1.一种存储器系统，包括：
存储器装置，包括多个存储器单元；以及
存储器控制器，估计和使用读取电压，以将对应于指示第一读出数据的第一阈值电压分布的一个或多个存储器单元与对应于指示第二读出数据的第二阈值电压分布的一个或多个存储器单元区分开，所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布在对应于存储器单元的多个阈值电压分布之中彼此相邻，所述读取电压基于所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布的标准偏差和平均阈值电压以及分别对应于所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布的概率密度函数来估计，
其中所述存储器控制器基于与所述第一阈值电压分布中由第一目标读取电压区分的第一区段相对应的第一概率区域、与所述第一阈值电压分布中由第二目标读取电压区分的第二区段相对应的第二概率区域以及分别对应于所述第一概率区域和所述第二概率区域的反q函数值，计算所述第一阈值电压分布的标准偏差。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器根据分别基于所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压接收的第一读取数据和第二读取数据，计算所述第一概率区域和所述第二概率区域。
3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中所述存储器控制器通过将对应于所述多个阈值电压分布中的每个阈值电压分布的存储器单元的预设数量与所述第一读取数据和所述第二读取数据中包括的第一位值的数量进行比较，计算所述第一概率区域和所述第二概率区域。
4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压之间的差值以及分别对应于所述第一概率区域和所述第二概率区域的反q函数值之间的差值，计算所述第一阈值电压分布的标准偏差。
5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于与所述第一概率区域和所述第二概率区域中的任意一个相对应的反q函数以及所述第一阈值电压分布的标准偏差，计算所述第一阈值电压分布的平均阈值电压。
6.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压之间的差值等于或大于第一阈值。
7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一概率区域和所述第二概率区域之间的差值等于或大于第二阈值。
8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一概率区域和所述第二概率区域中的每个概率区域在预设阈值范围内。
9.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于与所述第二阈值电压分布中由第三目标读取电压区分的第三区段相对应的第三概率区域、与所述第二阈值电压分布中由第四目标读取电压区分的第四区段相对应的第四概率区域以及分别对应于所述第三概率区域和所述第四概率区域的反q函数值，计算所述第二阈值电压分布的标准偏差。
10.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于所述第一阈值电压分布的标准偏差和基于所述存储器单元的沟道特性而预设的标准偏差比，计算所述第二阈值电压分布的标准偏差。
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于所述第二阈值电压分布的标准偏差和对应于第三概率区域的反q函数值，计算所述第二阈值电压分布的平均阈值电压，其中所述第三概率区域与所述第二阈值电压分布中由第三目标读取电压区分的第三区段相对应。
12.根据权利要求10所述的存储器系统，其中所述沟道特性对应于编程/擦除周期和保持时间中的至少一个。
13.根据权利要求1所述的存储器系统，
其中所述存储器控制器基于所述第一阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第一阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第一权重、所述第二阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第二阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第二权重和偏移值，估计所述读取电压，并且
其中该第一权重、该第二权重和该偏移值基于所述存储器单元的沟道特性而预设。
14.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器基于使用所述概率密度函数的近似值来估计所述读取电压。
15.根据权利要求14所述的存储器系统，
其中所述近似值是基于所述第一阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第一阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第一权重、所述第二阈值电压分布的平均阈值电压以及与所述第二阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第二权重而获得，并且
其中该第一权重和该第二权重基于所述存储器单元的沟道特性而预设。
16.根据权利要求15所述的存储器系统，其中所述近似值与基于所述存储器单元的沟道特性而预设的偏移值相关联。
17.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述阈值电压分布具有高斯分布特性或接近高斯分布的分布特性。
18.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述存储器控制器使用所估计的读取电压对存储器单元执行读取操作。
19.一种操作存储器系统的方法，包括：
计算第一阈值电压分布和第二阈值电压分布的标准偏差和平均阈值电压，所述第一阈值电压分布对应于存储第一读出数据的存储器单元，所述第二阈值电压分布对应于存储第二读出数据的存储器单元，所述第一读出数据和所述第二读出数据的存储器单元的数量被表示为所述阈值电压的函数以获得所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布，所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布在对应于多个存储器单元的多个阈值电压分布之中彼此相邻；以及
基于分别与所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布相对应的概率密度函数来估计所述第一阈值电压分布和所述第二阈值电压分布之间的读取电压，
其中计算所述第一阈值电压分布的标准偏差包括：基于与所述第一阈值电压分布中由第一目标读取电压区分的第一区段相对应的第一概率区域、与所述第一阈值电压分布中由第二目标读取电压区分的第二区段相对应的第二概率区域以及分别对应于所述第一概率区域和所述第二概率区域的反q函数值，计算所述第一阈值电压分布的标准偏差。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：根据分别基于所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压接收的第一读取数据和第二读取数据，计算所述第一概率区域和所述第二概率区域。
21.根据权利要求20所述的方法，其中计算所述第一概率区域和所述第二概率区域包括：通过将对应于所述多个阈值电压分布中的每个阈值电压分布的存储器单元的预设数量与所述第一读取数据和所述第二读取数据中包括的第一位值的数量进行比较，计算所述第一概率区域和所述第二概率区域。
22.根据权利要求19所述的方法，其中计算所述第一阈值电压分布的标准偏差包括：基于所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压之间的差值以及分别对应于所述第一概率区域和所述第二概率区域的反q函数值之间的差值，计算所述第一阈值电压分布的标准偏差。
23.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：基于与所述第一概率区域和所述第二概率区域中的任意一个相对应的反q函数以及所述第一阈值电压分布的标准偏差，计算所述第一阈值电压分布的平均阈值电压。
24.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压之间的差值等于或大于第一阈值。
25.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一概率区域和所述第二概率区域之间的差值等于或大于第二阈值。
26.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：确定所述第一目标读取电压和所述第二目标读取电压，使得所述第一概率区域和所述第二概率区域中的每个概率区域在预设阈值范围内。
27.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：基于与所述第二阈值电压分布中由第三目标读取电压区分的第三区段相对应的第三概率区域、与所述第二阈值电压分布中由第四目标读取电压区分的第四区段相对应的第四概率区域以及分别对应于所述第三概率区域和所述第四概率区域的反q函数值，计算所述第二阈值电压分布的标准偏差。
28.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：基于所述第一阈值电压分布的标准偏差和基于存储器单元的沟道特性而预设的标准偏差比，计算所述第二阈值电压分布的标准偏差。
29.根据权利要求28所述的方法，进一步地包括：基于所述第二阈值电压分布的标准偏差和对应于第三概率区域的反q函数值，计算所述第二阈值电压分布的平均阈值电压，其中所述第三概率区域与所述第二阈值电压分布中由第三目标读取电压区分的第三区段相对应。
30.根据权利要求28所述的方法，其中所述沟道特性对应于编程/擦除周期和保持时间中的至少一个。
31.根据权利要求19所述的方法，其中估计所述读取电压包括：使用所述概率密度函数之间的等式的解来估计所述读取电压。
32.根据权利要求31所述的方法，
其中所述等式的解表示为所述第一阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第一阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第一权重、所述第二阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第二阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第二权重和偏移值，并且
其中该第一权重、该第二权重和该偏移值基于存储器单元的沟道特性而预设。
33.根据权利要求19所述的方法，其中估计所述读取电压包括：使用近似表达式的解来估计所述读取电压，所述近似表达式通过对所述概率密度函数之间的等式进行近似而获得。
34.根据权利要求33所述的方法，
其中所述近似表达式的解表示为所述第一阈值电压分布的平均阈值电压、与所述第一阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第一权重、所述第二阈值电压分布的平均阈值电压以及与所述第二阈值电压分布的平均阈值电压相对应的第二权重，并且
其中该第一权重和该第二权重基于存储器单元的沟道特性而预设。
35.根据权利要求34所述的方法，其中所述近似表达式的解进一步包括基于存储器单元的沟道特性而预设的偏移值。
36.根据权利要求19所述的方法，其中所述阈值电压分布具有高斯分布特性或接近高斯分布的分布特性。
37.根据权利要求19所述的方法，进一步地包括：使用所估计的读取电压对存储器单元执行读取操作。