技术特征：
1.一种操作控制器的方法，所述控制器控制半导体存储器装置的操作，所述半导体存储器装置包括元区域、普通区域和状态区域，所述方法包括：感测包括所述控制器的存储器系统的导通；检查所述状态区域中存储的至少一个或更多个状态标志之中的最后状态标志；以及基于所检查的状态标志确定是否对所述元区域中存储的元数据执行回收操作。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述状态区域中存储的所述至少一个或更多个状态标志中的每一个指示第一状态或第二状态中的至少一个，所述第一状态是所述元区域的锁定状态，所述第二状态是所述元区域的解锁状态。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述元区域包括存储有第一元数据的第一存储块以及处于擦除状态的第二存储块，并且其中基于所检查的状态标志确定是否对所述元区域中存储的所述元数据执行所述回收操作包括：响应于表示所述最后状态标志指示所述第二状态的检查结果，控制所述半导体存储器装置对所述第一存储块中存储的所述第一元数据执行所述回收操作。4.根据权利要求3所述的方法，其中控制所述半导体存储器装置对所述元区域中存储的所述第一元数据执行所述回收操作包括：控制所述半导体存储器装置读取所述第一存储块中存储的所述第一元数据；以及控制所述半导体存储器装置将所读取的第一元数据存储在所述第二存储块中。5.根据权利要求4所述的方法，其中基于所检查的状态确定是否对所述元区域中存储的所述元数据执行所述回收操作进一步包括：在控制所述半导体存储器装置对所述元区域中存储的所述第一元数据执行所述回收操作之后，更新所述控制器内部的缓冲存储器中存储的第二元数据；控制所述半导体存储器装置将更新的的第二元数据存储在所述第二存储块中；以及控制所述半导体存储器装置将指示所述第一状态的状态标志存储在所述状态区域中。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述元区域包括存储有所述第一元数据的第一存储块以及处于擦除状态的第二存储块，并且其中基于所检查的状态标志确定是否对所述元区域中存储的所述元数据执行所述回收操作包括：响应于表示所述最后状态标志指示所述第一状态的检查结果，更新所述控制器内部的缓冲存储器中存储的第二元数据；控制所述半导体存储器装置将更新的第二元数据存储在所述第一存储块中；以及控制所述半导体存储器装置将指示所述第一状态的状态标志存储在所述状态区域中。7.一种操作控制器的方法，所述控制器控制半导体存储器装置的操作，所述半导体存储器装置包括元区域、普通区域和状态区域，所述方法包括：从主机接收写入请求和与所述写入请求相对应的写入数据；控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的解锁状态的状态标志存储在所述状态区域中；以及控制所述半导体存储器装置将所述写入数据存储在所述普通区域中。8.根据权利要求7所述的方法，其中控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的所述解锁状态的所述状态标志存储在所述状态区域中包括：
生成用于将指示所述解锁状态的第一数据模式编程在与所述状态区域相对应的存储块的所选择页面中的编程命令；以及将所述第一数据模式和所述编程命令传送到所述半导体存储器装置。9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在控制所述半导体存储器装置将所述写入数据存储在所述普通区域中之后：更新与所述普通区域中存储的所述写入数据相对应的元数据，并且将所述元数据存储在所述控制器内部的缓冲存储器的元高速缓存中；响应于确定所述元高速缓存的状态为充满所述元数据，控制所述半导体存储器装置将所述元高速缓存中存储的所述元数据存储在所述元区域中；以及控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的锁定状态的状态标志存储在所述状态区域中。10.根据权利要求9所述的方法，其中控制所述半导体存储器装置存储指示所述元区域的所述锁定状态的所述状态标志包括：生成用于将指示所述锁定状态的第二数据模式编程在与所述状态区域相对应的存储块的所选择页面中的编程命令；以及将所述第二数据模式和所述编程命令传送到所述半导体存储器装置。11.一种操作控制器的方法，所述控制器控制半导体存储器装置的操作，所述半导体存储器装置包括元区域、普通区域和状态区域，所述方法包括：从主机接收写入请求和与所述写入请求相对应的写入数据；控制所述半导体存储器装置将所述写入数据存储在所述普通区域中；更新与所述普通区域中存储的所述写入数据相对应的元数据，并且将所述元数据存储在所述控制器内部的缓冲存储器的元高速缓存中；以及响应于确定所述元高速缓存的状态为充满所述元数据，控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的解锁状态的状态标志存储在所述状态区域中。12.根据权利要求11所述的方法，其中控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的所述解锁状态的所述状态标志存储在所述状态区域中包括：生成用于将指示所述解锁状态的第一数据模式编程在与所述状态区域相对应的存储块的所选择页面中的编程命令；以及将所述第一数据模式和所述编程命令传送到所述半导体存储器装置。13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的所述解锁状态的所述状态标志存储在所述状态区域中之后，控制所述半导体存储器装置将所述元高速缓存中存储的所述元数据存储在所述元区域中；以及控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的锁定状态的状态标志存储在所述状态区域中。14.根据权利要求13所述的方法，其中控制所述半导体存储器装置将指示所述元区域的所述锁定状态的所述状态标志存储在所述状态区域中包括：生成用于将指示所述锁定状态的第二数据模式编程在与所述状态区域相对应的存储块的所选择页面中的编程命令；以及
将所述第二数据模式和所述编程命令传送到所述半导体存储器装置。15.一种操作控制器的方法，所述控制器控制半导体存储器装置的操作，所述半导体存储器装置包括与元区域相对应的第一存储块、与普通区域相对应的第二存储块以及与状态区域相对应的第三存储块，所述方法包括：生成将所述控制器内部的缓冲存储器的元数据存储在所述第一存储块中的第一编程命令；检查所述半导体存储器装置的编程操作状态；以及响应于指示所述元数据的第一编程操作完成的检查结果，生成将指示所述元区域的锁定状态的状态标志存储在所述第三存储块中的第二编程命令。16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在生成所述第二编程命令之后：感测包括所述控制器的存储器系统的导通；检查所述第三存储块中存储的、指示所述元区域的所述锁定状态的所述状态标志；以及基于所检查的状态标志，生成用于将更新的的元数据存储在所述第二存储块中的第三编程命令，所述更新的的元数据为根据所述存储器系统的导通而执行的重建操作的结果。17.一种存储器系统，包括：存储器装置，包括第一存储区域、第二存储区域和第三存储区域；以及控制器，控制所述存储器装置：在将被请求的数据条和与所述被请求的数据条相关的元数据条分别存储在所述第一存储区域和所述第二存储区域中的同时，将第一标志存储在所述第三存储区域中；当所述被请求的数据条和所述相关的元数据条的存储完成时，将第二标志存储到所述第三存储区域中；并且在所述存储器系统突然断电之后所述存储器系统的启动期间，对所述第一存储区域、所述第二存储区域和所述第三存储区域执行恢复操作；其中所述恢复操作包括：当所述存储器系统突然断电时，所述第一标志是在所述第三存储区域中最后存储的标志时，对所述第二存储区域的回收操作；以及在所述回收操作完成时，将所述第二标志存储在所述第三存储区域中的操作。
技术总结
本申请涉及一种操作控制器的方法，该控制器控制半导体存储器装置的操作，该半导体存储器装置包括元区域、普通区域和状态区域。该方法包括感测包括控制器的存储器系统的导通；检查状态区域中存储的至少一个或更多个状态标志之中的最后状态标志；以及基于所检查的状态标志确定是否对元区域中存储的元数据执行回收操作。收操作。收操作。
技术研发人员：姜芝娟 金知弘 崔珉景
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.06.23
技术公布日：2022/4/22