固态硬盘的制作方法

1.本实用新型涉及固态硬盘技术领域，特别涉及一种固态硬盘。


背景技术：

2.由于微小尺寸的闪存芯片制造技术难度很高，所以不可避免地会在每一次芯片生产时出现优质芯片和降级芯片。可以理解地，优质芯片优先用于生产制造高端电子产品例如固态硬盘，而对于降级芯片的处理一般是将其用于生产制造usb(通用串行总线，universal serial bus)一类的底端电子产品。如何利用品质较差的降级闪存芯片来生产出符合存储容量规格要求的合格固态硬盘，是现有技术中不可忽视的技术问题。


技术实现要素：

3.本实用新型的主要目的是提供一种固态硬盘，旨在通过在pcb(印制电路板，printed circuit board)基板上贴片降容闪存芯片，然后经由开卡固件的开卡操作成为符合存储容量规格要求的固态硬盘，充分利用降容闪存芯片生产合格固态硬盘，以降低固态硬盘的生产成本。
4.为实现上述目的，本实用新型提出的固态硬盘包括：
5.pcb基板，设有若干贴片区；所述pcb基板还设有若干定位结构，所述定位结构用以使pcb基板定位于外壳体或电子设备上；
6.主控芯片，设于所述pcb基板，所述主控芯片与所述贴片区电连接；
7.连接器，设于所述pcb基板，所述连接器与所述主控芯片电连接，所述连接器用以使固态硬盘与电子设备进行数据交换；
8.电子器件，设于所述pcb基板，所述电子器件与所述主控芯片电连接；以及
9.降容闪存芯片，连接于所述贴片区。
10.可选地，所述pcb基板的两相对板面上对称设有至少两所述贴片区，至少一所述板面的至少一所述贴片区未焊接有所述降容闪存芯片。
11.可选地，所述降容闪存芯片的数量为大于1的奇数。
12.可选地，所述降容闪存芯片的数量为3个。
13.可选地，所述降容闪存芯片为nand flash(not and型非易失性存储器，not and flash)芯片。
14.可选地，所述降容闪存芯片为存储容量由64gb降级至40gb的nand flash芯片。
15.可选地，所述固态硬盘还包括壳体和导热件，所述pcb基板连接于所述壳体内，所述导热件夹设于所述壳体与所述降容闪存芯片之间。
16.可选地，所述导热件为贴附于所述降容闪存芯片背离所述pcb基板的一端的金属导热片。
17.本实用新型技术方案中，通过在pcb基板上贴片降容闪存芯片，然后经由开卡固件的开卡操作成为符合存储容量规格要求的固态硬盘，充分利用降容闪存芯片生产合格固态
硬盘，以降低固态硬盘的生产成本。
附图说明
18.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
19.图1为本实用新型固态硬盘一实施例的示意图；
20.图2为图1中固态硬盘的a向视图；
21.图3为图1中固态硬盘连接于壳体后的示意图；
22.图4为图3中固态硬盘透过壳体上半部分后的结构示意图；
23.图5为图3中固态硬盘的俯视图；
24.图6为图5中固态硬盘在b
‑
b处剖视图。
25.附图标号说明：
26.标号名称标号名称100固态硬盘110pcb基板111贴片区112定位结构120主控芯片130连接器140电子器件150降容闪存芯片160壳体161定位柱170导热件
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27.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
28.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
29.需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
30.另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“a和/或b”为例，包括a方案、或b方案、或a和b同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
31.由于微小尺寸的闪存芯片制造技术难度很高，所以不可避免地会在每一次芯片生产时出现优质芯片和降级芯片。可以理解地，优质芯片优先用于生产制造高端电子产品例如固态硬盘，而对于降级芯片的处理一般是将其用于生产制造usb一类的底端电子产品。如何利用品质较差的降级闪存芯片来生产出符合存储容量规格要求的合格固态硬盘，是现有技术中不可忽视的技术问题。鉴于此，本实用新型提出了一种固态硬盘，参照图1和图2，在本实用新型一实施例中，该固态硬盘100包括：
32.pcb基板110，设有若干贴片区111；pcb基板110还设有若干定位结构112，安装结构用以使pcb基板110定位于外壳体或电子设备上；
33.主控芯片120，设于pcb基板110，主控芯片120与贴片区111电连接；
34.连接器130，设于pcb基板110，连接器130与主控芯片120电连接，连接器130用以使固态硬盘100与电子设备进行数据交换；电子设备还可以经由连接器130对固态硬盘提供驱动电源。
35.电子器件140，设于pcb基板110，电子器件140与主控芯片120电连接；以及
36.降容闪存芯片150，连接于贴片区111。
37.本实用新型技术方案中，通过在pcb基板110上贴片降容闪存芯片，然后经由开卡固件的开卡操作成为符合存储容量规格要求的固态硬盘100，充分利用降容闪存芯片生产合格固态硬盘100，以降低固态硬盘100的生产成本。需要说明的是，降级闪存芯片指的是在一次闪存芯片生产中品质未达到最高要求的闪存芯片(downgrade flash)，包括容量降级闪存芯片和性能降级闪存芯片两种类型，容量降级闪存芯片简称为降容闪存芯片。例如，原本生产目标是64gb存储容量规格的闪存芯片，但实际生产结果是大部分闪存芯片的存储容量可以达到64gb，但存在少数闪存芯片的存储容量未能达到64gb，这一部分未能达到64gb存储容量要求的闪存芯片就称为降容闪存芯片。
38.可选地，pcb基板110的两相对板面上对称设有至少两贴片区111，至少一板面的至少一贴片区111未焊接有降容闪存芯片150。一般现有的pcb基板110上的用以安装闪存芯片的贴片区111都是对称分布的，例如有4个贴片区111对称性地分布在pcb基板110的两相对的板面上。一般情况下，在pcb基板110上贴满高品质的闪存芯片后，再经由开卡固件的开卡操作后可以直接获得符合行业规格标准的固态硬盘100。需要说明的是，行业主要存储容量规格有64gb、120gb、240gb等。然而若想利用降容闪存芯片150生产出符合行业规格标准的固态硬盘100，沿用已有的技术方案是行不通的。但是通过减少贴片的闪存芯片数量，例如4个贴片区111只贴上3个40gb存储容量的降容闪存芯片150，就可以获得120gb存储容量的固态硬盘100。这样既可以充分利用现有的pcb基板110，不需要特意开发新的具有非对称性贴片区111的pcb基板110，又可以充分利用降容芯片生产出符合行业规格的固态硬盘100，从而有效降低固态硬盘100的生产成本。
39.可选地，降容闪存芯片150的数量为大于1的奇数。当有多个降容闪存芯片150互相配合工作时，可以有效地进行互补，使主控芯片120在进行读写数据时可以灵活调配不同的降容闪存芯片150进行快速响应。然本设计不限于此，于其他实施例中，降容闪存芯片150的数量为大于1的偶数。
40.可选地，降容闪存芯片150的数量为3个。利用现有的具有4个贴片区111的pcb基板110，只贴上3个40gb存储容量的降容闪存芯片150，就可以获得120gb存储容量的固态硬盘
100。这样既可以充分利用现有的pcb基板110，不需要特意开发新的具有非对称性贴片区111的pcb基板110，又可以充分利用降容芯片生产出符合行业规格的固态硬盘100，从而有效降低固态硬盘100的生产成本。然本设计不限于此，于其他实施例中，降容闪存芯片150的数量还可以是5个或者7个。
41.可选地，降容闪存芯片150为nand flash芯片。nand flash芯片的写回速度快，芯片面积小，既可以有效提升固态硬盘100的数据传输速度、产品性能，又可以实现固态硬盘100的小型化。然本设计不限于此，与其他实施例中，降容闪存芯片150还可以是nor flash(nor型非易失性存储器)芯片。
42.可选地，降容闪存芯片150为存储容量由64gb降级至40gb的nand flash芯片。将生产规格为64gb的降容闪存芯片150降级至40gb，可以有效规避降容闪存芯片150内的不可读写扇区，只利用符合要求的高质量的扇区，从而保证降级处理后的降容闪存芯片150的运行性能。然本设计不限于此，于其他实施例中，降容闪存芯片150还可以是存储容量由64gb降级至50gb的nand flash芯片。
43.参照图3至图6，本实施例中，进一步地，固态硬盘100还包括壳体160和导热件170，pcb基板110连接于壳体160内，导热件170夹设于壳体160与降容闪存芯片150之间。通过导热件170将降容闪存芯片150工作时产生的热量及时传导至壳体160，然后再经由壳体160与外界完成热交换，可以有效保证降容闪存芯片150处于最佳的工作温度。然本设计不限于此，于其他实施例中，还可以是壳体对应降容闪存芯片150的位置设有若干散热孔。
44.可选地，导热件170为贴附于降容闪存芯片150背离pcb基板110的一端的金属导热片。金属导热片导热性能优良且成本较低。然本设计不限于此，于其他实施例中，导热件170还可以是导热陶瓷片。
45.进一步可选地，金属导热片为铜材质。铜片的导热性能优良且成本较低。然本设计不限于此，于其他实施例中，金属导热片还可以是银材质。
46.进一步地，导热件170的背离降容闪存芯片150的一端面设有石墨烯层。石墨烯层可以提升导热件170的热辐射性能，进一步有效控制降容闪存芯片150的工作温度处于最佳状态。然本设计不限于此，于其他实施例中，导热件170的背离降容闪存芯片150的一端面还可以是设有氧化锆层。
47.参照图4，本实施例中，进一步地，定位结构112为设于pcb基板110的相对的两侧边的定位凹槽，壳体160上对应定位凹槽设有定位柱161；定位凹槽设有用以定位柱161滑入的开口，定位柱161的外壁面与定位凹槽的侧壁面抵接。然本设计不限于此，于其他实施例中，定位结构还可以是设于pcb基板的相对的两侧边的定位销，壳体上对应定位销设有定位孔，定位销的外壁面与定位孔的内壁面抵接。
48.以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。