高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器的制作方法

1.本实用新型涉及nor flash技术领域，尤其涉及的是一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器。


背景技术：

2.如图1所示，常见nor flash存储单元阵列中，一条位线上同时连接有多个存储单元，而同一条位线上有可能因为存在过擦除单元导致相邻地址的存储单元（指与过擦除单元位于同一条位线上的存储单元）内的数据读错，降低了nor flash的存储单元可靠性，尤其是对非常重要的非易失状态寄存器而言，常见的nor flash存储单元阵列不能满足其高可靠性的要求。
3.因此，现有技术还有待改进。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，旨在解决现有的nor flash存储单元阵列因过擦除的原因导致不能满足高可靠性要求定位问题。
5.本实用新型的技术方案如下：一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。
6.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，所述字线和位线数量一样多；或者字线数量比位线数量多；或者字线数量比位线数量少。
7.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。
8.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。
9.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元，全部与对应位线相连的存储单元位于同一条对角线上。
10.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线和位线数量一致时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上，与最后一条位线相连接的存储单元位于第一条字线上。
11.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当字线数量比位线数量多时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上。
12.所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，其中，当位线数量比字线数量多时，与对应位线相连接的不同存储单元位于同一条字线上或者位于不同的字线上。
13.一种非易失存储器，其中，包括如上述任一所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列。
14.本实用新型的有益效果：本实用新型通过提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费nor flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的nor flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
附图说明
15.图1是现有技术中nor flash存储单元阵列的示意图。
16.图2是本实用新型中高可靠的非易失存储器的存储单元阵列的示意图。
17.图3是本实用新型中实施例1的示意图。
18.图4是本实用新型中实施例2的示意图。
19.图5是本实用新型中实施例3的示意图。
20.图6是本实用新型中实施例4的示意图。
21.图7是本实用新型中实施例5的示意图。
22.图8是本实用新型中实施例6的示意图。
具体实施方式
23.下面详细描述本实用新型的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
24.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
25.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
26.在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
27.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
28.如图1所示，一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列，包括若干条位线和若干条字线，所述字线和位线按照井字形排列分布连接，在每一条字线和每一条位线的相交处设置有一个存储单元，每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接。
29.本技术方案中，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费nor flash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的nor flash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元阵列的可靠性。
30.在某些具体实施例中，所述字线和位线的数量可以按照实际需要设置，如字线和位线数量一样多，或者字线数量比位线数量多，或者字线数量比位线数量少。
31.其中，每一个与对应位线相连的存储单元在字线上的排列可以根据实际需要而设定，只要保证每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接即可：
32.实施例1
33.如图3所示，在某些具体实施例中，所有的与对应位线相连的存储单元位于同一条字线上。
34.实施例2
35.如图4所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元。
36.实施例3
37.如图5所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，每条字线上设有一个与对应位线相连的存储单元，全部与对应位线相连的存储单元位于同一条对角线上。
38.实施例4
39.如图6所示，在某些具体实施例中，当字线和位线数量一致时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上，与最后一条位线相连接的存储单元位于第一条字线上。
40.实施例5
41.如图7所示，在某些具体实施例中，当字线数量比位线数量多时，某一个存储单元与第n条位线相连接，该存储单元位于第n+1条字线上。
42.实施例6
43.如图8所示，在某些具体实施例中，当位线数量比字线数量多时，与对应位线相连接的不同存储单元位于同一条字线上或者位于不同的字线上。
44.本技术方案还保护一种非易失存储器，包括如上述所述的高可靠的非易失存储器的存储单元阵列。
45.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
46.应当理解的是，本实用新型的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。