一种存储芯片的性能检测方法和系统与流程

本发明涉及存储芯片检测技术领域，特别涉及一种存储芯片的性能检测方法和系统。

背景技术：

目前，存储芯片技术主要集中于企业级存储系统的应用，为访问性能、存储协议、管理平台、存储介质，以及多种应用提供高质量的支持。随着数据的快速增长，数据对业务重要性的日益提升，数据存储市场快速演变。从das、nas、san到虚拟数据中心、云计算，无不给传统的存储设计能力提出极大挑战。为了实现存储芯片的合理使用，因此，亟需一种全方面检测存储芯片性能的检测方法，对存储芯片的性能有全方位掌握。

技术实现要素：

本发明目的之一在于提供了一种存储芯片的性能检测方法，根据存储芯片的标识信息采用针对的检测方案，实现全方位的性能检测。

本发明实施例提供的一种存储芯片的性能检测方法，包括：

步骤s1：获取存储芯片的标识信息；

步骤s2：基于标识信息确定检测方案；

步骤s3：基于检测方案对存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；

其中，标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间其中一种或多种结合。

优选的，步骤s2：基于标识信息确定检测方案；包括：

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

检测方案包括以存储芯片的最大存储速度向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

基于存储速度，确定存储芯片的存储频率；

基于存储频率，确定向存储芯片输入数据的多个检测频率；

检测方案包括分别以检测频率向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；通过确定与存储芯片连接的存储介质的写入频率，检测存储芯片的存储性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的容量；

检测方案包括基于存储芯片一次存满后释放到与存储芯片连接的存储介质中的数据容量，基于数据容量与容量的比值确定存储芯片的容量性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的响应时间；

基于响应时间，查询预设的响应时间与第一频率曲线的对照表确定第一频率曲线函数；

检测方案包括以第一频率曲线函数确定的输入频率向存储芯片输入数据，通过确定与存储新平连接的存储介质的写入频率的第二频率曲线，基于第一频率曲线与第二频率曲线的相位差确定存储芯片的实测响应时间，基于实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值检测存储芯片的响应性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与加压测试方案对照表，确定加压测试方案；加压测试方案包括：加压时间、加压压力和加压温度中一种或多种结合；

检测方案包括基于加压测试方案，检测存储芯片的耐压性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与震动测试方案对照表，确定震动测试方案；震动测试方案包括：震动时间、震动频率和震动幅度中一种或多种结合；

检测方案包括基于震动测试方案，检测存储芯片的抗震性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与环境模拟测试方案对照表，确定环境测试方案；环境测试方案包括：测试时间、测试温度曲线、温度循环次数一种或多种结合；

检测方案包括基于环境测试方案，检测存储芯片的环境耐受性能。

优选的，步骤s3：基于检测方案对存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；包括：

解析温度曲线，确定温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间；

将温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间作为性能检测报告的散热报告项；

和/或，

将检测频率于写入频率关联作为性能检测报告中的存储芯片的存储性能报告项；

和/或，

将数据容量与容量的比值作为性能检测报告中的存储芯片的容量性能报告项；

和/或，

将实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值作为性能检测报告中的存储芯片的响应性能报告项；

和/或，

在对存储芯片加压时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与加压压力、加压温度、加压时间进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一耐压性能报告项；

将存储芯片经过加压测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二耐压性能报告项；

和/或，

在对存储芯片施加振动时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与震动时间、震动频率、震动幅度进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一抗震性能报告项；

将存储芯片经过震动测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二抗震性能报告项；

和/或，

在对存储芯片进行环境模拟测试时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与测试时间、温度值、温度循环次数进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一环境耐受性能报告项；

将存储芯片经过环境模拟测试后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二环境耐受性能报告项。

优选的，存储芯片的性能检测方法，还包括：

步骤s4：基于性能检测报告，建立检测模型；实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，代入检测模型，确定存储芯片发生异常的概率值。

优选的，步骤s4：基于性能检测报告，建立检测模型；实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，代入检测模型，确定存储芯片发生异常的概率值，包括：

根据性能检测报告内的不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻建立判断条件数据库，基于不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻相对应的发生异常的概率值为判断结果建立判断结果数据库，判断条件与判断结果一一对应；

根据判断条件数据库内不同的判断条件中不同的参数值建立判断条件矩阵，判断条件矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件中的第个参数值；

根据判断结构数据库中不同的判断结果构建判断结果矩阵，判断结果矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件对应的判断结果；

实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，构建预测向量，预测向量为：

;

其中，为预测向量的第个元素；

计算预测向量与判断条件矩阵中每条判断条件的相似度，计算公式如下：

;

其中，为预测向量与判断条件中第条判断条件的相似度；为预测向量的第个元素值；为第条判断条件的第个参数值；

获取相似度最大的判断条件对应的判断矩阵内的判断结果并输出。

本发明还提供一种存储芯片的性能检测系统，包括：

标识获取模块，用于获取存储芯片的标识信息；

检测方案确定模块，用于基于标识信息确定检测方案；

性能检测报告输出模块，用于基于检测方案对存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；

其中，标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间其中一种或多种结合。

优选的，检测方案确定模块执行如下操作：

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

检测方案包括以存储芯片的最大存储速度向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

基于存储速度，确定存储芯片的存储频率；

基于存储频率，确定向存储芯片输入数据的多个检测频率；

检测方案包括分别以检测频率向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；通过确定与存储芯片连接的存储介质的写入频率，检测存储芯片的存储性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的容量；

检测方案包括基于存储芯片一次存满后释放到与存储芯片连接的存储介质中的数据容量，基于数据容量与容量的比值确定存储芯片的容量性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的响应时间；

基于响应时间，查询预设的响应时间与第一频率曲线的对照表确定第一频率曲线函数；

检测方案包括以第一频率曲线函数确定的输入频率向存储芯片输入数据，通过确定与存储新平连接的存储介质的写入频率的第二频率曲线，基于第一频率曲线与第二频率曲线的相位差确定存储芯片的实测响应时间，基于实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值检测存储芯片的响应性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与加压测试方案对照表，确定加压测试方案；加压测试方案包括：加压时间、加压压力和加压温度中一种或多种结合；

检测方案包括基于加压测试方案，检测存储芯片的耐压性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与震动测试方案对照表，确定震动测试方案；震动测试方案包括：震动时间、震动频率和震动幅度中一种或多种结合；

检测方案包括基于震动测试方案，检测存储芯片的抗震性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与环境模拟测试方案对照表，确定环境测试方案；环境测试方案包括：测试时间、测试温度曲线、温度循环次数一种或多种结合；

检测方案包括基于环境测试方案，检测存储芯片的环境耐受性能。

优选的，性能检测报告输出模块执行如下操作：

解析温度曲线，确定温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间；

将温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间作为性能检测报告的散热报告项；

和/或，

将检测频率于写入频率关联作为性能检测报告中的存储芯片的存储性能报告项；

和/或，

将数据容量与容量的比值作为性能检测报告中的存储芯片的容量性能报告项；

和/或，

将实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值作为性能检测报告中的存储芯片的响应性能报告项；

和/或，

在对存储芯片加压时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与加压压力、加压温度、加压时间进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一耐压性能报告项；

将存储芯片经过加压测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二耐压性能报告项；

和/或，

在对存储芯片施加振动时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与震动时间、震动频率、震动幅度进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一抗震性能报告项；

将存储芯片经过震动测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二抗震性能报告项；

和/或，

在对存储芯片进行环境模拟测试时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与测试时间、温度值、温度循环次数进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一环境耐受性能报告项；

将存储芯片经过环境模拟测试后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二环境耐受性能报告项。

优选的，存储芯片的性能检测系统，还包括：

实时监测模块，用于基于性能检测报告，建立检测模型；实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，代入检测模型，确定存储芯片发生异常的概率值。

优选的，实时监测模块执行如下操作：

根据性能检测报告内的不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻建立判断条件数据库，基于不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻相对应的发生异常的概率值为判断结果建立判断结果数据库，判断条件与判断结果一一对应；

根据判断条件数据库内不同的判断条件中不同的参数值建立判断条件矩阵，判断条件矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件中的第个参数值；

根据判断结构数据库中不同的判断结果构建判断结果矩阵，判断结果矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件对应的判断结果；

实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，构建预测向量，预测向量为：

;

其中，为预测向量的第个元素；

计算预测向量与判断条件矩阵中每条判断条件的相似度，计算公式如下：

;

其中，为预测向量与判断条件中第条判断条件的相似度；为预测向量的第个元素值；为第条判断条件的第个参数值；

获取相似度最大的判断条件对应的判断矩阵内的判断结果并输出。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1为本发明实施例中一种存储芯片的性能检测方法的示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种存储芯片的性能检测方法，如图1所示，包括：

步骤s1：获取存储芯片的标识信息；

步骤s2：基于标识信息确定检测方案；

步骤s3：基于检测方案对存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；

其中，标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间其中一种或多种结合。

上述方案的工作原理及有益效果为：

在检测前获取存储芯片的标识信息，标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间等；标识信息为需要进行性能检测的对象，根据对象调取事先存储的检测方案进行检测，根据检测的结果，以事先模板支撑性能检测报告输出。

本发明的存储芯片的性能检测方法，根据存储芯片的标识信息采用针对的检测方案，实现全方位的性能检测。

在一个实时例中，步骤s2：基于标识信息确定检测方案；包括：

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

检测方案包括以存储芯片的最大存储速度向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

基于存储速度，确定存储芯片的存储频率；

基于存储频率，确定向存储芯片输入数据的多个检测频率；

检测方案包括分别以检测频率向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；通过确定与存储芯片连接的存储介质的写入频率，检测存储芯片的存储性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的容量；

检测方案包括基于存储芯片一次存满后释放到与存储芯片连接的存储介质中的数据容量，基于数据容量与容量的比值确定存储芯片的容量性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的响应时间；

基于响应时间，查询预设的响应时间与第一频率曲线的对照表确定第一频率曲线函数；

检测方案包括以第一频率曲线函数确定的输入频率向存储芯片输入数据，通过确定与存储新平连接的存储介质的写入频率的第二频率曲线，基于第一频率曲线与第二频率曲线的相位差确定存储芯片的实测响应时间，基于实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值检测存储芯片的响应性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与加压测试方案对照表，确定加压测试方案；加压测试方案包括：加压时间、加压压力和加压温度中一种或多种结合；

检测方案包括基于加压测试方案，检测存储芯片的耐压性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与震动测试方案对照表，确定震动测试方案；震动测试方案包括：震动时间、震动频率和震动幅度中一种或多种结合；

检测方案包括基于震动测试方案，检测存储芯片的抗震性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与环境模拟测试方案对照表，确定环境测试方案；环境测试方案包括：测试时间、测试温度曲线、温度循环次数一种或多种结合；

检测方案包括基于环境测试方案，检测存储芯片的环境耐受性能。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

检测方法主要有以下几种：一、以贴附在存储芯片表面的传感器检测的温度曲线，记录存储芯片满载运行下的发热情况；二、以存储芯片的接收频率和输出频率的差异检测存储性能；三、以标识中的数据容量和实际数据容量的差异检测容量性能；四、以标识中的响应时间与实测响应时间的差异检测响应性能；五、通过加压测试方案测试耐压性能；六、通过抗震测试进行抗震性能测试；七、通过环境模拟测试进行环境耐受性能测试，进行使用寿命评估；从七个方面对存储芯片从结构及使用方面进行全面评估；为用户的使用提供数据检验基础。

在一个实施例中，步骤s3：基于检测方案对存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；包括：

解析温度曲线，确定温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间；

将温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间作为性能检测报告的散热报告项；

和/或，

将检测频率于写入频率关联作为性能检测报告中的存储芯片的存储性能报告项；

和/或，

将数据容量与容量的比值作为性能检测报告中的存储芯片的容量性能报告项；

和/或，

将实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值作为性能检测报告中的存储芯片的响应性能报告项；

和/或，

在对存储芯片加压时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与加压压力、加压温度、加压时间进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一耐压性能报告项；

将存储芯片经过加压测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二耐压性能报告项；

和/或，

在对存储芯片施加振动时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与震动时间、震动频率、震动幅度进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一抗震性能报告项；

将存储芯片经过震动测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二抗震性能报告项；

和/或，

在对存储芯片进行环境模拟测试时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与测试时间、温度值、温度循环次数进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一环境耐受性能报告项；

将存储芯片经过环境模拟测试后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二环境耐受性能报告项。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

性能检测报告包括：散热报告项、存储性能报告项、容量性能报告项、响应性能报告项、第一耐压性能报告项、第二耐压性能报告项、第一抗震性能报告项、第二抗震性能报告项、第一环境耐受性能报告项、第二环境耐受性能报告项；基于性能检测报告的众多报告项对存储芯片从结构及使用方面的全面评估进行记录；为用户的使用提供数据检验基础。

在一个实施例中，存储芯片的性能检测方法，还包括：

步骤s4：基于性能检测报告，建立检测模型；实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，代入检测模型，确定存储芯片发生异常的概率值。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

通过检测时产生的大量数据建立模型，用于存储芯片实际使用时的异常预测，使用户能及时发现异常的存储芯片，及时做好应对措施，降低用户因存储芯片异常而带来的间接性损失。

优选的，步骤s4：基于性能检测报告，建立检测模型；实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，代入检测模型，确定存储芯片发生异常的概率值，包括：

根据性能检测报告内的不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻建立判断条件数据库，基于不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻相对应的发生异常的概率值为判断结果建立判断结果数据库，判断条件与判断结果一一对应；

根据判断条件数据库内不同的判断条件中不同的参数值建立判断条件矩阵，判断条件矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件中的第个参数值；

根据判断结构数据库中不同的判断结果构建判断结果矩阵，判断结果矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件对应的判断结果；

实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，构建预测向量，预测向量为：

;

其中，为预测向量的第个元素；

计算预测向量与判断条件矩阵中每条判断条件的相似度，计算公式如下：

;

其中，为预测向量与判断条件中第条判断条件的相似度；为预测向量的第个元素值；为第条判断条件的第个参数值；

获取相似度最大的判断条件对应的判断矩阵内的判断结果并输出。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

根据性能检测报告内的不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻建立判断条件数据库，基于不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻相对应的发生异常的概率值为判断结果建立判断结果数据库；判断条件数据库与判断结果数据库构成检测模型；用于存储芯片实际使用时的异常预测，使用户能及时发现异常的存储芯片，及时做好应对措施，降低用户因存储芯片异常而带来的间接性损失。

本发明还提供一种存储芯片的性能检测系统，包括：

标识获取模块，用于获取存储芯片的标识信息；

检测方案确定模块，用于基于标识信息确定检测方案；

性能检测报告输出模块，用于基于检测方案对存储芯片进行性能检测，输出性能检测报告；

其中，标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间其中一种或多种结合。

上述方案的工作原理及有益效果为：

在检测前获取存储芯片的标识信息，标识信息包括：材质、型号、容量、存储速度、工作温度、响应时间等；标识信息为需要进行性能检测的对象，根据对象调取事先存储的检测方案进行检测，根据检测的结果，以事先模板支撑性能检测报告输出。

本发明的存储芯片的性能检测系统，根据存储芯片的标识信息采用针对的检测方案，实现全方位的性能检测。

在一个实施例中，检测方案确定模块执行如下操作：

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

检测方案包括以存储芯片的最大存储速度向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的存储速度；

基于存储速度，确定存储芯片的存储频率；

基于存储频率，确定向存储芯片输入数据的多个检测频率；

检测方案包括分别以检测频率向存储芯片输入数据，通过贴附在存储芯片表面的温度传感器检测存储芯片的温度曲线；通过确定与存储芯片连接的存储介质的写入频率，检测存储芯片的存储性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的容量；

检测方案包括基于存储芯片一次存满后释放到与存储芯片连接的存储介质中的数据容量，基于数据容量与容量的比值确定存储芯片的容量性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的响应时间；

基于响应时间，查询预设的响应时间与第一频率曲线的对照表确定第一频率曲线函数；

检测方案包括以第一频率曲线函数确定的输入频率向存储芯片输入数据，通过确定与存储新平连接的存储介质的写入频率的第二频率曲线，基于第一频率曲线与第二频率曲线的相位差确定存储芯片的实测响应时间，基于实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值检测存储芯片的响应性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与加压测试方案对照表，确定加压测试方案；加压测试方案包括：加压时间、加压压力和加压温度中一种或多种结合；

检测方案包括基于加压测试方案，检测存储芯片的耐压性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与震动测试方案对照表，确定震动测试方案；震动测试方案包括：震动时间、震动频率和震动幅度中一种或多种结合；

检测方案包括基于震动测试方案，检测存储芯片的抗震性能；

和/或，

解析标识信息，获取存储芯片的材质和/或型号；

基于材质和/或型号，查询预设的材质和/或型号与环境模拟测试方案对照表，确定环境测试方案；环境测试方案包括：测试时间、测试温度曲线、温度循环次数一种或多种结合；

检测方案包括基于环境测试方案，检测存储芯片的环境耐受性能。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

检测方法主要有以下几种：一、以贴附在存储芯片表面的传感器检测的温度曲线，记录存储芯片满载运行下的发热情况；二、以存储芯片的接收频率和输出频率的差异检测存储性能；三、以标识中的数据容量和实际数据容量的差异检测容量性能；四、以标识中的响应时间与实测响应时间的差异检测响应性能；五、通过加压测试方案测试耐压性能；六、通过抗震测试进行抗震性能测试；七、通过环境模拟测试进行环境耐受性能测试，进行使用寿命评估；从七个方面对存储芯片从结构及使用方面进行全面评估；为用户的使用提供数据检验基础。

在一个实施例中，性能检测报告输出模块执行如下操作：

解析温度曲线，确定温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间；

将温度上升斜率、最大温度值、达到最大温度值的时间作为性能检测报告的散热报告项；

和/或，

将检测频率于写入频率关联作为性能检测报告中的存储芯片的存储性能报告项；

和/或，

将数据容量与容量的比值作为性能检测报告中的存储芯片的容量性能报告项；

和/或，

将实测响应时间与标识信息中的响应时间的比值作为性能检测报告中的存储芯片的响应性能报告项；

和/或，

在对存储芯片加压时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与加压压力、加压温度、加压时间进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一耐压性能报告项；

将存储芯片经过加压测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二耐压性能报告项；

和/或，

在对存储芯片施加振动时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与震动时间、震动频率、震动幅度进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一抗震性能报告项；

将存储芯片经过震动测试方案后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二抗震性能报告项；

和/或，

在对存储芯片进行环境模拟测试时，检测存储芯片的当前存储速度；将存储速度与测试时间、温度值、温度循环次数进行关联作为性能检测报告中的存储芯片的第一环境耐受性能报告项；

将存储芯片经过环境模拟测试后的损毁率作为性能检测报告中的存储芯片的第二环境耐受性能报告项。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

性能检测报告包括：散热报告项、存储性能报告项、容量性能报告项、响应性能报告项、第一耐压性能报告项、第二耐压性能报告项、第一抗震性能报告项、第二抗震性能报告项、第一环境耐受性能报告项、第二环境耐受性能报告项；基于性能检测报告的众多报告项对存储芯片从结构及使用方面的全面评估进行记录；为用户的使用提供数据检验基础。

在一个实施例中，存储芯片的性能检测系统，还包括：

实时监测模块，用于基于性能检测报告，建立检测模型；实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，代入检测模型，确定存储芯片发生异常的概率值。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

通过检测时产生的大量数据建立模型，用于存储芯片实际使用时的异常预测，使用户能及时发现异常的存储芯片，及时做好应对措施，降低用户因存储芯片异常而带来的间接性损失。

在一个实施例中，实时监测模块执行如下操作：

根据性能检测报告内的不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻建立判断条件数据库，基于不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻相对应的发生异常的概率值为判断结果建立判断结果数据库，判断条件与判断结果一一对应；

根据判断条件数据库内不同的判断条件中不同的参数值建立判断条件矩阵，判断条件矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件中的第个参数值；

根据判断结构数据库中不同的判断结果构建判断结果矩阵，判断结果矩阵如下：

；

其中，为第个判断条件对应的判断结果；

实时采集存储芯片运行时的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻，构建预测向量，预测向量为：

;

其中，为预测向量的第个元素；

计算预测向量与判断条件矩阵中每条判断条件的相似度，计算公式如下：

;

其中，为预测向量与判断条件中第条判断条件的相似度；为预测向量的第个元素值；为第条判断条件的第个参数值；

获取相似度最大的判断条件对应的判断矩阵内的判断结果并输出。

上述技术方案的工作原理及有益效果为：

根据性能检测报告内的不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻建立判断条件数据库，基于不同的存储速度、工作时的温度、响应时间、剩余容量、电压、电流、内阻相对应的发生异常的概率值为判断结果建立判断结果数据库；判断条件数据库与判断结果数据库构成检测模型；用于存储芯片实际使用时的异常预测，使用户能及时发现异常的存储芯片，及时做好应对措施，降低用户因存储芯片异常而带来的间接性损失。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。