技术特征：
1.一种存储装置，包括：存储数据的数据存储器单元组；存储多个参照电位的参照存储器单元组；标准电位生成部，通过从存储在所述参照存储器单元组中的所述多个参照电位中选择预定数量的参照电位来生成标准电位；参照电位选择控制部，根据预定条件控制所述标准电位生成部中的选择；和感测放大器，用设定为标准的所述标准电位对从所述数据存储器单元组读出的数据进行放大。2.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述参照存储器单元组存储第一电位和第二电位中的任意电位作为所述多个参照电位，以及所述标准电位生成部以预定的占比选择所述第一电位和第二电位作为所述预定数量的参照电位，并且生成所述第一电位与所述第二电位之间的电位作为所述标准电位。3.根据权利要求2所述的存储装置，其中所述标准电位生成部通过使以所述预定的占比选择的所述第一电位与所述第二电位在信号线上短路来生成所述标准电位。4.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述参照电位选择控制部包括用于测量周围环境的物理量的传感器，并根据作为所述预定条件的物理量的条件来控制所述标准电位生成部中的选择。5.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述传感器测量温度、电压和磁力中的至少一个作为所述物理量。6.根据权利要求4所述的存储装置，其中所述参照电位选择控制部根据对于所述存储装置中的每个区域不同的物理量的条件来控制所述标准电位生成部中的选择。7.根据权利要求4所述的存储装置，还包括：命令控制部，接收给出访问所述数据存储器单元组的指令的命令，其中所述参照电位选择控制部在命令的执行过程中进行控制以抑制所述标准电位的改变。8.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述参照电位选择控制部包括错误检测部，所述错误检测部检测从所述数据存储器单元组读出的数据中的错误，并且根据作为所述预定条件的错误检测条件来控制所述标准电位生成部中的选择。9.根据权利要求8所述的存储装置，其中所述参照存储器单元组存储所述第一电位和第二电位中的任意电位作为所述多个参照电位，以及所述标准电位生成部以预定的占比选择所述第一电位和第二电位作为所述预定数量的参照电位，并且生成所述第一电位与所述第二电位之间的电位作为所述标准电位，以及所述参照电位选择控制部在检测出错误时依次改变所述第一电位和第二电位的占比。10.根据权利要求9所述的存储装置，其中所述参照电位选择控制部还包括计数器，所述计数器切换所述第一电位和所述第二电
位的占比的组合，并且所述参照电位选择控制部使所述计数器进行切换以改变所述第一电位与所述第二电位的占比直到检测不到错误。11.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述参照存储器单元组包括电阻变化型存储器单元作为存储元件。
技术总结
在本发明中，依据存储装置的状态灵活地设定用于读出的标准电位。数据存储器单元组存储数据。参照存储器单元组存储多个参照电位。标准电位生成部从存储在参照存储器单元组中的多个参照电位中选择预定数量的参照电位，并且生成标准电位。参照电位选择控制部依据预定条件控制标准电位生成部的选择。感测放大器使用作为标准的标准电位来放大从数据存储器单元组读出的数据。组读出的数据。组读出的数据。
技术研发人员：手塚宙之 黑田真实
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2020.09.29
技术公布日：2022/7/29