技术特征：
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储器单元；外围电路，该外围电路包括通过位线连接到所述多个存储器单元当中的所选存储器单元的页缓冲器，并且该外围电路对所述所选存储器单元执行感测操作；以及控制逻辑，该控制逻辑控制所述外围电路对连接到所述存储器单元阵列的多条线当中的源极线进行预充电，并且在所述感测操作期间基于所述页缓冲器中的感测节点被充电的程度来执行所述感测操作。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述页缓冲器包括连接到所述感测节点以对所述感测节点进行放电的感测节点充电控制器。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述感测节点充电控制器在从外部接收到感测命令之后在与所述感测命令对应的所述感测操作之前对所述感测节点进行放电。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，当在所述感测节点被放电之后开始所述感测操作时，所述感测节点充电控制器与所述感测节点断开。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述感测节点从接地电压连续地充电。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当所述所选存储器单元的阈值电压低于感测电压时，与所述所选存储器单元的所述阈值电压高于所述感测电压时相比，所述感测节点被充电更多。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，当所述感测节点被充电的程度等于或大于基准值时，所述所选存储器单元处于擦除状态，并且当所述感测节点被充电的程度小于所述基准值时，所述所选存储器单元处于编程状态。8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述感测节点充电控制器由nmos晶体管或pmos晶体管配置。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑在所述感测操作之前控制所述页缓冲器形成从所述源极线到所述位线的电流路径。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路生成与包括在所述页缓冲器中的多个晶体管当中的连接到所述位线的第一晶体管的阈值电压相等的电压信号以使所述第一晶体管导通。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，所述控制逻辑在所述第一晶体管导通之后控制所述外围电路生成高于所述第一晶体管的所述阈值电压的电压信号。12.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：对连接到存储器单元阵列的多条线当中的源极线进行预充电；将感测电压施加到所述多条线当中的连接到包括在所述存储器单元阵列中的所选存储器单元的所选字线；以及基于通过位线连接到所述所选存储器单元的页缓冲器中的感测节点被充电的程度来感测所述所选存储器单元。13.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述源极线进行预充电的步骤包括以下步骤：对连接到所述感测节点的感测节点充电控制器进行放电。14.根据权利要求13所述的方法，其中，在施加所述感测电压的步骤中，当所述感测节
点被放电时，所述感测节点与所述感测节点充电控制器之间的连接断开。15.根据权利要求12所述的方法，其中，在感测所述所选存储器单元的步骤中，所述感测节点从接地电压连续地充电。16.根据权利要求12所述的方法，其中，在感测所述所选存储器单元的步骤中，当所述所选存储器单元的阈值电压低于感测电压时，与所述所选存储器单元的所述阈值电压高于所述感测电压时相比，所述感测节点被充电更多。17.根据权利要求16所述的方法，其中，在感测所述所选存储器单元的步骤中，当所述感测节点被充电的程度等于或大于基准值时，所述所选存储器单元被确定为处于擦除状态，并且当所述感测节点被充电的程度小于所述基准值时，所述所选存储器单元被确定为处于编程状态。18.根据权利要求12所述的方法，其中，对所述源极线进行预充电的步骤包括以下步骤：形成从所述源极线到所述位线的电流路径。19.根据权利要求18所述的方法，其中，形成所述电流路径的步骤包括以下步骤：生成与包括在所述页缓冲器中的多个晶体管当中的连接到所述位线的第一晶体管的阈值电压相等的电压信号以使所述第一晶体管导通；以及将等于所述第一晶体管的所述阈值电压的所述电压信号施加到所述第一晶体管的栅极。20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成所述电流路径的步骤还包括以下步骤：在所述第一晶体管导通之后，生成高于所述第一晶体管的所述阈值电压的电压信号；以及将高于所述第一晶体管的所述阈值电压的所述电压信号施加到所述第一晶体管的栅极。
技术总结
本申请涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。本技术涉及一种电子装置。一种被配置为基于感测节点的充电程度执行感测操作的存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其包括通过位线连接到所述多个存储器单元当中的所选存储器单元的页缓冲器，并且被配置为对所选存储器单元执行感测操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路对连接到存储器单元阵列的多条线当中的源极线进行预充电并且在感测操作期间基于页缓冲器中的感测节点被充电的程度来执行感测操作。操作。操作。
技术研发人员：金在雄
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.05.06
技术公布日：2022/3/29