技术特征：
1.一种用于提高sram读电流的结构，其特征在于，至少包括：横向对称分布的两个相同的第一、第二读取上拉管；横向对称分布的两个相同的第一、第二读取通过门；所述第一、第二读取通过门位于所述第一、第二读取上拉管的纵向一侧；所述第一、第二读取上拉管分别包括第一至第三fin结构；所述第一读取上拉管还包括第一栅极；所述第一栅极置于所述第一读取上拉管的所述第一至第三fin结构上；所述第二读取上拉管还包括第二栅极；所述第二栅极置于所述第二读取上拉管的所述第一至第三fin结构上；所述第一、第二读取上拉管的所述第一至第三fin结构的一端通过第一金属条形结构连接；第一、第二读取通过门分别包含第一至第三fin结构；第三栅极；所述第三栅极置于所述第一读取通过门的所述第一至第三fin结构上；第四栅极；所述第四栅极置于所述第二读取通过门的所述第一至第三fin结构上；所述第三栅极和所述第四栅极通过第一栅极金属连接；所述第一读取上拉管的所述第一至第三fin结构的另一端通过第二金属条形结构与所述第一读取通过门的所述第一至第三fin结构的一端连接；所述第二读取上拉管的所述第一至第三fin结构的另一端通过第三金属条形结构与所述第二读取通过门的所述第一至第三fin结构的一端连接；所述第一读取通过门的所述第一至第三fin结构的另一端通过第四金属条形结构相互连接；所述第二读取通过门的所述第一至第三fin结构的另一端通过第五金属条形结构相互连接。2.根据权利要求1所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：所述第一金属条形结构连接电压vss。3.根据权利要求1所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：第一读取上拉管的所述第一栅极的功函数层为nulvt管的功函数层；所述第二读取上拉管的所述第二栅极的功函数层为nulvt管的功函数层。4.根据权利要求1所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：所述第三、第四栅极的功函数层为nulvt管的功函数层。5.根据权利要求3所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：所述第一、第二读取上拉管的所述第一至第三fin结构中至少有一个fin结构设有阈值电压离子注入。6.根据权利要求4所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：所述第一、第二读取通过门的所述第一至第三fin结构中至少有一个fin结构设有阈值电压离子注入。7.根据权利要求5所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：所述第一、第二读取上拉管为nlvt管。8.根据权利要求6所述的用于提高sram读电流的结构，其特征在于：所述第一、第二读取通过门为nlvt管。
技术总结
本发明提供一种用于提高SRAM读电流的结构，分别包括第一至第三Fin结构的第一、第二读取上拉管和第一、第二读取通过门；第一栅极置于第一读取上拉管的第一至第三Fin结构上；第二栅极置于第二读取上拉管的第一至第三Fin结构上；第三栅极置于第一读取通过门的第一至第三Fin结构上；第四栅极置于第二读取通过门的第一至第三Fin结构上；第三栅极和第四栅极通过第一栅极金属连接；第二读取上拉管的第一至第三Fin结构的另一端通过第三金属条形结构与第二读取通过门的第一至第三Fin结构的一端连接。本发明的RPD和RPG中的至少一个改变为NLVT或NULVT后，读取电流得到明显改善，对读取干扰问题没有副作用。不增加新光罩，RPD和RPG之间的间距足够大，可以进行工艺修改。可以进行工艺修改。可以进行工艺修改。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.05.31
技术公布日：2021/9/13