用于读磁头设计的由硬偏置稳定的软偏置侧屏蔽件的制作方法

1.本公开的实施例大体上涉及包括读磁头的磁存储装置(例如磁带驱动器)以及其形成方法。


背景技术：

2.磁带数据存储装置是用于使用数字记录在磁带上存储数字信息的系统。磁带存储介质更通常封装于仓和盒中。磁带机在仓或盒中执行数据的写入或读取。常见的盒式磁带格式是具有各种密度的lto。
3.磁带机通过以下方式操作：通过磁过程使用带头记录和读回来自磁带的信息。带头可以具有伺服元件和数据元件，这些元件布置成时常称为带头阵列的阵列。
4.与磁带机中的传感器相邻的硬偏置元件可以具有高矫顽性，这可能会阻碍装置性能。软偏置元件具有较低矫顽性，但不稳定且甚至可能在磁带机的操作期间移动。软偏置元件还可以涉及信号分流，从而阻碍装置性能。
5.因此，本领域中需要一种具有软偏置元件的磁带机，所述磁带机有助于低矫顽性、软偏置元件的稳定性、减小的信号分流和增强的装置性能。


技术实现要素：

6.本公开大体上涉及包括读磁头的磁存储装置，例如磁带驱动器。读磁头包括安置在下屏蔽件与上屏蔽件之间的多个读取传感器。多个软偏置侧屏蔽件在交叉磁道方向上安置在多个读取传感器附近和外部。多个硬偏置侧屏蔽件安置在软偏置侧屏蔽件上并且与软偏置侧屏蔽件接触，以使软偏置侧屏蔽件稳定。多个软偏置侧屏蔽件中的每一个与下屏蔽件间隔开第一距离，并且硬偏置侧屏蔽件中的每一个与上屏蔽件间隔开第二距离，所述第一距离基本上等于所述第二距离。
7.在一个实施例中，读磁头包括：下屏蔽件；上屏蔽件；一条或多条下引线，其安置在下屏蔽件上方；一条或多条上引线，其安置在一条或多条下引线与上屏蔽件之间；多个读取传感器，其在介质面对表面处安置在一条或多条下引线与一条或多条上引线之间，多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构；多个软偏置侧屏蔽件，其安置在多个读取传感器之间和外部；以及多个硬偏置侧屏蔽件，其安置在多个软偏置侧屏蔽件上且与多个软偏置侧屏蔽件接触。
8.在另一实施例中，读磁头包括：下屏蔽件；下引线，其安置在下屏蔽件上方；反铁磁(afm)层，其安置在下引线上方；第一层，其安置在afm层上；以及多个读取传感器，其在介质面对表面(mfs)处安置在第一层上方，多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：afm层的部分和第一层的部分。读磁头进一步包括：多个软偏置侧屏蔽件，其安置在多个读取传感器之间和外部；多个硬偏置侧屏蔽件，其安置成与多个软偏置侧屏蔽件接触；一条或多条上引线，其安置在多个读取传感器上方；以及上屏蔽件，其安置在一条或多条上引线上方。
9.在又一实施例中，读磁头包括：下屏蔽件；上屏蔽件；一条或多条下引线，其安置在下屏蔽件上方；一条或多条上引线，其安置在一条或多条下引线与上屏蔽件之间；以及多个读取传感器，其在介质面对表面处安置在一条或多条下引线与一条或多条上引线之间，多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：缓冲层；安置在缓冲层上方的afm层；安置在afm层上方的自由层，所述自由层包括第一层和第二层；安置在自由层上方的屏障层；以及安置在屏障层上方的顶盖层。读磁头进一步包括：多个软偏置侧屏蔽件，其安置在每个读取传感器的第二层、屏障层和顶盖层附近和外部；以及多个硬偏置侧屏蔽件，其安置在多个软偏置侧屏蔽件上并且与多个软偏置侧屏蔽件接触。
附图说明
10.为了可以详细地理解本公开的上述特征，上文简短概述的本公开可以参考实施例加以更具体地描述，其中一些实施例在附图中说明。然而，应注意，附图仅说明本公开的典型实施例且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可以承认其它同等有效的实施例存在。
11.图1是根据一个实施方案的存储装置的示意性透视分解视图。
12.图2是根据一个实施方案的图1中所说明的磁带机的示意性俯视图。
13.图3是根据一个实施方案的图1中所说明的磁带机的示意性侧面轮廓视图。
14.图4a到4c说明根据一个实施方案的读磁头的示意图。
15.图4d到4e说明根据另一实施方案的读磁头的示意图。
16.图5到11说明根据各种实施方案的读磁头的各种实施例。
17.为了便于理解，在可能的情况下已经使用相同的元件符号表示图中共有的相同元件。预期一个实施例中所公开的元件可以有利地在其它实施例上利用而不需特定叙述。
具体实施方式
18.在下文中，参考本公开的实施例。然而，应理解，本公开不限于特定的所描述实施例。实际上，不管是否与不同实施例相关，都涵盖以下特征和元件的任何组合来实施和实践本公开。此外，尽管本公开的实施例可以实现优于其它可能解决方案和/或优于现有技术的优点，但特定优势是否由给定实施例实现并不限制本公开。因此，以下方面、特征、实施例以及优点仅为说明性的且不视为所附权利要求书的要素或限制，除非权利要求中明确地叙述。同样，对“本公开”的提及不应解释为本文中所公开的任何发明性主题的一般化，且不应视为所附权利要求书的要素或限制，除非权利要求中明确地叙述。
19.本公开大体上涉及包括读磁头的磁存储装置，例如磁带驱动器。读磁头包括安置在下屏蔽件与上屏蔽件之间的多个读取传感器。多个软偏置侧屏蔽件在交叉磁道方向上安置在多个读取传感器附近和外部。多个硬偏置侧屏蔽件安置在软偏置侧屏蔽件上并且与软偏置侧屏蔽件接触，以使软偏置侧屏蔽件稳定。多个软偏置侧屏蔽件中的每一个与下屏蔽件间隔开第一距离，并且硬偏置侧屏蔽件中的每一个与上屏蔽件间隔开第二距离，所述第一距离基本上等于所述第二距离。
20.图1是根据一个实施方案的存储装置100的示意性透视分解视图。存储装置100是磁介质驱动器。存储装置100在下文将被称为磁带机100。应注意，尽管出于说明性目的，磁
带机示为具有嵌入式磁带，但本发明的实施例可以应用于各种形式的磁带机，包含磁带介质可插入例如介质仓中的驱动器。一个实例是符合lto标准的磁带机和介质，且当介质完全地插入且可接合以用于数据存取时，展示的各种驱动器图示将类似于这种驱动器。
21.图2是根据一个实施方案的图1中所说明的磁带机100的示意性俯视图。
22.图3是根据一个实施方案的图1中所说明的磁带机100的示意性侧面轮廓视图。
23.关注图2，例如，磁带机100包含：外壳，所述外壳包含壳体105；一个或多个磁带卷盘110；一个或多个转子(例如，步进电机120(也称为步进式电机)、音圈电机(vcm)125)；具有一个或多个读磁头和一个或多个写磁头的磁头组合件130；以及磁带引导件/辊135a、135b。关注图3，例如，磁带机100还包含印刷电路板组合件155(pcba)。在可以与其它实施例组合的一个实施例中，除安装于壳体105的外表面上的pcba 155之外，大部分组件在壳体105的内部空腔内。在图1中的透视图中说明相同组件。
24.在所说明的实施方案中，两个磁带卷盘110放置于壳体105的内部空腔中，其中两个磁带卷盘110中的每一个的中心处于空腔中的相同水平上。如图1和2中所示，磁头组合件130位于两个磁带卷盘110之间和下方。位于磁带卷盘110的主轴中的磁带卷轴电机可操作以将磁带介质115卷绕到磁带卷盘110中以及从磁带卷盘110展开。每个磁带卷盘110还可以并入有磁带文件夹以有助于将磁带介质115整齐地卷绕到相应磁带卷盘110上。磁带介质115可以通过溅镀工艺制造以提供改进的面密度。磁带介质115包含两个表面，即氧化物侧和衬底侧。氧化物侧是可以由一个或多个读/写磁头磁性地控制(写入或读取)的表面。磁带介质115的衬底侧有助于提高磁带介质115的强度和柔性。
25.来自磁带卷盘110的磁带介质115抵靠着引导件/辊135a、135b(统称为引导件/辊135)发生偏置，且通过卷盘的移动而沿着磁头组合件130移动传递。所说明的实施例示出四个引导件/辊135a、135b，其中两个引导件/辊135a距离磁头组合件130最远，用于改变磁带介质115的方向，而两个引导件/辊135b最接近磁头组合件130，用于将磁带介质115压靠在磁头组合件130上。
26.在可以与其它实施例组合的一个实施例中，引导件/辊135利用相同结构，如图1中所示。在可以与其它实施例组合的一个实施例中，引导件/辊135可以具有更多特定形状且基于功能而彼此不同，如图2中所示。可以使用更小或更大数目个辊。例如，两个功能辊的形状可以是圆柱形，而两个功能引导件可以是平边的(例如，矩形棱柱)或具有两个尖头和在夹子的尖头之间移动的膜的夹子形状。
27.音圈电机125和步进电机120可以相对于记录磁带(例如，磁带介质115)的宽度横向地可变地定位磁带头。步进电机120可以提供粗略移动，而音圈电机125可以提供对磁头组合件130的磁头的更精细致动。在可以与其它实施例组合的一个实施例中，可以将伺服数据写入到磁带介质115以有助于沿着磁带介质115更准确地定位磁头。
28.如图1中所说明，壳体105包含一个或多个颗粒过滤器141和/或干燥剂142以帮助维持壳体105中的环境。例如，如果壳体105不是气密的，则颗粒过滤器141可以放置在期望气流的位置。颗粒过滤器141和/或干燥剂142可以放置在一个或多个角落中或远离移动内部组件的任何其它方便的位置中。例如，移动磁带卷盘110可以在磁带介质115卷绕/展开时产生内部气流，且颗粒过滤器141可以放置在所述气流内。
29.在壳体105内存在磁带机100的内部组件的各种可能放置。具体来说，在某些实例
中，当磁头组合件130在壳体105内部时，磁带介质115可以不暴露于壳体105外部。因此，磁带介质115不需要沿着壳体105的边缘布设，且可以在壳体105内以更紧密和/或另外更有效的方式自由布设。类似地，磁头和磁带卷盘110可以放置在各种位置中以实现更有效的布局，因为不存在对这些组件提供外部接入的设计要求。
30.如图3中所说明，壳体105包含盖150和底座145。pcba155附接到壳体105的外表面上与盖150相对的底部。底座145包含三个壁，并且盖150包含第四壁以形成包含于磁带机100的外壳中的壳体105的多个壁中的四个壁。由于pcba155由固态电子装置制成，因此环境问题不太受关注，因此不需要将其放置在壳体105内部。这在壳体105内部为将受益于更受保护的环境的其它组件，尤其是移动组件和磁带介质115留出空间。
31.在可以与其它实施例组合的一个实施例中，磁带机100是密封的。密封可以意味着磁带机100气密密封或简单地围封，而不一定是气密的。密封驱动器可以有利于磁带膜卷绕稳定性、磁带膜可靠性和磁带头可靠性。干燥剂可以用于限制壳体105内部的湿度。
32.在可以与其它实施例组合的一个实施例中，盖150用于气密地密封磁带机100。例如，可以通过将盖150附接(例如，激光焊接、使用粘合剂粘附等)到底座145而气密密封磁带机100以用于环境控制。磁带机100可以由氦气、氮气、氢气或任何其它典型惰性气体填充。
33.在可以与其它实施例组合的一个实施例中，可以将其它组件添加到磁带机100。例如，可以将磁头组合件130的磁头的前置放大器添加到磁带机100。前置放大器可以位于pcba155上、磁头组合件130中或另一位置中。一般来说，将前置放大器放置成更接近磁头可以在信噪比(snr)方面对读取和写入信号具有更大的影响。在可以与其它实施例组合的一个实施例中，可以省略一些组件。例如，可以省略颗粒过滤器141和/或干燥剂142。
34.图4a到4c说明根据一个实施方案的读磁头400的示意图。图4a是根据一个实施方案的读磁头400的示意性等距介质面对表面(mfs)视图。图4b是根据一个实施方案的图4a中所示的读磁头400的示意性等距侧视截面图。图4c是根据一个实施方案的图4a中所示的读磁头400的沿着截面4c-4c的示意性截面图。
35.读磁头400可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。读磁头400包括下屏蔽件(s1)402、上屏蔽件(s2)404和安置在下屏蔽件402与上屏蔽件404之间的多个读取传感器420。尽管图4a中示出三个读取传感器420，但是读磁头400可以包括任何数目的读取传感器420并且读取传感器420的数目并不预期为限制性的。
36.下引线406安置在下屏蔽件402与多个读取传感器420之间。如图4a中所示，下引线406是每个读取传感器420共有的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器420可以具有单独的下引线406(未示出)。读磁头400包括在下磁道方向(dt1)上安置在多个读取传感器420中的每一个上方的多条上引线416。类似于下引线406，多条上引线416可以是每个读取传感器420共有的一条上引线416。第一绝缘层412安置在上屏蔽件404与多条上引线416之间。第二绝缘层408安置在下引线406上且在下磁道方向上环绕读取传感器420中的每一个。第三绝缘层440安置在多条上引线416中的每一个附近和之间。第一绝缘层412、第二绝缘层408和第三绝缘层440中的每一个可以包括相同材料或不同材料。
37.多个读取传感器420中的每个读取传感器420包含多层结构。每个读取传感器420的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的反铁磁(afm)层424，以及安置在afm层424上的自由层426。每个读取传感器420包含安置在自由层426上的
顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。缓冲层422在交叉磁道方向(ct1)上与第二绝缘层408的部分基本上对准。顶盖层428是非铁磁性的。每个读取传感器420中的每个层422、424、426、428在交叉磁道方向上的长度小于在下屏蔽件402的交叉磁道方向上的长度。
38.每个读取传感器420的自由层426包含多个层430-433。自由层426是铁磁性的。自由层426包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。两个层430、432中的每一个由钴(co)、铁(fe)和/或硼(b)中的一个或多个形成。分隔层431由氧化镁(mgo)形成且具有沿着下磁道方向dt1在约5埃到约200埃的范围内，例如约20埃的长度。自由层426的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。
39.读磁头400包含多个软偏置侧屏蔽件410，其安置在多个读取传感器420之间和外部、安置在第二绝缘层408上并且与第二绝缘层408接触。软偏置侧屏蔽物410中的每一个为磁性的、导电的且具有低矫顽性。软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器420的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。
40.多个硬偏置侧屏蔽件460安置成与多个软偏置侧屏蔽件410和第三绝缘层440接触。多个硬偏置侧屏蔽件460通过多个软偏置侧屏蔽件410与传感器420间隔开。取决于各种设计，多个软偏置侧屏蔽件410在下磁道方向(dt1)上的厚度t1不同于或等于多个硬偏置侧屏蔽件460在下磁道方向上的厚度t2。多个硬偏置侧屏蔽件460具有高矫顽性并且将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460有助于使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
41.图4b是根据一个实施方案的图4a中所示的读磁头400的示意性等距侧视截面图。如图4b中所示，下屏蔽件402、下引线406、第二绝缘层408、软偏置侧屏蔽件410、硬偏置侧屏蔽件460、第三绝缘层440、读取传感器420、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向(sh1)上各自具有第一宽度w1。
42.图4c是根据一个实施方案的图4a中所示的读磁头400的沿着截面4c-4c的示意性截面图。图4c中所示的一般截面图适用于图4d到图11的读磁头490-1100。下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器420的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
43.在磁读取操作期间，磁带介质450在下磁道方向上移动穿过读取传感器420。沿着条带高度方向与读取传感器420对准的磁带介质450的部分452经受第一磁力f1。沿着条带高度方向在读取传感器420的外部对准的磁带介质450的部分454经受第二磁力f2，所述第二磁力与第一磁力f1的方向相反或相同。
44.图4d到4e说明根据另一实施方案的读磁头490的示意图。图4d是根据一个实施方案的读磁头490的示意性等距mfs视图。图4e是根据一个实施方案的读磁头490的示意性等距侧视图。读磁头490可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图4d到4e的读磁头490类似于图4a到4c的读磁头400。因此，针对在每个读磁头400、490中相同的方面，在图4a到4c和图4d到4e中使用类似附图标记。
45.如图4d中所示，读磁头490包括与图4a到4c的读磁头400相同的组件，包含多个读
取传感器420、多个软偏置侧屏蔽件410和多个硬偏置侧屏蔽件460。然而，如图4e中所示，下屏蔽件402和下引线406在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。第二绝缘层408、软偏置侧屏蔽件410、硬偏置侧屏蔽件460、第三绝缘层440、读取传感器420、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第二表面403的条带高度方向上各自具有第二宽度w2。第一宽度w1大于第二宽度w2。换句话说，第一表面401和第二表面403不对准。
46.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器420的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
47.除第三厚度t3和第四厚度t4基本上相等之外，图4d到4e的软偏置侧屏蔽件410进一步通过形状各向异性使软偏置侧屏蔽件410稳定，所述软偏置侧屏蔽件在条带高度方向上具有小于第一宽度w1的第二宽度w2。软偏置侧屏蔽件410的形状和所得形状各向异性将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。
48.图5是根据一个实施方案的读磁头500的示意性等距mfs视图。读磁头500可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图5的读磁头500类似于图4a到4c的读磁头400以及图4d到4e的读磁头490。因此，针对在每个读磁头400、490、500中相同的方面，在图4a到4e和图5中使用类似附图标记。
49.尽管图5中示出两个读取传感器520，但是读磁头500可以包括任何数目的读取传感器520并且读取传感器520的数目并不预期为限制性的。此外，如图5中所示，下引线406对于每个读取传感器520是共同的，而上引线416对于每个读取传感器520是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器520可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器520可以是共同的。
50.多个读取传感器520中的每个读取传感器520包含多层结构。每个读取传感器520的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层526。每个读取传感器520包含安置在自由层526上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。每个读取传感器520中的每个层422、424、526、428在交叉磁道方向上的长度小于在下屏蔽件402的交叉磁道方向上的长度。
51.每个读取传感器520的自由层526包含多个层430-433。自由层526是铁磁性的。自由层526包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层526的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、第二绝缘层408、软偏置侧屏蔽件410、硬偏置侧屏蔽件460、第三绝缘层440、读取传感器520、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。
52.读磁头500与图4a到4c的读磁头400不同，因为多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于传感器520的部分。具体来说，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428。第二绝缘层408安置在多个软偏置侧屏蔽件410与分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428之间。多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向
上安置成邻近于多个软偏置侧屏蔽件410并且与多个软偏置侧屏蔽件410接触。
53.非磁性层562安置在第二绝缘层408与多个硬偏置侧屏蔽件460之间。非磁性层562在下磁道方向上具有第五厚度t5，并且多个硬偏置侧屏蔽件460在下磁道方向上具有第六厚度t6。取决于各种设计，第五厚度t5可以不同于或基本上等于第六厚度t6。
54.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器520的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
55.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460和/或软偏置侧屏蔽件410之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器520的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
56.图6是根据一个实施方案的读磁头600的示意性等距mfs视图。读磁头600可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图6的读磁头600类似于图4a到4c的读磁头400、图4d到4e的读磁头490和图5的读磁头500。因此，针对在每个读磁头400、490、500、600中相同的方面，在图4a到5和图6中使用类似附图标记。
57.尽管图6中示出两个读取传感器620，但是读磁头600可以包括任何数目的读取传感器620并且读取传感器620的数目并不预期为限制性的。此外，如图6中所示，下引线406对于每个读取传感器620是共同的，而上引线416对于每个读取传感器620是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器620可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器620是共同的。
58.多个读取传感器620中的每个读取传感器620包含多层结构。每个读取传感器620的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层626。每个读取传感器620包含安置在自由层626上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。每个读取传感器620中的每个层422、424、626、428在交叉磁道方向上的长度小于在下屏蔽件402的交叉磁道方向上的长度。
59.每个读取传感器620的自由层626包含多个层430-433。自由层626是铁磁性的。自由层626包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层626的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、第二绝缘层408、非磁性层562、第三绝缘层440、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。
60.读磁头600类似于图5的读磁头500，因为多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于传感器620的部分。具体来说，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428。第二绝缘层408安置在多个软偏置侧屏蔽件410与分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428之间。多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上安置成邻近于多个软偏置侧屏蔽件410并且与多个软偏置侧屏蔽件410接触。
61.非磁性层562安置在第二绝缘层408与多个硬偏置侧屏蔽件460之间。非磁性层562
在下磁道方向上具有第五厚度t5，并且多个硬偏置侧屏蔽件460在下磁道方向上具有第六厚度t6。取决于各种设计，第五厚度t5可以不同于或基本上等于第六厚度t6。
62.读磁头600与图5的读磁头500不同，因为第四绝缘层668安置在多个硬偏置侧屏蔽件460后方。第四绝缘层668安置成与非磁性层562、第三绝缘层440、软偏置侧屏蔽件410、顶盖层428、自由层626的屏障层433、自由层626的第二层432、自由层626的空间层431、第二绝缘层408的部分和多个硬偏置侧屏蔽件460接触。第四绝缘层668从mfs凹入并且在条带高度方向上具有第三宽度w3。第三宽度w3在条带高度方向上大于或等于多个硬偏置侧屏蔽件460的第四宽度w4。第四绝缘层668可以包括与第一绝缘层412相同的材料或不同材料。
63.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器620的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
64.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460和/或软偏置侧屏蔽件410之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器620的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
65.图7是根据一个实施方案的读磁头700的示意性等距mfs视图。读磁头600可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图7的读磁头700类似于图4a到4c的读磁头400、图4d到4e的读磁头490、图5的读磁头500和图6的读磁头600。因此，针对在每个读磁头400、490、500、600、700中相同的方面，在图4a到6和图7中使用类似附图标记。
66.尽管图7中示出两个读取传感器720，但是读磁头700可以包括任何数目的读取传感器720并且读取传感器720的数目并不预期为限制性的。此外，如图7中所示，下引线406对于每个读取传感器720是共同的，而上引线416对于每个读取传感器720是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器720可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器720是可以共同的。
67.多个读取传感器720中的每个读取传感器720包含多层结构。每个读取传感器720的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层726。每个读取传感器720包含安置在自由层726上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。每个读取传感器720中的每个层422、424、726、428在交叉磁道方向上的长度小于在下屏蔽件402的交叉磁道方向上的长度。
68.每个读取传感器720的自由层726包含多个层430-433。自由层726是铁磁性的。自由层726包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层726的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、第三绝缘层440、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。
69.读磁头700类似于图4a到4c的读磁头400，因为多个软偏置侧屏蔽件410安置成邻近于第二绝缘层408上的传感器720的每一层。多个硬偏置侧屏蔽件460安置在邻近于第三
绝缘层440的多个软偏置侧屏蔽件410上。读磁头700与图4a到4c的读磁头400不同，因为第五绝缘层770安置在多个硬偏置侧屏蔽件460、多个软偏置侧屏蔽件410、传感器720和第二绝缘层408后方。第五绝缘层770安置成与下引线406和第三绝缘层440接触。第五绝缘层770从mfs凹入并且在条带高度方向上具有第三宽度w3。多个硬偏置侧屏蔽件460、多个软偏置侧屏蔽件410和读取传感器720在条带高度方向上各自具有第四宽度w4。第三宽度w3在条带高度方向上大于或等于第四宽度w4。
70.第五绝缘层770进一步在下磁道方向上具有第七厚度t7。多个硬偏置侧屏蔽件460在下磁道方向上具有第八厚度t8，并且多个软偏置侧屏蔽件410在下磁道方向上具有第九厚度t9。第七厚度t7大于第八厚度t8和第九厚度t9。第五绝缘层770可以包括与第一绝缘层412相同的材料或不同材料。
71.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器720的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
72.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器720的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
73.图8是根据一个实施方案的读磁头800的示意性等距mfs视图。读磁头800可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图8的读磁头800类似于图4a到4c的读磁头400、图4d到4e的读磁头490、图5的读磁头500、图6的读磁头600和图7的读磁头700。因此，针对在每个读磁头400、490、500、600、700、800中相同的方面，在图4a到7和图8中使用类似附图标记。
74.尽管图8中示出两个读取传感器820，但是读磁头800可以包括任何数目的读取传感器820并且读取传感器820的数目并不预期为限制性的。此外，如图8中所示，下引线406对于每个读取传感器820是共同的，而上引线416对于每个读取传感器820是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器820可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器820可以是共同的。
75.多个读取传感器820中的每个读取传感器820包含多层结构。每个读取传感器820的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层826。每个读取传感器420包含安置在自由层826上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。缓冲层422和afm层424对于每个传感器820为共有的。换句话说，每个传感器820包括缓冲层422的部分和afm层424的部分，使得缓冲层422的共同部分和afm层424的共同部分跨越多个读取传感器820。
76.每个读取传感器820的自由层826包含多个层430-433。自由层826是铁磁性的。自由层826包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层826的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、第二绝缘层408、软偏置侧屏蔽件410、硬偏置侧屏蔽件460、第三绝缘层440、读取传感器820、第一绝缘层412和上屏
蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。第二绝缘层408安置在自由层826的第一层430上且在下磁道方向上环绕读取传感器820中的每一个。
77.读磁头800与读磁头400、490、500不同，因为每个读取传感器820的每个自由层826共享共同第一层430，而每个读取传感器820具有其自身的个别分隔层431、第二层432和屏障层433。换句话说，每个传感器820包括第一层430的部分，使得第一层430的共同部分跨越多个读取传感器820。
78.另外，类似于图5的读磁头500，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于传感器820的部分。具体来说，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428。第二绝缘层408安置在多个软偏置侧屏蔽件410与分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428之间。多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上安置成邻近于多个软偏置侧屏蔽件410并且与多个软偏置侧屏蔽件410接触。多个软偏置侧屏蔽件410和多个硬偏置侧屏蔽件460两者在下磁道方向上具有第十厚度t10。
79.下屏蔽件402、下引线406、第三绝缘层440、第一层430、第一绝缘层412和上屏蔽件404在交叉磁道方向上各自具有第一长度l1。分隔层431、第二层432、屏障层433、顶盖层428和上引线416在交叉磁道方向上各自具有小于第一长度l1的第二长度l2。多个软偏置侧屏蔽件410在交叉磁道方向上各自具有第三长度l3，并且多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上各自具有基本上等于或大于第三长度l3的第四长度l4。第四长度l4小于第一长度l1。第二绝缘层408在交叉磁道方向上的长度基本上等于第三长度l3和第四长度l4的总和。
80.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器820的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
81.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器820的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
82.图9是根据一个实施方案的读磁头900的示意性等距mfs视图。读磁头900可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图9的读磁头900类似于图4a到4c的读磁头400、图4d到4e的读磁头490、图5的读磁头500、图6的读磁头600和图7的读磁头700，以及图8的读磁头800。因此，针对在每个读磁头400、490、500、600、700、800、900中相同的方面，在图4a到8和图9中使用类似附图标记。
83.尽管图9中示出两个读取传感器920，但是读磁头900可以包括任何数目的读取传感器920并且读取传感器920的数目并不预期为限制性的。此外，如图9中所示，下引线406对于每个读取传感器920是共同的，而上引线416对于每个读取传感器920是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器920可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器920可以是共同的。
84.多个读取传感器920中的每个读取传感器920包含多层结构。每个读取传感器920
的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层926。每个读取传感器420包含安置在自由层926上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。缓冲层422和afm层424对于每个传感器920为共有的。换句话说，每个传感器920包括缓冲层422的部分和afm层424的部分，使得缓冲层422的共同部分和afm层424的共同部分跨越多个读取传感器920。
85.每个读取传感器920的自由层926包含多个层430-433。自由层926是铁磁性的。自由层926包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层926的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、第二绝缘层408、第三绝缘层440、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。
86.读磁头900类似于图8的读磁头800，因为每个读取传感器920的每个自由层926共享共同第一层430，而每个读取传感器920具有其自身的个别分隔层431、第二层432和屏障层433。换句话说，每个传感器920包括第一层430的部分，使得第一层430的共同部分跨越多个读取传感器920。第二绝缘层408安置在自由层926的第一层430上且在下磁道方向上环绕读取传感器920中的每一个。
87.另外，类似于图5的读磁头500和图8的读磁头800，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于传感器920的部分。具体来说，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428。第二绝缘层408安置在多个软偏置侧屏蔽件410与分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428之间。多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上仍安置成邻近于多个软偏置侧屏蔽件410并且与多个软偏置侧屏蔽件410接触。多个软偏置侧屏蔽件410和多个硬偏置侧屏蔽件460两者在下磁道方向上具有第十厚度t10。
88.读磁头900与图8的读磁头800不同，因为第六绝缘层964在读磁头900的背侧上(远离mfs)安置在第二绝缘层408与下引线406之间。第六绝缘层964可以包括与第一绝缘层412相同的材料或不同材料。另外，第六绝缘层964在条带高度方向上具有第五宽度w5并且在下磁道方向上具有第十一厚度t11。缓冲层422、afm层424和第一层430在条带高度方向上具有第六宽度w6。第五宽度w5可以大于或等于第六宽度w6。第五宽度w5和第六宽度w6共同地等于下屏蔽件402、下引线406、多个硬偏置侧屏蔽件460、第一绝缘层412、第二绝缘层408和第三绝缘层440，以及上屏蔽件404的第一宽度w1。第十一厚度t11大于或等于第十厚度t10。
89.下屏蔽件402、下引线406、第三绝缘层440、第一层430、第一绝缘层412和上屏蔽件404在交叉磁道方向上各自具有第一长度l1。分隔层431、第二层432、屏障层433、顶盖层428和上引线416在交叉磁道方向上各自具有小于第一长度l1的第二长度l2。多个软偏置侧屏蔽件410在交叉磁道方向上各自具有第三长度l3，并且多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上各自具有基本上等于或大于第三长度l3的第四长度l4。第四长度l4小于第一长度l1。第二绝缘层408在交叉磁道方向上的长度基本上等于第三长度l3和第四长度l4的总和。
90.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器920的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
91.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与
硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器920的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
92.图10是根据一个实施方案的读磁头1000的示意性等距mfs视图。读磁头1000可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图10的读磁头1000类似于图4a到4c的读磁头400、图4d到4e的读磁头490、图5的读磁头500、图6的读磁头600以及图7的读磁头700、图8的读磁头800，以及图9的读磁头900。因此，针对在每个读磁头400、490、500、600、700、800、900、1000中相同的方面，在图4a到9和图10中使用类似附图标记。
93.尽管图10中示出两个读取传感器1020，但是读磁头1000可以包括任何数目的读取传感器1020并且读取传感器1020的数目并不预期为限制性的。此外，如图10中所示，下引线406对于每个读取传感器1020是共同的，而上引线416对于每个读取传感器1020是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器1020可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器1020可以是共同的。
94.多个读取传感器1020中的每个读取传感器1020包含多层结构。每个读取传感器1020的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层1026。每个读取传感器420包含安置在自由层1026上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。缓冲层422和afm层424对于每个传感器1020为共有的。换句话说，每个传感器1020包括缓冲层422的部分和afm层424的部分，使得缓冲层422的共同部分和afm层424的共同部分跨越多个读取传感器1020。
95.每个读取传感器1020的自由层1026包含多个层430-433。自由层1026是铁磁性的。自由层1026包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层1026的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、缓冲层422、afm层424、第一层430、第三绝缘层440、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。
96.读磁头1000类似于图8和9的读磁头800和900，因为每个读取传感器1020的每个自由层1026共享共同第一层430，而每个读取传感器1020具有其自身的个别分隔层431、第二层432和屏障层433。换句话说，每个传感器1020包括第一层430的部分，使得第一层430的共同部分跨越多个读取传感器1020。第二绝缘层408安置在自由层1026的第一层430上且在下磁道方向上环绕读取传感器1020中的每一个。
97.另外，类似于图5、6、8和9的读磁头500、600、800和900，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于传感器1020的部分。具体来说，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于分隔层431、第二层432、屏障层433和项盖层428。第二绝缘层408安置在多个软偏置侧屏蔽件410与分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428之间。多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上仍安置成邻近于多个软偏置侧屏蔽件410并且与多个软偏置侧屏蔽件410接触。多个软偏置侧屏蔽件410和多个硬偏置侧屏蔽件460两者在下磁道方向上具有第十厚度t10。
98.读磁头1000与图8的读磁头800不同，因为第七绝缘层1072在从mfs凹入的读磁头1000的背侧上安置在第一层430与第三绝缘层440之间。第七绝缘层1072可以包括与第一绝
缘层412相同的材料或不同材料。另外，第七绝缘层1072在条带高度方向上具有第五宽度w5并且在下磁道方向上具有第十二厚度t12。第二绝缘层408、软偏置侧屏蔽件410和硬偏置侧屏蔽件460在条带高度方向上各自具有第六宽度w6。第五宽度w5可以大于或等于第六宽度w6。第五宽度w5和第六宽度w6共同地等于下屏蔽件402、下引线406、缓冲层422、afm层424、第一层430、第一绝缘层412、第三绝缘层440和上屏蔽件404的第一宽度w1。第十二厚度t12大于或等于第十厚度t10。
99.下屏蔽件402、下引线406、第三绝缘层440、第一层430、第一绝缘层412和上屏蔽件404在交叉磁道方向上各自具有第一长度l1。分隔层431、第二层432、屏障层433、顶盖层428和上引线416在交叉磁道方向上各自具有小于第一长度l1的第二长度l2。多个软偏置侧屏蔽件410在交叉磁道方向上各自具有第三长度l3，并且多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上各自具有基本上等于或大于第三长度l3的第四长度l4。第四长度l4小于第一长度l1。第二绝缘层408在交叉磁道方向上的长度基本上等于第三长度l3和第四长度l4的总和。
100.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器920的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
101.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器1020的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
102.图11是根据一个实施方案的读磁头1100的示意性等距mfs视图。读磁头1100可以用作图1中所示的磁带机100(磁存储装置)的一部分。图11的读磁头1100类似于图4a到4c的读磁头400、图4d到4e的读磁头490、图5的读磁头500、图6的读磁头600以及图7的读磁头700、图8的读磁头800、图9的读磁头900以及图10的读磁头1000。因此，针对在每个读磁头400、490、500、600、700、800、900、1000、1100中相同的方面，在图4a到10和图11中使用类似附图标记。此外，图4a到11的每个读磁头400、490、500、600、700、800、900、1000、1100可以彼此组合使用。
103.尽管图11中示出两个读取传感器1120，但是读磁头1100可以包括任何数目的读取传感器1120并且读取传感器1120的数目并不预期为限制性的。此外，如图11中所示，下引线406对于每个读取传感器1120是共同的，而上引线416对于每个读取传感器1120是独立的。然而，在一些实施例中，每个读取传感器1120可以具有单独的下引线406(未示出)。在其它实施例中，上引线416对于每个读取传感器1120可以是共同的。
104.多个读取传感器1120中的每个读取传感器1120包含多层结构。每个读取传感器1120的多层结构包含安置在下引线406上的缓冲层422、安置在缓冲层422上的afm层424，以及安置在afm层424上的自由层1126。每个读取传感器420包含安置在自由层1126上的顶盖层428。缓冲层422安置在afm层424与下引线406之间。顶盖层428是非铁磁性的。缓冲层422和afm层424对于每个传感器1120为共有的。换句话说，每个传感器1120包括缓冲层422的部分和afm层424的部分，使得缓冲层422的共同部分和afm层424的共同部分跨越多个读取传
感器1010。
105.每个读取传感器1120的自由层1126包含多个层430-433。自由层1126是铁磁性的。自由层1126包含由分隔层431分开的两个层，即第一层430和第二层432。自由层1126的屏障层433安置在第二层432与顶盖层428之间。下屏蔽件402、下引线406、第三绝缘层440、第一绝缘层412和上屏蔽件404在从mfs到与mfs相对的第一表面401的条带高度方向上各自具有第一宽度w1。
106.读磁头1100类似于图8到10的读磁头800、900和1000，因为每个读取传感器1120的每个自由层1126共享共同第一层430，而每个读取传感器1120具有其自身的个别分隔层431、第二层432和屏障层433。换句话说，每个传感器1120包括第一层430的部分，使得第一层430的共同部分跨越多个读取传感器1120。第二绝缘层408安置在自由层1126的第一层430上且在下磁道方向上环绕读取传感器1120中的每一个。
107.另外，类似于图5、6、8到10的读磁头500、600、800、900和10，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于传感器1120的部分。具体来说，多个软偏置侧屏蔽件410安置成仅邻近于分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428。第二绝缘层408安置在多个软偏置侧屏蔽件410与分隔层431、第二层432、屏障层433和顶盖层428之间。多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上仍安置成邻近于多个软偏置侧屏蔽件410并且与多个软偏置侧屏蔽件410接触。多个软偏置侧屏蔽件410和多个硬偏置侧屏蔽件460两者在下磁道方向上具有第十厚度t10。
108.读磁头1100与图8的读磁头800不同，因为第八绝缘层1174在从mfs凹入的读磁头1100的背侧上安置在下引线406与第三绝缘层440之间。第八绝缘层1174可以包括与第一绝缘层412相同的材料或不同材料。另外，第八绝缘层1174在条带高度方向上具有第五宽度w5并且在下磁道方向上具有第十三厚度t13。第十三厚度t13大于第十厚度t10。缓冲层422、afm层424、第一层430、第二绝缘层408、软偏置侧屏蔽件410、硬偏置侧屏蔽件460和传感器1120在条带高度方向上各自具有第六宽度w6。第五宽度w5可以大于或等于第六宽度w6。第五宽度w5和第六宽度w6共同地等于下屏蔽件402、下引线406、第一绝缘层412、第三绝缘层440和上屏蔽件404的第一宽度w1。
109.下屏蔽件402、下引线406、第三绝缘层440、第一层430、第一绝缘层412和上屏蔽件404在交叉磁道方向上各自具有第一长度l1。分隔层431、第二层432、屏障层433、顶盖层428和上引线416在交叉磁道方向上各自具有小于第一长度l1的第二长度l2。多个软偏置侧屏蔽件410在交叉磁道方向上各自具有第三长度l3，并且多个硬偏置侧屏蔽件460在交叉磁道方向上各自具有基本上等于或大于第三长度l3的第四长度l4。第四长度l4小于第一长度l1。第二绝缘层408在交叉磁道方向上的长度基本上等于第三长度l3和第四长度l4的总和。
110.软偏置侧屏蔽件410有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器920的磁读取场。软偏置侧屏蔽件410在磁读取操作期间促进交叉磁道方向上的磁场。多个硬偏置侧屏蔽件460将软偏置侧屏蔽件410的磁化固定在期望方向上，例如交叉磁道方向上。多个硬偏置侧屏蔽件460使多个软偏置侧屏蔽件410稳定以增强磁读取操作，同时最小化信号分流。
111.此外，如上文在图4c中论述和示出，下引线406具有第三厚度t3。在上屏蔽件404与硬偏置侧屏蔽件460之间的第一绝缘层412、第三绝缘层440和上引线416共同具有第四厚度t4。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3，使得第四厚度t4与第三厚度t3之间的差为约50nm
或更小。第四厚度t4基本上等于第三厚度t3通过帮助稳定软偏置侧屏蔽件410来促进读取传感器1120的稳定，由此增强磁读取操作同时最小化信号分流。
112.因此，利用硬偏置侧屏蔽件使安置在读磁头中的多个读取传感器之间和外部的软偏置侧屏蔽件稳定有助于在磁读取操作期间偏置读取传感器的磁读取场。因此，稳定的软偏置屏蔽件在磁读取操作期间启动在交叉磁道方向上的磁场，同时最小化信号分流，从而导致读磁头中的改进的磁读取操作。
113.在一个实施例中，读磁头包括：下屏蔽件；上屏蔽件；一条或多条下引线，其安置在下屏蔽件上方；一条或多条上引线，其安置在一条或多条下引线与上屏蔽件之间；多个读取传感器，其在介质面对表面处安置在一条或多条下引线与一条或多条上引线之间，多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构；多个软偏置侧屏蔽件，其安置在多个读取传感器之间和外部；以及多个硬偏置侧屏蔽件，其安置在多个软偏置侧屏蔽件上且与多个软偏置侧屏蔽件接触。
114.多个软偏置侧屏蔽件在条带高度方向上具有第一宽度，并且下屏蔽件在条带高度方向上具有大于第一宽度的第二宽度。多个软偏置侧屏蔽件在条带高度方向上具有第一宽度，且下屏蔽件在条带高度方向上具有基本上等于第一宽度的第二宽度。多个软偏置侧屏蔽件在下磁道方向上具有第一厚度，并且多个硬偏置侧屏蔽件在下磁道方向上具有第二厚度，所述第二厚度不同于或基本上等于所述第一厚度。读磁头进一步包括安置在一条或多条下引线与多个软偏置侧屏蔽件之间的非磁性层。非磁性层安置在多个软偏置侧屏蔽件与第一绝缘层之间并且与多个软偏置侧屏蔽件和第一绝缘层接触。磁存储装置包括读磁头。
115.在另一实施例中，读磁头包括：下屏蔽件；下引线，其安置在下屏蔽件上方；反铁磁(afm)层，其安置在下引线上方；第一层，其安置在afm层上；以及多个读取传感器，其在介质面对表面(mfs)处安置在第一层上方，多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：afm层的部分和第一层的部分。读磁头进一步包括：多个软偏置侧屏蔽件，其安置在多个读取传感器之间和外部；多个硬偏置侧屏蔽件，其安置成与多个软偏置侧屏蔽件接触；一条或多条上引线，其安置在多个读取传感器上方；以及上屏蔽件，其安置在一条或多条上引线上方。
116.afm层和第一层在条带高度方向上各自分别具有第一宽度。多个软偏置侧屏蔽件和多个硬偏置侧屏蔽件在条带高度方向上各自分别具有第二宽度。第一宽度基本上等于第二宽度。第一宽度大于第二宽度。第一宽度小于第二宽度。多层结构进一步包括缓冲层、安置在缓冲层上方的第二层、安置在第二层上方的屏障层，以及安置在屏障层上方的顶盖层。多个软偏置侧屏蔽件安置在第二层、屏障层和顶盖层附近和外部。磁存储装置包括读磁头。
117.在又一实施例中，读磁头包括：下屏蔽件；上屏蔽件；一条或多条下引线，其安置在下屏蔽件上方；一条或多条上引线，其安置在一条或多条下引线与上屏蔽件之间；以及多个读取传感器，其在介质面对表面处安置在一条或多条下引线与一条或多条上引线之间，多个读取传感器中的每个读取传感器包括多层结构，所述多层结构包括：缓冲层；安置在缓冲层上方的afm层；安置在afm层上方的自由层，所述自由层包括第一层和第二层；安置在自由层上方的屏障层；以及安置在屏障层上方的顶盖层。读磁头进一步包括：多个软偏置侧屏蔽件，其安置在每个读取传感器的第二层、屏障层和顶盖层附近和外部；以及多个硬偏置侧屏蔽件，其安置在多个软偏置侧屏蔽件上并且与多个软偏置侧屏蔽件接触。
118.读磁头进一步包括非磁性层，其安置在一条或多条下引线与多个软偏置侧屏蔽件之间以及一条或多条下引线与多个硬偏置侧屏蔽件之间。非磁性层安置在每个读取传感器的缓冲层、afm层和第一层附近和外部。多个硬偏置侧屏蔽件在下磁道方向上具有第一厚度，并且非磁性层在下磁道方向上具有不同于或基本上等于第一厚度的第二厚度。多个硬偏置侧屏蔽件在条带高度方向上具有第一宽度，并且非磁性层在条带高度方向上具有大于或基本上等于第一宽度的第二宽度。磁存储装置包括读磁头。
119.虽然前述内容是针对本公开的实施例，但可以设计出本公开的其它及另外实施例而这些实施例不脱离本公开的基本范围，且本公开的范围由所附的权利要求书决定。