1.一种反熔丝电路，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元包含反相器，该反相器包含第一p型金属氧化半导体(pmos)晶体管以及第一n型金属氧化半导体(nmos)晶体管，该电流产生器包含分压器，该分压器包含串联的第一复制p型金属氧化半导体晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及第一复制n型金属氧化半导体晶体管，该反熔丝感测单元的该至少一电子元件包含该反相器的该第一p型金属氧化半导体晶体管以及该第一n型金属氧化半导体晶体管，该电流产生器的该至少一复制电子元件包含该分压器的该第一复制p型金属氧化半导体晶体管以及该第一复制n型金属氧化半导体晶体管，该第一复制p型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第一p型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格，该第一复制n型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第一n型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格。
3.根据权利要求2所述的反熔丝电路，其特征在于，该第一p型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于工作电压，该第一n型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于接地电压，该第一n型金属氧化半导体晶体管的栅极的电性连接该第一p型金属氧化半导体晶体管的栅极，该第一n型金属氧化半导体晶体管的漏极电性连接该第一p型金属氧化半导体晶体管的漏极，该第一复制p型金属氧化半导体晶体管的漏极直接连接该第一复制p型金属氧化半导体晶体管的栅极，该第一复制n型金属氧化半导体晶体管的漏极直接连接该第一复制n型金属氧化半导体晶体管的栅极。
4.根据权利要求2所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元还包含：
5.根据权利要求4所述的反熔丝电路，其特征在于，该电流产生器还包含：
6.根据权利要求5所述的反熔丝电路，其特征在于，该电流产生器还包含：
7.根据权利要求6所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元还包含电流镜，该电流镜包含：
8.一种反熔丝电路，其特征在于，包含：
9.根据权利要求8所述的反熔丝电路，其特征在于，该分压器中的该晶体管以及该反相器中的该晶体管为p型晶体管。
10.根据权利要求8所述的反熔丝电路，其特征在于，该分压器中的该晶体管以及该反相器中的该晶体管为n型晶体管。
11.根据权利要求8所述的反熔丝电路，其特征在于，该电压对电流单元包含正比于绝对温度电流源与互补于绝对温度电阻器相并联以提供该模拟电压。
12.根据权利要求11所述的反熔丝电路，其特征在于，该电压对电流单元包含：
13.根据权利要求12所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元包含感测晶体管电性耦接至该反熔丝，根据从该电流产生器的该电流以感测该反熔丝。
14.根据权利要求13所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元包含电流镜电性耦接至该输出晶体管以及该感测晶体管，其中该电流镜接收该电流以控制该感测晶体管。
15.根据权利要求13所述的反熔丝电路，其特征在于，该输出晶体管的规格相同于该感测晶体管的规格。
16.根据权利要求15所述的反熔丝电路，其特征在于，该输出晶体管以及该感测晶体管为p型晶体管。