1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
存储块，该存储块联接到多条字线；
外围电路，该外围电路被配置为对所述存储块的所选存储器单元执行感测操作，所述所选存储器单元联接到所述多条字线中的所选字线；
字线电压控制器，该字线电压控制器被配置为控制施加到所述所选字线的感测电压以对所述所选存储器单元执行所述感测操作，并且被配置为控制施加到联接到所述存储块的所述多条字线中的所述所选字线和未选字线的通过电压；以及
位线控制信号发生器，该位线控制信号发生器被配置为在所述通过电压被施加到所述所选字线和所述未选字线的同时，控制所述外围电路将沟道预充电电压施加到联接到所述所选存储器单元的各条位线。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述感测电压是读电压。
3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述感测电压是验证电压。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在执行所述感测操作之后，所述字线电压控制器控制所述外围电路将所述通过电压施加到所述所选字线，
其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述位线控制信号发生器控制所述外围电路将所述沟道预充电电压施加到所述位线。
5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述字线电压控制器控制所述外围电路维持施加到所述未选字线的所述通过电压。
6.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括联接到各条位线的多个页缓冲器，
其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括位线晶体管组件，该位线晶体管组件联接到各条所述位线和联接在用于感测数据的数据线之间的感测晶体管组件，
其中，包括在所述位线晶体管组件中的位线选择晶体管从所述感测操作开始的时间到所述沟道预充电电压施加到所述位线完成的时间维持导通状态。
7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述位线晶体管组件包括：
联接在第一节点与位线之间的所述位线选择晶体管，所述位线联接到所述多个页缓冲器中的每一个和第一节点；
联接在电源与所述第一节点之间的位线预充电晶体管；以及
联接在所述第一节点与地之间的位线放电晶体管，
其中，所述感测晶体管组件包括：
联接在所述电源与感测节点之间的感测节点预充电晶体管；
联接在所述感测节点与第二节点之间的感测传输晶体管；
联接在所述第一节点与所述第二节点之间的感测晶体管；
联接在所述电源与第三节点之间的数据传输晶体管；
联接在所述第二节点与所述第三节点之间的预充电传输晶体管；以及
联接在所述第三节点与所述感测节点之间的预充电晶体管。
8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当执行所述感测操作时，所述位线控制信号发生器控制所述外围电路使所述数据传输晶体管、所述预充电传输晶体管和所述预充电晶体管导通或截止。
9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述位线控制信号发生器生成使所述位线预充电晶体管导通的位线预充电信号。
10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述位线预充电晶体管是pmos晶体管，并且
其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述位线控制信号发生器生成低状态下的所述位线预充电信号并将处于所述低状态的所述位线预充电信号施加到所述位线预充电晶体管的栅极。
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，用于使所述感测晶体管导通的感测信号维持高状态。
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，所述位线控制信号发生器生成用于使所述感测传输晶体管导通的感测传输信号以及用于使所述感测节点预充电晶体管导通的感测节点预充电信号。
13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中，所述感测传输晶体管是nmos晶体管，并且所述感测节点预充电晶体管是pmos晶体管，
其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述位线控制信号发生器生成所述高状态下的所述感测传输信号，然后将处于所述高状态的所述感测传输信号施加到所述感测传输晶体管的栅极，并且
其中，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述位线控制信号发生器生成所述低状态下的所述感测节点预充电信号，然后将处于所述低状态的所述感测节点预充电信号施加到所述感测节点预充电晶体管的栅极。
14.一种用于操作包括联接到多条字线的存储块的存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
通过将感测电压施加到所述多条字线中的所选字线并将通过电压施加到未选字线来执行感测操作；以及
通过将所述通过电压施加到所述所选字线并将沟道预充电电压施加到联接到存储器单元的位线来执行沟道预充电操作，所述存储器单元联接到所述所选字线。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述感测电压是读电压或验证电压。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，贯穿所述沟道预充电操作的完整持续时间，维持所述通过电压施加到所述未选字线。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述存储器装置包括联接到各条位线的多个页缓冲器，
其中，所述多个页缓冲器中的每一个包括：
联接在第一节点与位线之间的位线选择晶体管，所述位线联接到所述多个页缓冲器中的每一个和第一节点；
联接在电源与所述第一节点之间的位线预充电晶体管；
联接在所述第一节点与地之间的位线放电晶体管；
联接在所述电源与感测节点之间的感测节点预充电晶体管；
联接在所述感测节点与第二节点之间的感测传输晶体管；
联接在所述第一节点与所述第二节点之间的感测晶体管；
联接在所述电源与第三节点之间的数据传输晶体管；
联接在所述第二节点与所述第三节点之间的预充电传输晶体管；以及
联接在所述第三节点与所述感测节点之间的预充电晶体管，
其中，在将所述通过电压施加到所述所选字线时，所述位线选择晶体管从所述感测操作开始的时间到所述沟道预充电电压施加到所述位线完成的时间维持导通状态。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，执行所述沟道预充电操作的步骤还包括以下步骤：生成使所述多个页缓冲器中的每一个中所包括的晶体管中的至少一个导通或截止的位线控制信号。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述位线预充电晶体管是pmos晶体管，
其中，在生成所述位线控制信号时，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，所述位线预充电信号在低状态下生成，然后在所述低状态下施加到所述位线预充电晶体管的栅极。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述感测传输晶体管是nmos晶体管，并且所述感测节点预充电晶体管是pmos晶体管，
其中，在生成所述位线控制信号时，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，感测传输信号在高状态下生成，然后在所述高状态下施加到所述感测传输晶体管的栅极，并且
其中，在生成所述位线控制信号时，在所述通过电压被施加到所述所选字线的同时，感测节点预充电信号在低状态下生成，然后在所述低状态下施加到所述感测节点预充电晶体管的栅极。