和更好地理解，在下文中将通过仅参考来自行地址和列地址中的行地址来公开以下实施例。add缓冲器210可以将所接收的地址发送给刷新控制器240。

命令解码器220可以对从存储器控制器100接收的命令信号cmd进行解码。例如，命令解码器220可以对行地址选通信号(/ras)、列地址储存信号(/cas)、以及写入使能信号(/we)、时钟使能信号(/cke)等进行解码，使得命令解码器220可以产生并输出自动刷新信号aref和自刷新使能信号sref_en。

一旦从命令解码器220接收到自刷新使能信号sref_en，自刷新(s/r)计时器230就可以在从自刷新使能信号sref_en的接收时间开始经过预定时间之后激活自刷新信号sref。

响应于从add缓冲器210接收到的地址、从命令解码器220接收的自动刷新信号aref、从自刷新(s/r)计时器230接收的自刷新信号sref以及从存储器控制器100接收的刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c，刷新控制器240可以将行地址ax发送给行解码器250。如果刷新信号aref和sref未被激活，则刷新控制器240可以为行解码器250提供充当行地址ax的外部地址(eax)。在这种情况下，外部地址(eax)可以指从add缓冲器210接收的地址。另一方面，当自动刷新信号aref或自刷新信号sref被激活时，刷新控制器240可以产生用于刷新操作的内部地址(iax)，并且可以向行解码器250提供所产生的充当行地址(ax)的内部地址(iax)。

具体地，刷新控制器240可以根据刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c来控制针对这种刷新的地址(iax)(在下文中被称为刷新地址iax)以不同的刷新率输出到存储单元阵列260的相应储存区域。也就是说，刷新地址(iax)的不同刷新率可以根据刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c而被输出到存储单元阵列260的相应储存区域。

刷新控制器240可以包括刷新控制因子储存电路241、逻辑或元件242、低/高(l/h)控制器243、刷新计数器244l和244h、第一多路复用器245和第二多路复用器246。

刷新控制因子储存电路241可以从存储器控制器100接收刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c，并且可以将所接收的刷新阈值ilimit和所接收的刷新控制值ref_c储存在其中。刷新控制因子储存电路241可以包括寄存器。

逻辑或元件242可以执行自动刷新信号aref与自刷新信号sref之间的逻辑或运算，并且可以将逻辑或运算结果输出到l/h控制器243。如果自动刷新信号aref和自刷新信号sref中的任意一个被激活，则逻辑或元件242可以激活刷新信号ref，并且可以将被激活的刷新信号ref输出到l/h控制器243。

如果刷新信号ref被激活，则l/h控制器243可以根据刷新控制值ref_c来控制(或调整)第一刷新控制信号ref_l和第二刷新控制信号ref_h的输出比率。例如，如果刷新控制值ref_c被设置为“3”，则l/h控制器243可以使用1:3的输出比率来连续地产生第一刷新控制信号ref_l和第二刷新控制信号ref_h，并且可以将所产生的第一刷新控制信号ref_l和所产生的第二刷新控制信号ref_h(其间具有1:3的输出比率)分别输出到刷新计数器244l和244h。也就是说，在l/h控制器243将第一刷新控制信号ref_l输出到刷新计数器244l仅一次之后，l/h控制器243可以将第二刷新控制信号ref_h连续地输出到刷新计数器244h三次，可以再次将第一刷新控制信号ref_l输出到刷新计数器244l一次，然后可以将第二刷新控制信号ref_h连续地输出到刷新计数器244h三次。在刷新操作的运行期间，l/h控制器243可以重复地产生其间具有上述比率的第一刷新控制信号ref_l和第二刷新控制信号ref_h，然后可以将所产生的第一刷新控制信号ref_l和所产生的第二刷新控制信号ref_h分别输出到刷新计数器244l和244h。可选地，l/h控制器243可以连续地输出第一刷新控制信号ref_l，使得整个低可靠性数据存储区域仅被刷新一次，以及然后可以连续地输出第二刷新控制信号ref_h，使得整个高可靠性数据储存区域被连续地刷新三次。

在输出第一刷新控制信号ref_l和第二刷新控制信号ref_h的过程中，l/h控制器243可以输出刷新模式信号ref_md，其指示第一刷新控制信号ref_l和第二刷新控制中的哪一个被输出为当前刷新信号。例如，当第一刷新控制信号ref_l被输出时，l/h控制器243可以去激活刷新模式信号ref_md(即，刷新模式信号ref_md被设置为“0”)。当第二刷新控制信号ref_h被输出时，l/h控制器243可以激活刷新模式信号ref_md(即，刷新模式信号ref_md被设置为“1”)。

图2是示出l/h控制器243接收逻辑或元件242的输出信号作为输入的示例性情况的概念图。然而，l/h控制器243可以直接接收自动刷新信号aref和自刷新信号sref。如果自动刷新信号aref和自刷新信号sref中的至少一个被激活，则l/h控制器243可以根据刷新控制值ref_c来输出第一刷新控制信号ref_l和第二刷新控制信号ref_h。

刷新计数器244l可以根据从l/h控制器243接收的第一刷新控制信号ref_l和储存在刷新控制因子储存电路241中的刷新阈值ilimit来输出第一刷新地址(iax_l)。例如，刷新计数器244l可以输出与第一刷新控制信号ref_l相对应的第一刷新地址(iax_l)，使得地址值可以在从预定起始行地址(例如，存储单元阵列260的初始行地址)到与刷新阈值ilimit相对应的另一行地址的范围内顺序地增大。在这种情况下，其范围从存储单元阵列260的起始行地址到与刷新阈值ilimit相对应的另一行地址的储存区域可以被用作低可靠性数据储存区域。当第一刷新地址(iax_l)达到刷新阈值ilimit时，刷新计数器244l可以顺序地重新输出源自起始行地址的第一刷新地址(iax_l)。

刷新计数器244h可以根据从l/h控制器243接收的第二刷新控制信号ref_h和储存在刷新控制因子储存电路241中的刷新阈值ilimit来输出第二刷新地址(iax_h)。例如，刷新计数器244h可以输出与第二刷新控制信号ref_h相对应的第二刷新地址(iax_h)，使得地址值可以在从刷新阈值ilimit的后续地址(ilimit+1)到预定的最终行地址(例如，存储单元阵列260的最终行地址)的范围内顺序地增大。在这种情况下，来自存储单元阵列260之中的其范围从与刷新阈值ilimit相对应的行地址的后续地址(ilimit+1)到最终行地址的储存区域可以被用作高可靠性数据储存区域。当第二刷新地址(iax_h)达到最终行地址时，刷新计数器244h可以顺序地输出从与刷新阈值ilimit相对应的行地址的后续地址(ilimit+1)开始的第二刷新地址(iax_h)。

一旦从l/h控制器243接收到刷新模式信号ref_md，第一多路复用器245就可以输出第一刷新地址(iax_l)和第二刷新地址(iax_h)中的任意一个作为充当内部地址的刷新地址(iax)。例如，当刷新模式信号ref_md被去激活(即，刷新模式信号ref_md被设置为“0”)时，第一多路复用器245可以输出第一刷新地址(iax_l)作为刷新地址(iax)。相反，当刷新模式信号ref_md被激活(即，刷新模式信号ref_md被设置为“1”)时，第一多路复用器245可以输出第二刷新地址(iax_h)作为刷新地址(iax)。

响应于逻辑或元件242的输出信号，第二多路复用器246可以选择从地址(add)缓冲器210接收的外部地址(eax)和从第一多路复用器245接收的刷新地址(iax)中的任意一个作为行地址(ax)，并且可以将选中的地址(eax或iax)输出到行解码器250。即，在针对数据dq的输入/输出(i/o)操作的正常模式期间，第二多路复用器246可以将从地址缓冲器210接收的外部地址(eax)输出到行解码器250。在刷新模式期间，第二多路复用器246可以将从第一多路复用器245接收的刷新地址(iax)输出到行解码器250。

行解码器250可以对从第二多路复用器246接收的行地址ax进行解码，因此可以激活与行地址ax相对应的字线wl。

存储单元阵列260可以包括耦接到字线wl和位线bl的多个存储单元，使得存储单元在行方向和列方向上以矩阵来布置。从存储器控制器100接收的数据dq可以被储存在存储单元中。

图3是示出根据所公开技术的一个实施例的应用于车辆的图1中所示的电子系统1的示图。

参考图1，电子系统1可以位于车辆中(例如，车辆的控制台盒(consolebox)中)，并且可以耦接到图像感测设备2。

可以在电子系统1中预定义刷新阈值ilimit的初始值和刷新控制值ref_c的初始值。可以由使用外部接口设备(即，外部输入设备)的用户(例如，车辆驾驶员或系统机械师)来控制或调整刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c。

图像感测设备2可以捕获车辆的外围情况的图像，可以基于所捕获的图像来产生原始图像数据，并且可以将所产生的原始图像数据输出到电子系统1。图像感测设备2可以包括互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。虽然为了便于描述和更好地理解本公开，图3仅示例性地示出了一个图像感测设备，但本公开的范围或精神不限于此，并且多个图像感测设备可以被安装在车辆的适当位置处(例如，在车辆的前面位置、后面位置、左面位置和右面位置处)。

图4是示出根据所公开技术的实施例的用于执行电子系统1的数据储存和刷新操作的方法的流程图。图4示例性地示出了电子系统1被嵌入如图3中所示的车辆中的示例性情况。

参考图3和图4，电子系统1的主机10可以从图像感测设备2实时接收由图像感测设备2捕获的原始图像数据(步骤310)。

电子系统1的主机10可以将从图像感测设备2接收的原始图像数据顺序储存在存储系统20的存储器件200中。在这种情况下，主机10可以控制原始图像数据被储存在存储器件200的预定低可靠性数据储存区域中(步骤320)。

换句话说，主机10可以将从图像感测设备2接收的原始图像数据确定为低可靠性数据。主机10可以产生命令/地址(ca)，使得低可靠性数据应该被储存在存储器件200的预定低可靠性数据储存区域中，并且将低可靠性数据和命令/地址(ca)发送到存储系统20。

在这种情况下，假设存储器件200的整个储存区域的行地址被设置为地址“0至max(ax[0:n])”、由刷新阈值ilimit指定的行地址被设置为ilimit(ax[0:n])以及刷新控制值ref_c被设置为“3”，则与低地址0至ilimit(ax[0:n])相对应的储存区域可以被设置为低可靠性数据储存区域。

主机10将原始图像数据储存在存储系统20中并且从存储系统20读取所储存的原始图像数据，使得主机10可以使用预定算法(或特定程序或应用程序)来处理被读取的原始图像数据，并且可以将被处理的数据储存在存储系统20中。在这种情况下，主机10可以控制被处理的数据储存在存储器件200中预定义的高可靠性数据储存区域中(步骤330)。

换句话说，主机10可以将在由预定算法处理原始图像数据时获取的数据确定为高可靠性数据。主机10可以产生命令/地址(ca)，使得高可靠性数据应该被储存在存储器件200的预定高可靠性数据储存区域中，并且将高可靠性数据和命令/地址(ca)发送到存储系统20。

例如，主机10可以使用图像处理算法检测来自原始图像数据的对象，并且可以使用图像处理算法来执行对被检测到的对象的跟踪。主机10可以执行关于对象的各种操作。例如，主机10可以计算到对象的距离，并且还可以计算关于对象的相对速度。主机10可以将从上述图像处理获取的数据储存在存储器件200的高可靠性数据储存区域中。

在这种情况下，高可靠性数据储存区域可以是与来自存储器件200的整个储存区域的行地址之中的某些地址“ilimit(ax[0:n])+1至max(ax[0:n])”相对应的储存区域。

当在重复运行将原始图像数据和被处理的图像数据写入存储器件200中或从存储器件200读取原始图像数据和被处理的图像数据的操作中(如步骤320和330中所示)自动刷新信号aref或自刷新信号sref被激活(步骤340)时，存储器件200的刷新控制器240可以响应于储存在刷新控制因子储存电路241中的刷新阈值ilimit和刷新控制值ref_c来刷新低可靠性数据储存区域和高可靠性数据储存区域(步骤350)。

在这种情况下，刷新控制器240可以基于刷新阈值ilimit来在低可靠性数据储存区域和高可靠性数据储存区域之间进行区分，并且可以根据刷新控制值ref_c来允许针对低可靠性数据储存区域的刷新次数与针对高可靠性数据储存区域的刷新次数不同。

例如，当刷新控制值ref_c被设置为“3”以及然后被储存时，刷新控制器240可以基于1:3的刷新率来控制存储单元阵列260的整个储存区域中的与地址“0至ilimit(ax[0:n])”相对应的低可靠性数据储存区域和与地址“ilimit(ax[0:n])+1至max(ax[0:n])”相对应的高可靠性数据储存区域以不同方式来刷新。也就是说，在控制存储单元阵列260的刷新操作的过程中，每当低可靠性数据储存区域被刷新一次时，刷新控制器240可以允许高可靠性数据储存区域被刷新三次。

如果在步骤340中刷新信号没有被激活，则可以重复地实行在步骤310、320和330中公开的上面提到的操作。

如上所述，本公开的实施例可以基于规范来将存储器件刷新预定次数。在这种情况下，不需要高可靠性的数据可以被刷新相对较少的次数，而需要高可靠性的其他数据可以被刷新相对较多的次数，从而导致增大有效数据或重要数据的可靠性。

从以上描述显而易见的是，根据本公开的实施例的存储器件和用于刷新存储器件的方法可以用更高的可靠性来提供储存在存储器件中的数据。

本领域技术人员将会认识到，在不脱离本公开的精神和基本特性的情况下，可以以除了本文中所阐述的那些方式之外的其他特定方式来实施这些实施例。因此，上述实施例在所有方面都被解释为说明性而非限制性的。本公开的范围应该由所附权利要求及其合法等同物来确定，而不是由以上描述来确定。此外，在所附权利要求的含义和等同范围内出现的所有变化都旨在被包含在其中。另外，对于本领域技术人员来说显而易见的是，在所附权利要求中未明确彼此引用的权利要求可以作为另一实施例组合地呈现，或者在申请被提交之后通过随后的修改而被包括作为新的权利要求。

尽管已经描述了许多说明性实施例，但是应该理解，本领域技术人员可以设计出落入本公开原理的精神和范围内的许多其他修改和实施例。特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内的组成部件和/或布置中，多种变化和修改是可能。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员而言也是显而易见的。