技术特征：
1.一种非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，所述低成本实现结构包括：若干一次性可编程存储器，全体所述一次性可编程存储器组成所述一次性可编程存储器阵列；状态控制器，连接所述一次性可编程存储器阵列，用于根据接收到的指令对所述一次性可编程存储器阵列进行刷新操作和/或重写操作；行地址解码器和列地址解码器，分别连接所述状态控制器和所述一次性可编程存储器阵列，用于根据所述刷新操作和/或所述重写操作对所述一次性可编程存储器阵列中的对应区域进行读写操作；其中，所述低成本实现结构的可擦写次数与所述一次性可编程存储器阵列所包含的所述一次性可编程存储器的数量相关。2.如权利要求1所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，所述一次性可编程存储器阵列包括若干存储介质区域和跳转控制区域；所述跳转控制区域用于决定当次读写操作对应的所述存储介质区域。3.如权利要求1所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在所述一次性可编程存储器阵列处于上电状态时，需要通过所述状态控制器执行所述刷新操作；在所述刷新操作的过程中，通过读取地址位0上的若干项一次性可编程存储数据以决定所述对应区域。4.如权利要求3所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在所述刷新操作执行完成的情况下，针对所述对应区域进行所述读写操作。5.如权利要求3所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在通过读取所述地址位0上的若干项所述一次性可编程存储数据以决定所述对应区域的过程中，所述对应区域指向前次上电过程中所述读写操作指向的所述对应区域。6.如权利要求1所述的非易失存储介质的低成本实现结构，其特征在于，在所述状态控制器根据接收到的所述指令进行所述重写操作的情况下，通过对所述地址位0上的若干项一次性可编程存储数据进行修改，以选择未读写的所述对应区域进行所述读写操作；其中，未读写的所述对应区域区别于所述重写操作执行前的全部已经历所述读写操作的所述对应区域。7.一种非易失存储介质的控制方法，其特征在于，应用于所述权利要求1至6中任意一项所述的非易失存储介质的低成本实现结构，所述控制方法包括：在所述一次性可编程存储器阵列处于上电状态时，通过所述状态控制器执行所述刷新操作；在所述刷新操作的过程中，通过读取地址位0上的若干项一次性可编程存储数据以决定所述对应区域。8.一种非易失存储介质的控制方法，其特征在于，应用于所述权利要求1至6中任意一项所述的非易失存储介质的低成本实现结构，所述控制方法包括：在所述状态控制器进行所述重写操作的情况下，通过对所述地址位0上的若干项一次性可编程存储数据进行修改，以选择未读写的所述对应区域进行所述读写操作；其中，未读写的所述对应区域区别于所述重写操作执行前的全部已经历所述读写操作的所述对应区域。
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片搭载了如权利要求1至6中任意一项所述的非易失存储介质的低成本实现结构。10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备通过电子芯片搭载了如权利要求1至6中任意一项所述的非易失存储介质的低成本实现结构。
技术总结
本发明提供了一种非易失存储介质的低成本实现结构、控制方法、芯片及电子设备。其中低成本实现结构包括若干一次性可编程存储器、状态控制器、行地址解码器和列地址解码器。通过本技术方案，能够不依赖传统的FTP单元，由一次性可编程存储器实现有限次编辑(Few Time Programmable，FTP)功能，适用于擦写次数较少的应用场景，可靠性高，兼容普通技术工艺，具有可推广价值。可推广价值。可推广价值。
技术研发人员：罗志宏 刘文超 梁毅
受保护的技术使用者：上海概伦电子股份有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/6/24