读取刷新操作的制作方法

读取刷新操作
1.交叉参考
2.本专利申请案主张由佩里兹(pellizzer)等人于2020年4月7日提交的标题为“读取刷新操作(read refresh operation)”的美国专利申请案第16/842,524号的优先权，所述美国专利申请案转让给本专利申请案受让人且其以引用的方式明确并入本文中。


背景技术：

3.以下内容大体上涉及一或多个存储器系统且更具体地涉及读取刷新操作。
4.存储器装置广泛地用于在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中存储信息。通过将存储器装置内的存储器胞元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器胞元可经编程为两个受支持状态中的一个，通常用逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器胞元可支持多于两个状态，可存储其中任何一个。为了存取所存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入或编程状态。
5.存在各种类型的存储器装置及存储器胞元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫属化物存储器技术及其它存储器。存储器胞元可为易失性的或非易失性的。
附图说明
6.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的系统的实例。
7.图2说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的存储器裸片的实例。
8.图3说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的存储器胞元的实例。
9.图4a及4b说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的实例时序图。
10.图5及6说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的实例时序图。
11.图7说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的存储器系统的实例。
12.图8展示根据如本文中所公开的实例支持读取刷新操作的存储器装置的框图。
13.图9及10展示说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
14.存储器装置可包含被细分为一或多个子块(例如，存储器胞元的子块)的多个存储器胞元。任何一个子块内的存储器胞元可在一段时间内被存取(例如，读取、写入)。在一些实例中，存储器胞元可被读取相对大数量的次数而不被写入，这可增加错误发生的可能性。定期刷新存储器胞元可减少或最小化此类错误的可能性。
15.在传统的存储器系统中，存储器装置可接收与存取操作(例如，读取操作)相关联的操作代码(例如，操作码)及与刷新操作相关联的操作代码。存储器装置可将所接收到的
操作码排队并执行那些操作码。如与接收导致多个方面发生的单个操作代码相比，为不同的操作接收不同的操作代码可增加整体系统等待时间，且可由于接收到(并随后解码)多个操作代码而增加系统的复杂性。因此，经配置以接收经组态以读取及刷新子块的存储器胞元的单个操作代码的系统可能是有益的。
16.本文中描述经配置以接收及启动单个操作代码以读取及刷新子块的存储器胞元的存储器装置。在一些实例中，控制器或存储器装置可包含计数器及/或计数器表以跟踪及存储对子块执行的存取操作的数量。在预定义的一段时间之后，每一子块可已经历一定数量的存取操作。基于对任何一个子块执行的存取操作的数量，可执行读取刷新操作。在读取刷新操作期间，可确定相应存储器胞元的逻辑状态，并取决于经编程状态，可刷新存储器胞元。刷新存储器胞元的经编程状态可加强存储到存储器胞元的数据，此可降低发生错误的可能性。此外，读取刷新操作可基于存储器装置接收到单个操作代码而启动，此可减少整体系统等待时间，并可降低系统的复杂度，因为可仅解码一个操作代码。在一些状况下，第一计数器及/或计数器表可跟踪并存储在一段时间内对子块执行的读取操作的数量。在一些状况下，第二计数器及/或计数器表可跟踪及存储对子块执行的写入操作的数量，所述写入操作可与读取操作一起使用以确定是否应执行读取刷新操作。
17.最初在参考图1-3所描述的存储器系统、裸片及阵列的上下文中描述本公开的特征。本公开的特征是在如参考图4a-7所描述的时序图及存储器系统的上下文中进行描述。通过如与参考图8-10所描述的读取刷新操作有关的设备图及流程图进一步说明及参考所述设备图及流程图描述本公开的这些及其它特征。
18.图1说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110及将主机装置105与存储器装置110耦合在一起的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置，但可在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中描述一或多个存储器装置110的各方面。
19.系统100可包含电子装置的部分，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、运载工具或其它系统。例如，系统100可说明计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、运载工具控制器等各方面。存储器装置110可为系统的组件，其可操作来存储关于系统100的一或多个其它组件的数据。
20.系统100的至少部分可为主机装置105的实例。除其它实例外，主机装置105还可为使用存储器来执行过程的装置内的处理器或其它电路系统的实例，例如在计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能手机、蜂窝式电话、可穿戴装置、因特网连接装置、运载工具控制器或一些其它固定或便携式电子装置。在一些实例中，主机装置105可指代实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可被称为主机或主机装置105。在一些实例中，主机装置105可启动如本文中所论述的读取刷新操作。例如，主机装置105可接收(例如，周期性地接收)与在一段时间内对存储器胞元的个别子块执行的存取操作的数量有关的信息。基于所执行的存取操作的数量，主机装置105可生成并发射经配置以启动读取刷新操作的操作代码。
21.存储器装置110可为独立装置或可操作以提供可由系统100使用或引用的物理存储器地址/空间的组件。在一些实例中，存储器装置110可经配置以与一或多个不同类型的
主机装置105一起工作。主机装置105与存储器装置110之间的信令可操作以支持以下中的一或多个：用以调制信号的调制方案，用于传递信号的各种引脚配置，用于主机装置105及存储器装置110的物理封装的各种形状因数，主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令及同步，时序约定或其它因素。
22.存储器装置110可操作以存储关于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的从属类型装置(例如，响应于并执行由主机装置105通过外部存储器控制器120提供的命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令，用于读取操作的读取命令，用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
23.主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或其它组件中的一或多个，例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器。主机装置的组件可使用总线135彼此耦合。
24.处理器125可操作以为系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能性。处理器125可为通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)，现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑，离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，除其它实例外，处理器125还可为中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)，通用gpu(gpgpu)或单片系统(soc)的实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施或为所述处理器的一部分。
25.bios组件130可为包含作为固件操作的bios的软件组件，其可初始化并运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
26.存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所要容量或所规定容量。每一存储器裸片160可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a，本地存储器控制器165-b，本地存储器控制器165-n)及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b，存储器阵列170-n)。存储器阵列170可为存储器胞元的集合(例如，一或多个网格、一或多个存储体、一或多个数据块、一或多个区段)，其中每一存储器胞元可操作以存储至少一位数据。包含两个或多于两个存储器裸片的存储器装置110可被称为多裸片存储器或多裸片封装或多芯片存储器或多芯片封装。在一些实例中，每一存储器裸片160可包含一或多个存储器胞元子块。每一子块可包含存储器裸片160的存储器胞元的总量的子组。
27.存储器裸片160可为二维(2d)存储器胞元阵列的实例，或可为三维(3d)存储器胞元阵列的实例。2d存储器裸片160可包含单个存储器阵列170。3d存储器裸片160可包含两个或多于两个存储器阵列170，其可堆叠在彼此顶部或彼此相邻定位(例如，相对于衬底)。在一些实例中，3d存储器裸片160中的存储器阵列170可被称为层叠、层级、层或裸片。3d存储器裸片160可包含任何数量的堆叠存储器阵列170(例如，二高、三高、四高、五高、六高、七高、八高)。在一些3d存储器裸片160中，不同层叠可共享至少一个共用存取线，使得一些层叠可共享行线或列线中的一或多个。
28.装置存储器控制器155可包含可操作以控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或
指令且可操作以接收、发射或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可操作以与外部存储器控制器120、一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165来控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
29.在一些实例中，存储器装置110可从主机装置105接收数据或命令或两者。例如，存储器装置110可接收指示存储器装置110将存储关于主机装置105的数据的写入命令或指示存储器装置110将向主机提供存储在存储器裸片160中的数据的读取命令。
30.本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可操作以控制存储器裸片160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155通信(例如，接收或发射数据或命令或两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155及本地存储器控制器165，或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。如此，本地存储器控制器165可操作以与装置存储器控制器155，与其它本地存储器控制器165，或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合进行通信。可包含在装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者中的组件的实例可包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器120)的接收器，用于发射信号(例如，到外部存储器控制器120)的发射器，用于对所接收到的信号进行解码或解调的解码器，用于对待发射的信号进行编码或调制的编码器，或可操作用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者的所描述操作的各种其它电路或控制器。
31.外部存储器控制器120可操作以在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间实现信息、数据或命令中的一或多个的通信。外部存储器控制器120可转换或翻译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100或主机装置105的其它组件，或其在本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100或主机装置105的其它组件实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120被描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或其在本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器装置155、本地存储器控制器165)来实施，或反之亦然。
32.主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可操作以支持外部存储器控制器120与存储器装置110之间的通信。每一信道115可为在主机装置105与存储器装置之间载运信息的传输媒体的实例。每一信道115可在与系统100的组件相关联的端子之间包含一或多个信号路径或发射媒体(例如，导体)。信号路径可为可操作来载运信号的导电路径的实例。例如，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含在主机装置105处的一或多个引脚或焊盘以及在存储器装置110处的一或多个引脚或焊盘。引脚可为系统100的装置的导电输入或输出点的实例，且引脚可为可操作以充当信道的一部分。
33.信道115(及相关联信号路径及端子)可专用于传递一或多个类型的信息。例如，信道115可包含一或多个命令与地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，可通过信道115使用单数据速率(sdr)信令或双倍数据速率(ddr)信令传递信令。在sdr信令中，可针对每一时钟周
期(例如，在时钟信号的上升沿或下降沿上)登记信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在ddr信令中，可针对每一时钟周期(例如，在时钟信号的上升沿及下降沿两者上)登记信号的两个调制符号(例如，信号电平)。
34.在一些实例中，可跟踪对存储器装置110的存储器胞元执行的存取操作的数量(例如，跟踪读取操作、跟踪写入操作、跟踪刷新操作或其任何组合)。例如，每当对存储器裸片160的子块执行存取操作时，相关联计数器可递增(例如，由本地存储器控制器165及/或装置存储器控制器155递增)。计数器跟踪的值可存储到由存储器装置110管理的表(且可定期提供给主机装置105)或可由主机装置105跟踪。基于在一段时间内经历相对低数量存取操作的子块，主机装置105可生成操作代码以对特定子块执行读取刷新操作。操作代码可被发布到存储器装置110，且存储到特定子块的存储器胞元的数据可被刷新及/或恢复。对存储器装置110的子块执行读取刷新操作可防止(例如，减轻)由于执行的写入操作数量相对较低而导致的编程逻辑状态转变导致的数据丢失及/或损坏，并且可减少存储器装置110的整个系统等待时间及媒体管理复杂性。
35.图2根据如本文中所公开的实例说明支持读取刷新操作的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可为参考图1所描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可被称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含一或多个存储器胞元205，所述存储器胞元可各自编程以存储不同的逻辑状态(例如，一组两个或多于两个可能状态中的经编程者)。例如，存储器胞元205可操作以一次存储一位信息(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器胞元205(例如，多级存储器胞元205)可操作以一次存储多于一位信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器胞元205可布置成阵列，例如参考图1所描述的存储器阵列170。
36.存储器胞元205可使用可配置材料来存储逻辑状态，所述可配置材料可被称为存储器元件、存储器存储元件、材料元件、材料存储器元件、材料部分或极性写入材料部分及其它元件。存储器胞元205的可配置材料可指代基于硫属化物的存储组件，如参考图3更详细所描述。例如，硫属化物存储元件可用于相变存储器(pcm)胞元、阈值存储器胞元或自选存储器胞元。
37.存储器裸片200可包含以例如栅格状图案的图案布置的存取线(例如，行线210及列线215)。存取线可由一或多种导电材料形成。在一些实例中，行线210可被称为字线。在一些实例中，列线215可被称为数字线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线、或位线，或其类似物的引用是可互换的，而不会失去理解或操作。存储器胞元205可位于行线210与列线215的交叉点处。
38.通过激活或选择例如行线210或列线215中的一或多个的存取线，可对存储器胞元205执行例如读取及写入的操作。通过对行线210及列线215加偏压(例如，向行线210或列线215施加电压)，可在其交叉点处存取单个存储器胞元205。以二维或三维配置的行线210与列线215的交叉点可被称为存储器胞元205的地址。存取线可为与存储器胞元205耦合的导电线且可用于对存储器胞元205执行存取操作。
39.可通过行解码器220或列解码器225控制存取存储器胞元205。例如，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址，且基于所接收到的行地址而激活行线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址，且可基于所接收到的列地址而激活列线215。
40.感测组件230可操作以检测存储器胞元205的状态(例如，材料状态、电阻、阈值状态)并基于所存储状态而确定存储器胞元205的逻辑状态。感测组件230可包含一或多个感测放大器以放大或以其它方式转换由存取存储器胞元205产生的信号。感测组件230可将从存储器胞元205检测到的信号与参考235(例如，参考电压)进行比较。存储器胞元205的所检测到的逻辑状态可作为感测组件230的输出提供(例如，到输入/输出240)，且可将检测到的逻辑状态指示给包含存储器裸片200的存储器装置的另一组件。
41.本地存储器控制器260可通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件230)来控制对存储器胞元205的存取。本地存储器控制器260可为参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225及感测组件230中的一或多个可与本地存储器控制器260共置。本地存储器控制器260可操作以从一或多个不同的存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个，将命令或数据(或两者)翻译成可由存储器裸片200使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，及基于执行一或多个操作而将数据从存储器裸片200传达到主机装置105。本地存储器控制器260可生成行信号及列地址信号，以激活目标行线210及目标列线215。本地存储器控制器260还可生成并控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。通常，本文中所论述的所施加电压或电流的振幅、形状或持续时间可变化，且对于在操作存储器裸片200中所论述的各种操作可为不同的。
42.本地存储器控制器260可操作以对存储器裸片200的一或多个存储器胞元205执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作以及其它操作。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器260响应于各种存取命令(例如，来自主机装置105)而执行或以其它方式协调。本地存储器控制器260可操作以执行此处未列出的其它存取操作或与存取存储器胞元205不直接相关的与存储器裸片200的操作相关的其它操作。
43.本地存储器控制器260可操作以对存储器裸片200的一或多个存储器胞元205执行写入操作(例如，编程操作)。在写入操作期间，存储器裸片200的存储器胞元205可经编程以存储所要逻辑状态。本地存储器控制器260可识别对其执行写入操作的目标存储器胞元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器胞元205耦合的目标行线210及目标列线215(例如，目标存储器胞元205的地址)。本地存储器控制器260可激活目标行线210及目标列线215(例如，向行线210或列线215施加电压)，以存取目标存储器胞元205。本地存储器控制器260可在写入操作期间向列线215施加特定信号(例如，写入脉冲)以将特定状态存储在存储器胞元205的存储元件中。用作写入操作的一部分的脉冲可在持续时间内包含一或多个电压电平。
44.本地存储器控制器260可操作以对存储器裸片200的一或多个存储器胞元205执行读取操作(例如，感测操作)。在读取操作期间，可确定存储在存储器裸片200的存储器胞元205中的逻辑状态。本地存储器控制器260可识别对其执行读取操作的目标存储器胞元205。本地存储器控制器260可识别与目标存储器胞元205耦合的目标行线210及目标列线215(例如，目标存储器胞元205的地址)。本地存储器控制器260可激活目标行线210及目标列线215(例如，向行线210或列线215施加电压)，以存取目标存储器胞元205。感测组件230可基于施
金或其组合。在一些实例中，硫属化物玻璃可包含额外元素，例如氢(h)、氧(o)、氮(n)、氯(cl)或氟(f)，每一者呈原子或分子形式。
50.在一些实例中，存储元件320可为自选择存储器胞元的实例。在此类实例中，存储元件320中使用的材料可基于合金(例如上文所列出的合金)且可操作以便在存储器胞元的正常操作期间经历到不同物理状态的改变。例如，自选存储器胞元可具有高阈值电压状态及低阈值电压状态。高阈值电压状态可对应于第一逻辑状态(例如，reset状态)且低阈值电压状态可对应于第二逻辑状态(例如，set状态)。当存储器胞元被写入时，其逻辑状态可被加强，使得其可被准确地检测(例如，感测)。然而，当存储器胞元在一段时间内经历相对较少的写入时，其状态可慢慢移位。例如，如果存储器胞元被编程到高阈值电压状态(例如，reset状态)且在一段时间内被写入相对较少的次数，那么存储器胞元可缓慢地向低阈值电压移位。当在一段时间内执行一定数量的读取而没有写入操作或具有相对较少写入操作时，阈值电压的移位可引起数据中的错误。因此，可期望周期性地发出如本文中所描述的读取刷新命令以加强某些存储器胞元的状态并减轻阈值电压的移位。
51.在一些实例中，例如对于阈值化存储器胞元或自选择存储器胞元，由存储器胞元支持的逻辑状态组中的一些或全部可与硫属化物材料的非晶态相关联(例如，处于单一状态的材料可操作以存储不同的逻辑状态)。
52.在一些实例中，存储器阵列300的架构可被称为交叉点架构，其中存储器胞元形成在行线210与列线215之间的拓扑交叉点处。与其它存储器架构相比较，此交叉点架构可以较低生产成本提供相对高密度的数据存储。例如，与其它架构相比，交叉点架构可具有面积减小的存储器胞元，且因此增加存储器胞元密度。例如，与具有6f2存储器单元面积的其它架构(例如具有三端子选择器组件的架构)相比，交叉点架构可具有4f2存储器单元面积，其中f为最小特征大小。例如，dram可使用作为三端子装置的晶体管作为每一存储器胞元的选择器元件，且与交叉点架构相比可具有更大的存储器胞元面积。
53.虽然图3的实例展示两个存储器层叠，但其它配置也为可能的。在一些实例中，存储器胞元的单个存储器层叠可构建在衬底上面，其可被称为二维存储器。在一些实例中，可以类似方式在三维交叉点架构中配置两个或多于两个存储器胞元层叠。此外，在一些状况下，如在图3中所展示或参考图3所描述的元件可如所展示或所描述地彼此电耦合但物理上重新布置(例如，存储元件320及可能的选择元件或电极325可电串联在行线210与列线215之间但不必是立柱状或堆叠配置)。
54.图4a说明根据如本文中所公开的实例支持读取刷新操作的时序图400-a的实例。时序图400-a可说明对存储器阵列执行的一或多个存取操作。存储器阵列可包含一或多个子块，且每一子块可含有多个存储器胞元。因此，时序图400-a可说明对任何一个存储器胞元子块的存储器胞元执行的存取操作。在一些实例中，时序图400-a可说明存取阶段405的方面及读取刷新操作410的方面。读取刷新操作410可说明被编程到第一逻辑状态(例如，reset状态)的存储器胞元的时序方面。
55.在一些实例中，对包括硫属化物材料的存储器胞元的存取操作可被描述为包含多个事件，包含阈值事件。当在特定一段时间内横跨存储器胞元施加偏压时，包括硫属化物材料的存储器胞元可经历阈值事件。阈值事件可包含流过存储器胞元的电流量的快速增加及“骤回”事件，其特征在于横跨存储器胞元的偏压的快速减小。阈值事件可发生在存储器胞
元的存储节点、存储器胞元的选择器节点或两者中。一旦经阈值化，存储器胞元就可传导相对大量的电流。
56.在t1期间，可发生一或多个存储器胞元的存取阶段405。在存取阶段405期间，可从子块的一或多个存储器胞元读取数据或将数据写入到子块的一或多个存储器胞元。为了存取子块的存储器胞元，可向存储器胞元施加存取偏压。如本文中所使用，施加到存储器胞元的偏压是指横跨存储器胞元施加的电压差。为了读取存储器胞元的内容，可横跨存储器胞元施加读取存取偏压。存储器胞元的所得电流-电压行为可指示其所存储状态。例如，存储器胞元可不经历骤回事件，这可指示存储器胞元处于reset状态(例如，存储器胞元存储第一逻辑值)。另外或替代地，存储器胞元可经历骤回事件，这可指示存储器胞元处于set状态(例如，存储器胞元存储第二逻辑值)。
57.为了将数据写入到子块的一或多个存储器胞元，可横跨存储器胞元施加写入存取偏压。例如，可向存储器胞元施加具有第一极性的写入存取偏压以编程reset状态。当对reset状态进行编程时，存储器胞元可经历低阈值到高阈值的转变，这可由于流过存储器胞元的特定电流(例如，reset电流)而发生。在其它实例中，可向存储器胞元施加具有第二极性(例如，不同极性、相反极性)的写入存取偏压以编程set状态。当对set状态进行编程时，存储器胞元可经历高阈值到低阈值的转变，这可由于流过存储器胞元的电流(例如，set电流)而发生。
58.在一些实例中，存取阶段405可持续比t1更长(或更短)的持续时间。例如，存取阶段405可包含n个存取操作，其中n是正整数。对存储器胞元子块执行读取刷新操作以最小化数据损坏可为有益的。例如，计数器(例如，如参考图7所讨论)可跟踪对存储器装置的一或多个子块执行的存取操作的数目。在一些状况下，单独的计数器可用于存储器装置的每一子块。计数器可用于监视一段时间内对子块执行的写入操作的数量，在所述段时间内对子块执行的读取操作的数量，或在一段时间内执行的写入操作与读取操作的比率，这可允许周期性地执行读取刷新操作。
59.当存储器子块在一段时间内经历读取操作而写入操作或刷新操作相对较少时，子块的一或多个存储器胞元的状态可缓慢漂移。例如，对子块执行的每一读取操作可将被编程到非晶态(例如，reset状态)的存储器胞元向结晶状态(例如，set状态)转变。也就是说，读取操作可导致被编程到reset状态的存储器胞元缓慢结晶，这可随着时间将错误引入到数据中。因此，可期望监视(使用计数器)随时间对子块执行的读取操作的数量、写入操作的数量、刷新操作的数量、那些不同数量的比率或其任何组合。如果在一段时间内对存储器胞元执行相对较少的写入操作及/或在所述同一时间段内对存储器胞元执行相对高数量的读取操作，那么子块可更容易受到漂移的影响(例如，更容易受到reset状态缓慢转变到set状态的影响)。因此，基于计数器的值(例如，在各种持续时间之后)，可(例如，从主机装置)接收操作代码(例如，操作码)以启动对相应子块的读取刷新操作。因此，如在图4a中所展示从存取阶段405到读取刷新操作410的转变可基于读取刷新操作被启动而发生。
60.在t2期间，可发生读取刷新操作410。在读取刷新操作410期间，可向存储器胞元施加读取脉冲(例如，第一电压)以确定其逻辑状态。如在图4a中所展示，当施加读取脉冲时，存储器胞元可不经历骤回事件。相反，施加读取脉冲可导致横跨存储器胞元415的偏压不增加。未改变的偏压可指示存储器胞元被编程到reset状态，且可如参考图5及6所描述地执行
读取刷新操作。以此方式执行读取刷新操作可防止(例如，减轻)由于执行相对低数量的写入操作而导致的编程逻辑状态转变导致的数据丢失及/或损坏，可减少与存储器装置相关联的总体等待时间，且可降低用于刷新存储器胞元的电路系统的复杂性。在一些实例中，在t3期间，可发生一或多个存储器胞元的第二存取阶段(例如，后续存取阶段)。
61.图4b说明根据如本文中所公开的实例支持读取刷新操作的时序图400-b的实例。时序图400-b可说明对存储器阵列执行的一或多个存取操作，例如参考图4a所描述的存取操作。存储器阵列可包含一或多个子块，且每一子块可含有多个存储器胞元。因此，时序图400-b可说明对任何一个存储器胞元子块的存储器胞元执行的存取操作。在一些实例中，时序图400-b可说明存取阶段405-a的方面及读取刷新操作410-a的方面。读取刷新操作410-a可说明被编程到第一逻辑状态(例如，set状态)的存储器胞元的时序方面。
62.如参考图4a所论述，存取阶段405-a可在t1期间发生。在存取阶段405-a期间，可通过施加存取偏压来读取或写入子块的一或多个存储器胞元。为了读取存储器胞元的内容，可横跨存储器胞元施加读取存取偏压，且存储器胞元的所得电流-电压行为可指示其所存储状态。为了将数据写入到子块的一或多个存储器胞元，可横跨存储器胞元施加写入存取偏压以将单元编程到set状态或reset状态。
63.在一些实例中，存取阶段405-a可持续比t1更长(或更短)的持续时间。例如，存取阶段405-a可包含n个存取操作，其中n是正整数。如本文中所论述，对存储器胞元的子块执行读取刷新操作以最小化数据损坏可为有益的。例如，计数器(例如，如参考图7所论述)可跟踪对存储器装置的每一子块执行的存取操作的数目。当子块在持续时间期间接收相对大数量的读取操作时，被编程到reset状态的存储器胞元可转变(例如，漂移)到set状态，这可将不期望的错误引入到数据中。因此，计数器可随时间跟踪对任何子块执行的读取操作的数量。当对子块执行的读取操作的数量高于阈值时，可期望刷新一些存储器胞元。特定来说，可期望刷新被编程到reset状态的存储器胞元以防止(例如，减轻)经编程状态转变到set状态。
64.为了刷新子块的存储器胞元，计数器可发信号通知在一段时间内对子块执行相对小数量的存取操作，且操作代码(例如，操作码)可被接收(例如，从主机装置)以启动对相应子块的读取刷新操作。因此，如在图4b中所展示从存取阶段405-a到读取刷新操作410-a的转变可基于读取刷新操作被启动而发生。
65.在t2期间，可发生读取刷新操作410-a。在读取刷新操作410-a期间，可向存储器胞元施加读取脉冲以确定其逻辑状态。如在图4b中所展示，当施加读取脉冲时，存储器胞元可经历骤回事件。骤回事件的特征可在于横跨存储器胞元的偏压420的增加。骤回事件的发生可指示存储器胞元被编程到set状态。在此类实例中，存储器胞元可被编程到reset状态，且然后被编程(例如，重新编程)到set状态。将存储器胞元重新编程到set状态可加强存储到单元的数据，这可最小化数据损坏及/或数据丢失。在一些实例中，在t3期间，可发生一或多个存储器胞元的第二存取阶段(例如，后续存取阶段)。
66.在读取频率比其被写入高的存储器胞元中，读取刷新操作可为读取操作的有益替代。执行一或多个虚拟写入操作以将存储器胞元刷新到reset状态可花费时间并且功率可降低存储器装置的效率。在一些状况下，可实施不同的读取刷新操作(用不同的操作码)。例如，当满足时间段期间的读取操作的第一阈值时，第一读取刷新操作可执行“软”刷新作为
读取操作的一部分。在另一实例中，当满足在时间段期间的读取操作的第二阈值(例如，高于第一阈值)时，第二读取刷新操作可执行“完全”刷新作为读取操作的一部分。
67.图5说明根据如本文中所公开的实例支持读取刷新操作的时序图500的实例。时序图500可说明对存储器阵列执行的一或多个存取操作。存储器阵列可包含一或多个子块，且每一子块可含有多个存储器胞元。因此，时序图500可说明对存储器胞元的任何一个存储器胞元子块执行的存取操作。在一些实例中，时序图500可说明存取阶段505的方面及读取刷新操作510的方面。读取刷新操作510可为对被编程为第一逻辑状态(例如，reset状态)的存储器胞元执行的软读取刷新操作510的实例。
68.在t1期间，可发生存取阶段505。通过在存取阶段505期间施加存取偏压，可读取或写入子块的一或多个存储器胞元。为了读取存储器胞元的内容，可横跨存储器胞元施加读取存取偏压，且存储器胞元的所得电流-电压行为可指示其所存储状态。为了将数据写入到子块的一或多个存储器胞元，可横跨存储器胞元施加写入存取偏压以将单元编程到set状态或reset状态。
69.在t2期间，可发生读取刷新操作510。读取刷新操作510可基于对相关联的子块执行的存取操作的数量而启动。如参考图7所描述，存储器装置可包含计数器，其经配置以跟踪(例如，计数)对存储器阵列的每一子块执行的存取操作的数量。在特定持续时间(例如，一小时)之后，尚未经历一定数量的存取操作的每一子块可经历读取刷新操作。例如，任何经历少于阈值数量的存取操作的子块可经历读取刷新操作以读取及刷新每一存储器胞元的内容。执行读取刷新操作可防止(例如，减轻)由于执行相对低数量的写入操作而导致的编程逻辑状态转变导致的数据丢失及/或损坏，可减少与存储器装置相关联的总体等待时间，且可降低用于刷新存储器胞元的电路系统的复杂性。
70.在一些实例中，对相应子块执行的存取操作的数量可触发待执行的不同读取刷新操作。例如，当读取刷新操作的数量下降低于第一阈值(但高于第二阈值)时，可执行第一类型的读取刷新操作。另外或替代地，当读取刷新操作的数量下降低于第二阈值时，可执行第二类型的读取刷新操作。第一类型读取刷新操作可被称为软读取刷新操作，且可参考图5进行描述。
71.为了启动读取刷新操作510，相关联的存储器装置可从主机装置接收操作码。在读取刷新操作510期间，可向存储器胞元施加读取脉冲以确定其逻辑状态。如在图5中所展示，当施加读取脉冲时，存储器胞元可不经历骤回事件。相反，施加读取脉冲可导致横跨存储器胞元的偏压515不增加，这可指示存储器胞元被编程到reset状态。
72.当确定存储器胞元被编程到reset状态时，可期望确定存储器胞元的电压分布是否不合需要地高。当被编程到reset状态的存储器胞元的电压分布增加时，数据损坏的可能性增加。因此，在此情况下，确定存储器胞元的电压分布及/或重新编程(例如，刷新)存储器胞元可为有益的。因此，当确定存储器胞元被编程到reset状态时，可向存储器胞元施加第二脉冲(例如，不同于读取电压的第二电压)，这可减小横跨存储器胞元的偏压520。
73.向存储器胞元施加第二脉冲可致使存储器胞元经历骤回事件。骤回事件的特征可在于横跨存储器胞元的偏压530的增加。在此情况下，骤回事件的发生可指示存储器胞元的电压分布不合需要地高。因此，当发生骤回事件时，可向存储器胞元施加编程脉冲535(例如，不同于读取电压及第二电压的第三电压)。编程脉冲535可将存储器胞元编程(例如，重
新编程)到reset状态，这可减少(例如，标准化)存储器胞元的电压分布。也就是说，对存储器胞元重新编程可降低与存储器胞元相关联的数据损坏及/或数据丢失的可能性。
74.在一些实例中，所施加的电压525之间的差异可为可配置的。例如，所施加电压525之间的差异可为设计选择的问题。在一些实例中，可期望刷新(例如，复位)具有相对较低或相对较高电压分布的存储器胞元。调整所施加的电压525之间的差可导致存储器胞元基于其电压分布经历(或不经历)骤回事件，这可导致存储器胞元被刷新或不被刷新。
75.在其它实例(未展示)中，可向存储器胞元施加读取脉冲以确定其逻辑状态。当施加读取脉冲时，存储器胞元可经历骤回事件，这可指示存储器胞元被编程到set状态。当确定存储器胞元被编程到set状态时，存储器胞元可不被刷新(例如，重新编程)。相反，在软读取刷新操作510期间，被编程为set状态的存储器胞元可不被刷新且可保持在相同的编程set状态。
76.执行软读取刷新操作510可为设计选择的问题(例如，如与如参考图6所描述的完全读取刷新操作610相比)且可特定于由存储器装置接收的操作码。在软读取刷新操作510期间，如果确定存储器胞元被编程为set状态，那么存储器胞元可不被刷新(例如，重新编程)。当确定存储器胞元被编程到reset状态时，reset状态可被编程(例如，重新编程)到存储器胞元。
77.与完全读取刷新操作相比，简单地将存储器胞元重新编程到reset状态可消耗更少的时间及功率。然而，软读取刷新操作510可不像完全读取刷新操作那样强烈地加强存储器胞元的reset状态，因此可需要更频繁地执行软读取刷新操作。因为软读取刷新操作510可需要比完全读取刷新操作更频繁地执行，所以确定计数器值的持续时间以及可触发软读取刷新操作510的写入操作的数量可不同于进行完全读取刷新操作。
78.在执行读取刷新操作510(或不对被编程为set状态的存储器胞元执行)之后，相关联子块可恢复存取阶段(例如存取阶段505)。例如，在t3期间，可发生一或多个存储器胞元的第二存取阶段(例如，后续存取阶段)。可复位与子块相关联的计数器，且可在稍后时间(例如，在t3期间或其之后)确定是否待对子块执行随后读取刷新操作。
79.图6说明根据如本文中所公开的实例支持读取刷新操作的时序图600的实例。时序图600可说明对存储器阵列执行的一或多个存取操作。存储器阵列可包含一或多个子块，且每一子块可含有多个存储器胞元。因此，时序图600可说明对任何一个存储器胞元子块的存储器胞元执行的存取操作。在一些实例中，时序图600可说明存取阶段605的方面及读取刷新操作610的方面。读取刷新操作610可为对被编程为第一逻辑状态(例如，reset状态)的存储器胞元执行的完全读取刷新操作610的实例。
80.存取阶段605可在t1期间发生。在存取阶段605期间，可通过施加存取偏压来读取或写入子块的一或多个存储器胞元。为了读取存储器胞元的内容，可横跨存储器胞元施加读取存取偏压，且存储器胞元的所得电流-电压行为可指示其所存储状态。为了将数据写入到子块的一或多个存储器胞元，可横跨存储器胞元施加写入存取偏压以将单元编程到set状态或reset状态。
81.在t2期间，可发生读取刷新操作610。读取刷新操作610可基于对相关联的子块执行的存取操作的数量而启动。如参考图7所描述，存储器装置可包含计数器，其经配置以跟踪(例如，计数)对存储器阵列的每一子块执行的存取操作的数量。在特定持续时间(例如，
一小时)之后，尚未经历一定数量的存取操作的每一子块可经历读取刷新操作。例如，任何经历少于阈值数量的存取操作的子块可经历读取刷新操作以读取及刷新每一存储器胞元的内容。
82.当子块(例如，在持续时间期间)相对读取操作接收相对小数量的存取操作时，被编程到reset状态的存储器胞元可转变(例如，漂移)到set状态，这可将不期望的错误引入到数据中。因此，计数器可随时间跟踪对任何子块执行的写入操作的数量。当对子块执行的写入操作的数量不合需要地低时，可期望刷新一些存储器胞元。特定来说，可期望刷新被编程到reset状态的存储器胞元以防止(例如，减轻)经编程状态转变到set状态。
83.在一些实例中，确定对每一子块执行的存取操作的数量的持续时间可为可配置的且可为设计选择的问题。因为可期望比其它操作(例如，完全读取刷新操作)更频繁地执行一些读取刷新操作(例如，软读取刷新操作)，所以可更频繁地(例如，五(5)分钟、十(10)分钟、三十(30)分钟、四十五(45)分钟、六十(60)分钟等)确定所执行的存取操作的数量。在其它实例中，可期望执行一些读取刷新操作(例如，完全读取刷新操作)的频率低于其它操作(例如，软读取刷新操作)，因此可较不频繁地(例如，一(1)小时、两(2)小时、三(3)小时等)确定所执行的存取操作的数量。执行读取刷新操作可防止(例如，减轻)由于执行相对低数量的写入操作而导致的编程逻辑状态转变导致的数据丢失及/或损坏，可减少与存储器装置相关联的总体等待时间，且可降低用于刷新存储器胞元的电路系统的复杂性。
84.在一些实例中，对相应子块执行的存取操作的数量可触发待执行的不同读取刷新操作。例如，当读取刷新操作的数量下降低于第一阈值(但高于第二阈值)时，可执行第一类型的读取刷新操作。另外或替代地，当读取刷新操作的数量下降低于第二阈值时，可执行第二类型的读取刷新操作。第二类型读取刷新操作可被称为全读刷新操作，且可下文参考图6进行描述。
85.执行完全读取刷新操作610可为设计选择的问题(例如，如与如参考图5所描述的软读取刷新操作510相比)且可特定于由存储器装置接收的操作码。在完全读取刷新操作610期间，如果确定存储器胞元被编程为set状态，那么存储器胞元可不被刷新(例如，重新编程)。当确定存储器胞元被编程到reset状态时，存储器胞元可被编程(例如，临时编程)到set状态，且然后返回到reset状态。
86.将存储器胞元编程到set状态且然后将存储器胞元重新编程到reset状态可比软读取刷新操作消耗更多的时间及功率。然而，软读取刷新操作610可比软读取刷新操作更强烈地加强存储器胞元的reset状态，因此可需要较不频繁地执行完全读取刷新操作。因为完全读取刷新操作610可需要比软读取刷新操作较不频繁地执行，所以确定计数器的值的持续时间及可触发完全读取刷新操作610的写入操作的数量可不同于用于软读刷新操作。
87.为了启动读取刷新操作610，相关联的存储器装置可从主机装置接收一或多个操作码。在读取刷新操作610期间，可向存储器胞元施加第一脉冲(例如，偏压615)以确定其逻辑状态。如在图6中所展示，当施加第一脉冲时，存储器胞元可不经历骤回事件。相反，施加第一脉冲可导致横跨存储器胞元的偏压不增加，这可指示存储器胞元被编程到reset状态。
88.当确定在施加读取脉冲时未发生骤回事件时，使用施加有不同极性(例如，极性相反)的第二脉冲(例如，偏压620)读取存储器胞元可为有益的。因此，可向存储器胞元施加第二脉冲(以及确定为被编程到reset状态的其它存储器胞元)。施加可经施加有不同极性(例
如，相反极性)的第二读取脉冲可增加横跨存储器胞元的偏压。第二脉冲可为与第一脉冲相反的极性，在一些状况下，第一脉冲可复位与存储器胞元相关联的漂移时钟。在一些实例中，可以比读取脉冲(以及在存取阶段605期间施加的读取脉冲)更大的量级来施加第二读取脉冲以最小化胞元干扰。施加第二读取脉冲可导致存储器胞元(及被编程为reset状态的其它存储器胞元)经历骤回事件。骤回事件的特征可为横跨存储器胞元的偏压减小。
89.当确定存储器胞元被编程到reset状态时，存储器胞元可被临时编程到set状态。为了将存储器胞元编程到set状态，可向存储器胞元(以及经历骤回事件的其它存储器)施加第三脉冲(例如，偏压630)。可以与第二脉冲不同的极性(例如，相反极性)来施加第三脉冲。在一些实例中，可以与第一脉冲相同的极性来施加第三脉冲。施加第三脉冲以将存储器胞元编程到set状态可减小横跨存储器胞元的偏压630。在一些状况下，偏压630可将存储器胞元编程到set状态，这可将存储器胞元从由于一段时间的读取操作的累积而出现的状态刷新。
90.在将存储器胞元编程到set状态之后，可期望将存储器胞元编程(重新编程)到reset状态以完成完全读取刷新操作610。因此，在将存储器胞元编程到set状态之后，可向存储器胞元施加第四脉冲(例如，偏压635)，这可增加横跨存储器胞元的偏压。第四脉冲可将存储器胞元编程(例如，重新编程)到reset状态，这可减少(例如，标准化)存储器胞元的电压分布。也就是说，对存储器胞元重新编程可降低与存储器胞元相关联的数据损坏及/或数据丢失的可能性。
91.在其它实例中，可向存储器胞元施加读取脉冲以确定其逻辑状态。当施加读取脉冲时，存储器胞元可经历骤回事件，这可指示存储器胞元被编程到set状态。当确定存储器胞元被编程到set状态时，存储器胞元可不被刷新(例如，重新编程)。相反，在完全读取刷新操作610期间，被编程为set状态的存储器胞元可未被刷新且可保持在相同的经编程set状态。
92.在其它实例中，可向存储器胞元施加读取脉冲以确定其逻辑状态。当施加读取脉冲时，存储器胞元可经历骤回事件，这可指示存储器胞元被编程到set状态。当确定存储器胞元被编程到set状态时，可施加编程脉冲(例如，第一编程脉冲)以将存储器胞元编程到reset状态，随后是编程脉冲(例如，第二编程脉冲)以将存储器胞元编程(例如，重新编程)到set状态。刷新被编程到set状态的存储器胞元可降低与存储器胞元相关联的数据损坏及/或数据丢失的可能性。
93.在执行读取刷新操作610(或不对被编程为set状态的存储器胞元执行)之后，相关联子块可恢复存取阶段(例如存取阶段605)。例如，在t3期间，可发生一或多个存储器胞元的第二存取阶段(例如，后续存取阶段)。可复位与子块相关联的计数器，且可在稍后时间(例如，在t3期间或其之后)确定是否待对子块执行随后读取刷新操作。
94.图7说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的存储器系统700的实例。存储器系统700可包含存储器装置705，所述存储器装置包含多个存储器胞元。存储器胞元可被细分为子块710(例如，存储器胞元的子块)。例如，存储器装置705可包含被细分为子块710-a到710-p的一定数量的存储器胞元。存储器装置705可包含或可与计数器715耦合，计数器经配置以跟踪对子块710执行的存取操作的数量(例如，写入操作的数量)。计数器715可包含表720或可与表720耦合，表经配置以跟踪(例如，存储)在一段时间内对每一子块
710执行的存取操作的数量。基于对任何一个子块710执行的存取操作的数量，可对相关联子块710执行读取刷新操作。
95.计数器715可经配置以跟踪在一段时间内对存储器装置705的子块710执行的存取操作的数目。例如，计数器715可跟踪对子块710-a到710-p中的每一个执行的存取操作。每当存取(例如，写入)子块710的存储器胞元时，计数器715可递增与相应子块相关联的值。此外，在预定义时间段，计数器715可将跟踪的存取操作数目存储到表720。例如，计数器715可每隔一秒(1s)将每一子块710的跟踪的存取操作数目传送到表720。计数器715将每一子块710的跟踪的存取操作数目存储到表720的时间可为可配置的。在一些实例中，可基于存储器装置705是否经配置以接收软读取刷新命令、完全读取刷新命令或两者来设置时间，如参考图5及6所论述。
96.当确定对任何一个子块710执行读取刷新操作时，可使用存储到表720的每一子块710的跟踪的存取操作数目。如本文中所论述，可基于存取操作数目在一段时间内相对低而对子块710执行读取刷新操作。例如，表720的内容可每小时提供给装置(例如，存储器控制器或主机装置)。如果某些子块710在前一小时没有经历阈值数目的存取操作(例如，写入操作)，那么用于执行读取刷新操作的操作代码可被发射到存储器装置705(例如，从存储器控制器或主机装置)。将表720的内容提供给装置的时间可为可配置的。
97.在一些实例中，用于执行软读取刷新操作的阈值(例如，如参考图5所描述)可不同于用于执行完全读取刷新操作的阈值(例如，如参考图6所描述)。例如，执行完全读取刷新操作的阈值可低于执行软读取刷新操作的阈值。因此，可对不满足第一阈值存取操作数目(例如，相对较低阈值)的任何子块710执行完全读取刷新操作，且可对超过第一阈值存取操作数目但不满足第二存取操作阈值(例如，比第一阈值相对更高的阈值)的任何子块710执行软读取刷新操作。在一些实例中，发射到存储器装置705的操作代码可指示待执行哪个读取刷新操作并且可基于存储到表720的存取操作的数目。
98.计数器715可跟踪并且表720可独立地存储与set状态及reset状态相关联的存取操作的数目。例如，可期望比set单元更频繁地对reset单元执行读取刷新操作以最小化数据损坏及/或数据丢失。因此，表720中与reset操作相关联的条目可比表720中与set操作相关联的条目更频繁地提供给装置(例如，存储器控制器或主机装置)。用于对set状态及reset状态执行软读取刷新操作及完全读取刷新操作的阈值可为可独立配置的。
99.当对子块710执行完全读取刷新操作时，可复位表720中的相关联条目。例如，可对子块710-h执行完全读取刷新操作。在执行读取刷新操作时，可复位与子块710-h相关联的表条目(例如，复位为零(0))。另外或替代地，当对子块710执行软读取刷新操作时，可复位或减少表720中的相关条目。例如，可对子块710-j执行软读取刷新操作。在执行读取刷新操作时，可复位与子块710-j相关联的表条目(例如，复位为零(0))或可将其减少到较低值(例如，预配置的值)。
100.作为实例，可对存储器装置705的子块710执行多个存取操作。每当对相应子块710执行写入操作时，计数器715可递增与被存取的子块相关联的值。每隔一秒(1s)，可将计数器715的内容存储到表。在存取操作一小时(1hr)之后，可将表720的内容发射到主机装置。例如，表的内容可展示子块710-h、710-j及710-p经历相对较少数目的写入操作。例如，子块710-h可已经历一百(100)次写入操作，子块710-j可已经历一千(1000)次写入操作，且子块
710-p可已经历一万(10000)次写入操作。其它子块(在一些状况下，所有其它子块)可在一小时内经历相对正常数量的写入操作(例如，每子块710 15e3个写入操作)。
101.在此实例中，执行完全读取刷新操作的阈值可小于两千(2000)个写入操作，且执行软读取刷新操作的阈值可大于两千(2000)个写入操作但低于两万(20000)个写入操作。因此，可基于由存储器装置705接收的操作代码对子块710-h及子块710-j执行完全读取刷新操作。在执行完全读取刷新操作之后，表720中的相关联条目可被复位为零(0)。
102.另外或替代地，可基于由存储器装置705接收的操作代码对子块710-p执行软读取刷新操作。此操作代码可不同于接收到的用于对子块710-h及子块710-j执行读取刷新操作的操作代码。在执行软读取刷新操作之后，表720中的相关联条目可减少到五千(5000)。然后可对存储器装置705恢复执行存取操作，且在随后一小时(1小时)之后，可将表720的内容发射到主机装置。以此方式执行读取刷新操作可最小化存储器装置705的子块710的数据损坏及/或数据丢失。
103.图8展示根据如本文中所公开的实例支持读取刷新操作的存储器装置805的框图800。存储器装置805可为如参考图4到7所描述的存储器装置的方面的实例。存储器装置805可包含确定组件810、启动组件815、读取组件820、刷新组件825、应用组件830、检测组件835、写入组件840、阈值化组件845、接收组件850、递增组件855、识别组件860、执行组件865及复位组件870。这些模块中的每一个可彼此直接或间接地通信(例如，经由一或多个总线)。
104.确定组件810可确定对存储器阵列的子块执行的存取操作的数量，该子块包括一组包含硫属化物存储元件的存储器胞元。在一些实例中，确定组件810可基于对所述组子块中的子块执行的存取操作的数量而确定对所述子块执行与第一阈值相关联的第一读取刷新操作或与第二阈值相关联的第二读取刷新操作。在一些实例中，确定组件810可基于施加第一电压而确定与至少一个存储器胞元相关联的骤回事件是否发生。
105.启动组件815可基于确定对子块执行的存取操作的数量而启动对子块的读取刷新操作。
106.作为读取刷新操作的一部分，读取组件820可基于启动读取刷新操作而读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态。在一些实例中，读取组件820可从子块的至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态。在一些实例中，读取第一逻辑状态包含向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一量级及第一极性的第一电压。在一些实例中，读取第一逻辑状态包含向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一极性的第三电压。在一些状况下，读取刷新操作包含读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态的单个操作。
107.作为读取刷新操作的一部分，刷新组件825可基于逻辑状态刷新子块的至少一个存储器胞元。在一些实例中，刷新组件825可基于在施加第一电压之后检测到骤回事件而避免刷新子块的至少一个存储器胞元。
108.施加组件830可基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而向至少一个存储器胞元施加具有第一量级的第一电压。在一些实例中，施加组件830可基于在施加第一电压之后未发生的骤回事件向子块的至少一个存储器胞元施加具有大于第一电压的第一量级的第二量级的第二电压。在一些实例中，施加组件830可基于检测到与施加第二电压相关联的骤回事件而向至少一个存储器胞元施加第三电压，所述第三电压具有第三量级及不同于第一
电压及第二电压的第二极性的第一极性。
109.在一些实例中，应用组件830可基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而向至少一个存储器胞元施加具有第一量级的第一电压。在一些实例中，施加组件830可基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而向至少一个存储器胞元施加具有第一量级的第一电压。在一些实例中，应用组件830可向至少一个存储器胞元施加具有第一量级及第一极性的第一电压，以基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而确定至少一个存储器胞元是否存储第二逻辑状态。
110.在一些实例中，应用组件830可向至少一个存储器胞元施加具有第二量级及第二极性的第二电压，以基于骤回事件在施加第一电压之后不会发生而将至少一个存储器胞元阈值化到第一逻辑状态。在一些实例中，施加组件830可基于施加第二电压而向子块的至少一个存储器胞元施加具有第三量级及第一极性的第三电压以将第二逻辑状态写入到至少一个存储器胞元。在一些实例中，施加组件830可向子块的至少一个存储器胞元施加具有第四量级及第二极性的第四电压以基于施加第四电压而将逻辑状态写入到至少一个存储器胞元。在一些实例中，施加组件830可向子块的至少一个存储器胞元施加第一电压。
111.检测组件835可基于施加第二电压而检测与至少一个存储器胞元相关联的骤回事件发生，其中刷新子块的至少一个存储器胞元是基于检测骤回事件。在一些实例中，检测组件835可基于施加第一电压检测与至少一个存储器胞元相关联的骤回事件发生。
112.写入组件840可基于检测到与施加第二电压相关联的骤回事件而使用具有与第一电压及第二电压不同极性的第三电压将逻辑状态重写到子块的至少一个存储器胞元。在一些实例中，写入组件840可基于从子块的至少一个存储器胞元读取逻辑状态，将不同于逻辑状态的第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元。
113.在一些实例中，写入组件840可基于将第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元而将逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元。在一些实例中，写入组件840可在从至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态之后将第一逻辑状态写入到至少一个存储器胞元。在一些实例中，写入第一逻辑状态包含向子块的至少一个存储器胞元施加具有第二量级及不同于第一极性的第二极性的第二电压。
114.在一些实例中，写入第二逻辑状态包含向子块的至少一个存储器胞元写入具有与第一极性不同的第二极性的第四电压。在一些实例中，写入第一逻辑状态包含向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一极性的第五电压。在一些实例中，写入组件840可在将第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元之前发生将第一逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元。
115.阈值化组件845可基于在施加第一电压之后未发生的骤回事件而将子块的至少一个存储器胞元阈值化到第一逻辑状态，其中写入第二逻辑状态是基于将子块的至少一个存储器胞元阈值化。
116.接收组件850可接收操作代码以基于对子块执行的存取操作的数量而启动读取刷新操作。在一些实例中，接收组件850可从主机装置接收第一操作代码，以基于在满足第一阈值的第一持续时间内对子块执行的存取操作的第一数量而执行第一类型的读取刷新操作。
117.在一些实例中，接收组件850可从主机装置接收第二操作代码，以基于在满足第二
阈值的第二持续时间内对子块执行的存取操作的第二数量而执行第二类型的读取刷新操作。在一些实例中，接收组件850可接收经配置以启动第一读取刷新操作的第一操作代码。在一些实例中，接收组件850可接收经配置以基于对子块执行的存取操作的数量而启动第二读取刷新操作的第二操作代码。
118.递增组件855可基于对子块执行的存取操作而递增计数器，其中读取刷新操作是至少部分地基于计数器的值不超过阈值而执行。在一些实例中，递增组件855可基于执行存取操作而递增存储到与所述组子块中的至少一个相关联的计数器表的值，其中计数器表经配置以跟踪对存储器阵列的每一子块执行的存取操作的数量。
119.识别组件860可识别对存储器阵列的一组子块中的每一个执行的存取操作的数量，每一子块包含一组包含硫属化物存储元件的存储器胞元。在一些实例中，识别组件860可基于计数器表的值而识别以周期性速率对存储器阵列的所述组子块中的每一个执行的存取操作的数量。在一些实例中，识别组件860可基于对存储器阵列的所述组子块中的至少一个执行存取操作而识别计数器表的最低值。
120.执行组件865可基于对子块执行的存取操作的数量满足第一阈值且未能满足第二阈值而对子块执行第一读取刷新操作。在一些实例中，执行组件865可对存储器阵列的所述组子块中的至少一个执行存取操作。在一些实例中，执行组件865可对与计数器表的最低值相关联的子块执行第一读取刷新操作。在一些状况下，对子块执行第二读取刷新操作可基于对未满足低于第一阈值的第二阈值的子块执行的存取操作的数量。第二读取刷新操作可包含从子块的至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态，在读取第一逻辑状态之后将第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元，及在读取第一逻辑状态之后，将第一逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元。
121.复位组件870可基于对相关联子块执行第一读取刷新操作或第二读取刷新操作而复位计数器表的相应值。
122.图9展示说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的一或多种方法900的流程图。方法900的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件实施。例如，方法900的操作可由如参考图8所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
123.在905，存储器装置可确定对存储器阵列的子块执行的存取操作的数量，所述子块包含一组包含硫属化物存储元件的存储器胞元。可根据本文中所描述的方法执行905的操作。在一些实例中，905的操作的方面可由如参考图8所描述的确定组件执行。
124.在910，存储器装置可基于确定对子块执行的存取操作的数量而启动对子块的读取刷新操作。910的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，910的操作的方面可由如参考图8所描述的启动组件来执行。
125.在915，作为读取刷新操作的一部分，存储器装置可基于启动读取刷新操作而读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态。915的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，915的操作的方面可由如参考图8所描述的读取组件来执行。
126.在920，作为读取刷新操作的一部分，存储器装置可基于逻辑状态而刷新子块的至少一个存储器胞元。920的操作可根据本文中所描述的方法执行。在一些实例中，920的操作
的方面可由如参考图8所描述的刷新组件来执行。
127.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法900。设备可包含用于进行以下操作的特征、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：确定对存储器阵列的子块执行的存取操作的数量，所述子块包含一组包含硫属化物存储元件的存储器胞元；基于确定对子块所执行的存取操作的数量，启动对子块的读取刷新操作；作为读取刷新操作的一部分，基于启动读取刷新操作而读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态；及作为读取刷新操作的一部分，基于逻辑状态而刷新子块的至少一个存储器胞元。
128.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而向至少一个存储器胞元施加具有第一量级的第一电压，基于在施加第一电压之后未发生的骤回事件而向子块的至少一个存储器胞元施加具有大于第一电压的第一量级的第二量级的第二电压，及基于施加第二电压而检测与至少一个存储器胞元相关联的骤回事件发生，其中刷新子块的至少一个存储器胞元可基于检测骤回事件。
129.在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，刷新子块的至少一个存储器胞元可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于检测到与施加第二电压相关联的骤回事件而使用具有与第一电压及第二电压不同极性的第三电压将逻辑状态重写到子块的至少一个存储器胞元。
130.在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，刷新子块的至少一个存储器胞元可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于检测到与施加第二电压相关联的骤回事件而向至少一个存储器胞元施加第三电压，所述第三电压具有第三量级及不同于第一电压及第二电压的第二极性的第一极性。
131.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而向至少一个存储器胞元施加具有第一量级的第一电压，基于施加第一电压而检测与至少一个存储器胞元相关联的骤回事件发生，及基于在施加第一电压之后检测到骤回事件而避免刷新子块的至少一个存储器胞元。
132.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于从子块的至少一个存储器胞元读取逻辑状态而将不同于逻辑状态的第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元，及基于将第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元而将逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元。
133.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而向至少一个存储器胞元施加具有第一量级的第一电压，及基于在施加第一电压之后未发生骤回事件而将子块的至少一个存储器胞元阈值化，其中写入第二逻辑状态可基于将子块的至少一个存储器胞元阈值化。
134.在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，将子块的至少一个存储器胞元阈值化可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：向至少一个存储器胞元施加具有第一量级及第一极性的第一电压以基于读取至少一个存储器胞元的逻辑状态而确定至
少一个存储器胞元是否存储第二逻辑状态，向至少一个存储器胞元施加具有第二量级及第二极性的第二电压以基于在施加第一电压之后未发生骤回事件而将至少一个存储器胞元阈值化到第一逻辑状态，基于施加第二电压而向子块的至少一个存储器胞元施加具有第三量级及第一极性的第三电压以将第二逻辑状态写入到至少一个存储器胞元，及向子块的至少一个存储器胞元施加具有第四量级及第二极性的第四电压以基于施加第四电压而将逻辑状态写入到至少一个存储器胞元。
135.在本文所述的方法900及设备的一些实例中，读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：向所述子块的至少一个存储器胞元施加第一电压，及基于施加所述第一电压而确定与所述至少一个存储器胞元相关联的骤回事件是否发生。
136.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：接收操作代码以基于对子块执行的存取操作的数量而启动读取刷新操作。
137.在本文中所描述的方法900及设备的一些实例中，读取刷新操作包含用以读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态的单个操作。
138.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：从主机装置接收第一操作代码，以基于在满足第一阈值的第一持续时间内对子块执行的存取操作的第一数量而执行第一类型的读取刷新操作，及从主机装置接收第二操作代码，以基于在满足第二阈值的第二持续时间内对子块执行的存取操作的第二数量而执行第二类型的读取刷新操作。
139.本文中所描述的方法900及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于对子块执行的存取操作而递增计数器，其中读取刷新操作可是至少部分地基于计数器的值不超过阈值而执行。
140.图10展示说明根据如本文中所公开的实例的支持读取刷新操作的一或多种方法1000的流程图。方法1000的操作可由如本文中所描述的存储器装置或其组件来实施。例如，方法1000的操作可由如参考图8所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行指令集以控制存储器装置的功能元件以执行所描述的功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行所描述功能的方面。
141.在1005处，存储器装置可识别对存储器阵列的一组子块中的每一个执行的存取操作的数量，每一子块包含一组包含硫属化物存储元件的存储器胞元。1005的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1005的操作的方面可由如参考图8所描述的识别组件执行。
142.在1010，存储器装置可基于对子块执行的存取操作的数量，确定对所述组子块中的子块执行与第一阈值相关联的第一读取刷新操作或与第二阈值相关联的第二读取刷新操作。1010的操作可根据本文中所描述之方法执行。在一些实例中，1010的操作的方面可由如参考图8所描述的确定组件来执行。
143.在1015，存储器装置可基于对子块执行的存取操作的数量满足第一阈值且未能满足第二阈值而对子块执行第一读取刷新操作。1015的操作可根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，1015的操作的方面可由如参考图8所描述的执行组件来执行。
144.在一些实例中，如本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法1000。设备可包含用于进行以下操作的特征、装置或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：识别对存储器阵列的一组子块中的每一个执行的存取操作的数量，每一子块包含一组包含硫属化物存储元件的存储器胞元；基于对子块执行的存取操作的数量而确定对所述组子块中的子块执行与第一阈值相关联的第一读取刷新操作或与第二阈值相关联的第二读取刷新操作；及基于对子块执行的存取操作的数量满足第一阈值且未能满足第二阈值而对子块执行第一读取刷新操作。
145.在本文中所描述的方法1000及设备的一些实例中，第一读取刷新操作可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：从子块的至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态，及在从至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态之后，将第一逻辑状态写入到至少一个存储器胞元。
146.在本文中所描述的方法1000及设备的一些实例中，读取第一逻辑状态可包含用于向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一量级及第一极性的第一电压的操作、特征、装置或指令，且写入第一逻辑状态可包含用于向子块的至少一个存储器胞元施加将具有第二量级及可不同于第一极性的第二极性的第二电压的操作、特征、装置或指令。
147.本文中所描述的方法1000及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于对子块执行的存取操作的数量未能满足第二阈值而对子块执行第二读取刷新操作，所述第二阈值可低于第一阈值，其中第二读取刷新操作包含。
148.在本文中所描述的方法1000及设备的一些实例中，读取第一逻辑状态可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一极性的第三电压，写入第二逻辑状态可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：向子块的至少一个存储器胞元施加具有可不同于第一极性的第二极性的第四电压，及写入第一逻辑状态可包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一极性的第五电压。
149.本文中所描述的方法1000及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：在将第二逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元之前发生将第一逻辑状态写入到子块的至少一个存储器胞元。
150.本文中所描述的方法1000及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于对子块执行的存取操作的数量，接收经配置以启动第一读取刷新操作的第一操作代码，及接收经配置以启动第二读取刷新操作的第二操作代码。
151.本文中所描述的方法1000及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：对存储器阵列的所述组子块中的至少一个执行存取操作，及基于执行存取操作而递增存储到与所述组子块中的至少一个相关联的计数器表的值，其中计数器表可经配置以跟踪对存储器阵列的每一子块执行的存取操作的数量。
152.本文中所描述的方法1000及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的操作、特征、装置或指令：基于计数器表的值而识别以周期性速率对存储器阵列的所述组子块中的每一个执行的存取操作的数量，及基于对相关联子块执行第一读取刷新操作或第二读取刷新操作而复位计数器表的相应值。
153.本文中所描述的方法1000及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下操作的
操作、特征、装置或指令：基于对存储器阵列的所述组子块中的至少一个执行存取操作而识别计数器表的最低值，及对与计数器表的最低值相关联的子块执行第一读取刷新操作。
154.应注意，上文所描述方法描述可能实施方案，且可重新布置或以其它方式修改操作及步骤，且其它实施方案为可能的。此外，可组合来自两种或多于两种方法的部分。
155.描述一种设备。所述设备可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含一组子块，每一子块包含一组存储器胞元，每一存储器胞元包含硫属化物存储元件，与所述存储器阵列耦合的控制器，所述控制器可操作以：基于确定对子块所执行的存取操作的数量，启动对子块的读取刷新操作；作为读取刷新操作的一部分，基于启动读取刷新操作而读取子块的至少一个存储器胞元的逻辑状态；及作为读取刷新操作的一部分，基于逻辑状态而刷新子块的至少一个存储器胞元。
156.一些实例可进一步包含藉由启动向子块的至少一个存储器胞元施加具有第一量级及第一极性的第一电压来从子块的至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态，及在从至少一个存储器胞元读取第一逻辑状态之后通过启动向子块的至少一个存储器胞元施加具有第二量级及可不同于第一极性的第二极性的第二电压来将第一逻辑状态写入到少一个存储器胞元。
157.可使用多种不同技术及技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息及信号。例如，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任一组合来表示可贯穿上文描述所提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。一些图式可将信号说明为单一信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，信号可表示信号的总线，其中总线可具有各种位宽度。
158.术语“电子通信”、“导电触点”、“连接”及“耦合”可指代支持组件之间信号流的组件之间的关系。如果组件之间存在任何可随时支持组件之间信号流的导电路径，那么认为组件彼此电子通信(或与其导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子通信(或与其导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可为开路或闭路。所连接的组件之间的导电路径可为组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可为间接导电路径，所述间接导电路径可包含中间组件，例如开关、晶体管或其它组件。在一些实例中，例如，使用例如开关或晶体管的一或多个中间组件，可将所连接组件之间的信号流中断一段时间。
159.术语“耦合”指代从组件之间的开路关系(其中信号目前不能够在经由导电路径在组件之间通信)移动到组件之间闭路关系(其中信号能够经由导电路径在组件之间通信)的状态。当组件(例如控制器)将其它组件耦合在一起时，所述组件启动改变，所述改变允许信号经由先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动。
160.术语“隔离”指代组件之间的关系，其中信号当前不能够在组件之间流动。如果组件之间存在开路，那么将组件彼此隔离。例如，当位于组件之间的开关断开时，由所述开关分离的两个组件彼此隔离。当控制器将两个组件隔离时，控制器会影响改变，所述改变会阻止信号使用先前允许信号流动的导电路径在组件之间流动。
161.本文中所使用的术语“层”或“层级”是指几何结构(例如，相对于衬底)的层次或片。每一层或层级可具有三个维度(例如，高度、宽度及深度)，且可覆盖表面的至少一部分。例如，层或层级可为三维结构，其中二个维度大于第三个，例如，薄膜。层或层级可包含不同
的元件、组件及/或材料。在一些实例中，一层或级可由两个或多于两个子层或次级构成。
162.如本文中所使用，术语“电极”可指代电导体，且在一些实例中，可用作存储器胞元或存储器阵列的其它组件的电触点。电极可包含迹线、导线、导电线、导电层等，其在存储器阵列的元件或组件之间提供导电路径。
163.本文中所论述的装置，包含存储器阵列，可形成在半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底为半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物质(包含但不限于磷、硼或砷)掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂装置执行掺杂。
164.本文中所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)且包括三端子装置，包含源极、漏极及栅极。端子可通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可为导电的且可包括重掺杂(例如，简并)半导体区域。源极及漏极可由轻掺杂半导体区域或沟道分开。如果信道为n型(即，多数载流子为信号)，那么fet可被称为n型fet。若沟道为p型(即，多数载子为电洞)，那么fet可被称作为p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物覆盖。可通过向栅极施加电压来控制沟道电导率。例如，分别向n型fet或p型fet施加正电压或负电压可致使沟道变为导电的。当向晶体管栅极施加大于或等于晶体管的阈值电压的电压时，晶体管可“接通”或“激活”。当向晶体管栅极施加比晶体管的阈值电压小的电压时，晶体管可“关断”或“撤销激活”。
165.本文中所阐明的描述结合随附图式描述实例配置，且并不表示可被实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意谓“用作实例、例项或说明”，而非意谓“优选”或“优于其它实例”。为了提供对所描述技术的理解，详细描述包含特定细节。然而，可在无这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式展示众所周知的结构及装置以避免混淆所描述实例的概念。
166.在附图中，相似组件或特征可具有相同参考标签。此外，可通过在参考标签后接着破折号及在类似组件当中进行区分的第二标签而区分同一类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一参考标签，那么所述说明便适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任何一个，而不管第二参考标签如何。
167.可使用多种不同技术及技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息及信号。例如，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任一组合来表示可贯穿上文描述所提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及码片。
168.因此，结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块及模块可运用经设计以执行本文中所描述的功能的以下各项来实施或执行：通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或其任何组合。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。还可将处理器实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。
169.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任一组合来实施。如果以由处理器执行的软件予以实施，那么所述功能可作为一或多个指令或代码而存储于
计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体进行发射。其它实例及实施方案在本公开及随附权利要求书的范围内。例如，由于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合来实施上文所描述的功能。实施功能的特征也可实际上位于各种位置处，包含经分布使得在不同物理部位处实施功能的部分。此外，如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在物项列表(例如，后面接以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的物项列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应被认作对条件的闭集的参考。例如，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者而不背离本公开的范围。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应在方式上应被认作与短语“至少部分地基于”相同。
170.提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。在不脱离本公开的范围的情况下，对本公开的各种修改对于所属领域的技术人员来说将显而易见，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式。因此，本公开并不限于本文中所描述的实例及设计，而是应符合与本文中所揭示的原理及新颖特征相一致的最广泛范围。