低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备与流程

1.本技术涉及存储技术领域，尤其涉及到一种低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备。


背景技术：

2.近年来，随着3d nand闪存技术的不断发展，nand闪存芯片已由最初的二维平面结构发展成三维堆叠结构，三维堆叠结构对应高存储密度，信息存入nand中出错的比特数据会随着存储密度的增加而增加，因此为了保证数据的正确性，在nand中采用译码复杂度低且性能接近香农限的低密度校验码（low density parity check code, ldpc）进行纠错，数据正确性与低密度校验码的译码能力强相关。
3.对于低密度校验码的解码能力验证分为硬解码（hard decode）能力验证与软解码（soft decode）能力验证，目前对于硬解码（hard decode）能力验证需要特制的硬件和软件，通过仿真平台，在信道模型基础上翻转一部分编码后数据的信息位，以产生足够量的数据并输入低密度校验码进行解码，再查看解码效果，然而在这种方式下，数据没有经过nand闪存，使得仿真中的信道建模无法体现实际信道。对于软解码能力验证方式是将nand闪存磨损到生命末期或更多，然后将低密度校验码编码后的数据写入nand中，再加上使用寿命的等效高温烘烤等老化条件，最后从nand中读出数据进行低密度校验码软解码过程，然而在这种方式下，测试量无法达到实际产品中的大批量模式，无法保证所有产品都符合验证结果，没有从定量的角度验证低密度校验码软解码的解码能力，且耗费大量的时间与资源。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提供了一种低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备，涉及存储技术领域，可以解决目前进行低密度校验码解码能力验证时需要构建单独的硬件模块和专用软件，对nand闪存进行磨损操作，花费大量的时间与资源的技术问题。
5.根据本技术的一个方面，提供了一种低密度校验码解码能力的验证方法，该方法包括：获取阈值电压分布，确定所述阈值电压分布的标准读电压、所述标准读电压的左移读电压，以及所述标准读电压的右移读电压；根据所述标准读电压读取标准数据，确定所述标准数据中待翻转数据位置，根据所述标准数据与所述待翻转数据位置得到硬判决信息；分别对所述左移读电压两侧预设位置处的数据与所述右移读电压两侧所述预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据所述第一异或数据与所述第二异或数据确定软判决信息；根据所述硬判决信息和至少一位所述软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。
6.根据本技术的另一个方面，提供了一种低密度校验码解码能力的验证装置，该装
置包括：获取模块，用于获取阈值电压分布，确定所述阈值电压分布的标准读电压、所述标准读电压的左移读电压，以及所述标准读电压的右移读电压；第一确定模块，用于根据所述标准读电压读取标准数据，确定所述标准数据中待翻转数据位置，根据所述标准数据与所述待翻转数据位置得到硬判决信息；第二确定模块，用于分别对所述左移读电压两侧预设位置处的数据与所述右移读电压两侧所述预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据所述第一异或数据与所述第二异或数据确定软判决信息；生成模块，用于根据所述硬判决信息和至少一位所述软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。
7.根据本技术的又一个方面，提供了一种非易失性可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述低密度校验码解码能力的验证方法。
8.根据本技术的再一个方面，提供了一种计算机设备，包括非易失性可读存储介质、处理器及存储在非易失性可读存储介质上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现上述低密度校验码解码能力的验证方法。
9.借由上述技术方案，本技术公开了一种低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备，可首先获取阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压；根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息；进一步的，分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息；最后，根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。通过本技术中的技术方案，能够在ssd开发过程中，不必为低密度校验码解码能力验证构建单独的硬件模块和专用软件，使低密度校验码解码能力验证从单纯的仿真落实到实际的信道测试中，且不需要对nand闪存进行老化测试，节约大量的时间和资源。
10.上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本技术的具体实施方式。
附图说明
11.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本地申请的不当限定。在附图中：图1示出了本技术实施例提供的一种低密度校验码解码能力的验证方法的流程示意图；图2示出了本技术实施例提供的另一种低密度校验码解码能力的验证方法的流程示意图；图3示出了本技术实施例提供的一种低密度校验码解码能力的验证装置的结构示意图；
图4示出了本技术实施例提供的另一种低密度校验码解码能力的验证装置的结构示意图；图5示出了本技术实施例提供的tlc的nand闪存的阈值电压分布图；图6示出了本技术实施例提供的确定硬判决信息说明图；图7示出了本技术实施例提供的确定一位软判决信息说明图；图8示出了本技术实施例提供的确定两位软判决信息说明图。
具体实施方式
12.下文将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。
13.针对目前的问题，本技术实施例提供了一种低密度校验码解码能力的验证方法，如图1所示，该方法包括：101、获取阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压。
14.其中，原始数据是0-1序列随机数据或者通过控制器对数据加扰构建的随机数据，获取阈值电压分布，包括：低密度校验码（low density parity check code, ldpc）对原始数据进行编码，原始数据通过低密度校验码编码后，生成由原始数据与校验数据组成的码字，为了不对nand闪存进行老化测试，节约时间与资源，本技术可以选择未老化nand闪存，生成的码字被写入nand闪存芯片存储单元，最后原始数据以不同的阈值电压态表示，等待读取，因为本技术选择未老化nand闪存，因此阈值电压态之间不会交叠，那么读取的编码后的数据与原始数据相同，不同的阈值电压态形成了阈值电压分布。
15.具体的，确定阈值电压分布的标准读电压包括：以说明书附图的图6上图为例说明，左侧的阈值电压态为第一阈值电压态，右侧的阈值电压态为第二阈值电压态，第一阈值电压态对应的阈值电压区间为：【第一阈值电压态的最小阈值电压，第一阈值电压态的最大阈值电压】，第二阈值电压态对应的阈值电压区间为：【第二阈值电压态的最小阈值电压，第二阈值电压态的最大阈值电压】，而标准读电压在第一阈值电压态的最大阈值电压与第二阈值电压态的最小阈值电压之间的范围选择，而选择的标准读电压是目标老化信道的交叠点处。
16.确定标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压包括：在标准读电压的左侧方向移动左偏距离后确定左移读电压的位置，在标准读电压的右侧方向移动右偏距离后确定右移读电压的位置，其中左偏距离与右偏距离根据目标老化信道与需要验证的解码能力进行确定，并不限定左偏距离与右偏距离相等，通过这样的方式，可以根据需求灵活调整解码前数据中引入的错误量，使得与低密度校验码解码能力仿真结果对齐，并且可以实现量化操作。
17.102、根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息。
18.对于本实施例，作为一种优选实施方式，阈值电压分布图的横坐标代表阈值电压，纵坐标代表分布在该阈值电压下的存储单元个数，根据存储单元个数可以读取在阈值电压下存储在nand闪存中的编码后的数据，因此，可以根据标准读电压读取标准数据，其中标准
数据为标准读电压下存储在nand闪存中的编码后的数据。
19.在阈值电压分布图中，操作两个未交叠的临近的阈值电压态，想要通过这两个未交叠的临近的阈值电压等效的构建老化后的目标老化信道，因此，确定标准数据中待翻转数据位置的作用在于，待翻转数据位置上的数据进行翻转后即可成为错误信息，也就是等效的构建了老化后的目标老化信道，而交叠的程度可以根据目标老化信道以及需要验证的低密度校验码解码能力进行控制，通过这样的方式，可以根据需求灵活调整解码前数据中引入的错误量，使得与低密度校验码解码能力仿真结果对齐，并且可以实现量化操作，且使低密度校验码解码能力验证从单纯的仿真落实到实际的目标老化信道测试中。
20.以说明书附图的图6为例说明，图6的上图是待操作的两个未交叠的临近的阈值电压态，图6的下图是目标老化信道，通过实施例步骤101、102对待操作的两个未交叠的临近的阈值电压态进行操作，以等效的构建目标老化信道，从而可以获得硬判决信息。
21.确定标准数据中待翻转数据位置的实现方式包括：根据左移读电压读取左移数据以及根据右移读电压读取右移数据，对左移数据与右移数据进行异或操作，将左移数据不同于右移数据的位置确定为标准数据中待翻转数据位置。
22.根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息包括：确定标准数据中与待翻转数据位置相同的位置，如果该位置上为0则翻转为1，如果该位置上为1则翻转为0，得到翻转后的硬判决信息。
23.103、分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息。
24.对于本实施例，作为一种优选实施方式，对左移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，得到第一异或数据，对右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，得到第二异或数据，包括：获取左移读电压左侧第一位置处的第一左侧数据、左移读电压右侧第二位置处的第一右侧数据、右移读电压左侧第一位置处的第二左侧数据、右移读电压右侧第二位置处的第二右侧数据；将第一左侧数据与第一右侧数据进行异或操作得到第一异或数据，将第二左侧数据与第二右侧数据进行异或操作得到第二异或数据，第一位置与第二位置可以不同，可以通过目标老化信道确定第一位置与第二位置。
25.其中，进行异或操作的两个值如果相同，则输出0，如果不同，则输出1，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息的具体实现方式为：对第一异或数据与第二异或数据进行或操作得到软判决信息。软判决信息是无穷比特量化信息，包含信道信息的符号和幅度值。
26.以说明书附图的图7进行说明，图7上图通过本实施例中的操作等效的构建了图7下图目标老化信道，并以此确定软判决信息，使低密度校验码解码能力验证从单纯的仿真落实到实际的目标老化信道测试中。其中，图7上图的黑色虚线从左至右为左移读电压左侧第一位置处、左移读电压右侧第二位置处、右移读电压左侧第一位置处、右移读电压右侧第二位置处。
27.当移动左移读电压左侧第一位置、左移读电压右侧第二位置、右移读电压左侧第一位置、右移读电压右侧第二位置后，可以通过本实施例同样的方法计算移动后的第一异或数据与移动后的第二异或数据，进一步的，根据移动后的第一异或数据与移动后的第二
异或数据确定又一位软判决信息。同理，可以确定多位软判决信息，以便测试大量的数据来对低密度校验码解码能力进行验证。
28.示例性的，图8示出了获取两位软判决信息的方式，其中，图8上图的黑色虚线从左至右为移动后的左移读电压左侧第一位置、左移读电压左侧第一位置、移动后的左移读电压右侧第二位置处、左移读电压右侧第二位置处、移动后的右移读电压左侧第一位置处、右移读电压左侧第一位置处、移动后的右移读电压右侧第二位置处、右移读电压右侧第二位置处。
29.104、根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。
30.对于本实施例，低密度校验码解码能力验证结果包括低密度检验码硬解码能力验证与低密度校验码软解码能力验证，具体的，通过将硬判决信息进行低密度校验码解码操作得到低密度校验码硬解码结果用于低密度检验码硬解码能力验证；通过将硬判决信息与至少一个软判决信息进行低密度校验码解码操作得到低密度校验码软解码结果用于低密度校验码软解码能力验证。根据实际需要设置预设硬解码标准值与预设软解码标准值，当低密度校验码硬解码结果大于预设硬解码标准值且低密度校验码软解码结果大于预设软解码标准值时，表示低密度校验码解码能力通过验证，当低密度校验码硬解码结果小于预设硬解码标准值或者低密度校验码软解码结果小于预设软解码标准值时，表示低密度校验码解码能力未通过验证。
31.其中，通过低密度校验码解码算法进行低密度校验码解码操作，低密度校验码解码算法包括多比特翻转算法、软信息加权的比特翻转算法等，在此不做限定。
32.其中，通过将硬判决信息进行低密度校验码解码操作得到低密度校验码硬解码结果；通过将硬判决信息与至少一个软判决信息进行低密度校验码解码操作得到低密度校验码软解码结果，包括：如果低密度校验码解码操作成功，那么读取解码的纠错数据，计算解码的纠错数据数量占原始数据数量的百分比作为低密度校验码硬解码结果或者低密度校验码软解码结果，如果低密度校验码解码操作不成功，那么读取与原始数据不同的解码的错误数据数量，计算解码的错误数据数量占原始数据数量的百分比作为低密度校验码硬解码结果或者低密度校验码软解码结果。
33.本技术公开了一种低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备，可首先获取阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压；根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息；然后，对硬判决信息进行低密度校验码解码操作，并分析低密度校验码硬解码结果；进一步的，分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息；最后，根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。通过本技术中的技术方案，能够在ssd开发过程中，不必为低密度校验码解码能力验证构建单独的硬件模块和专用软件，使低密度校验码解码能力验证从单纯的仿真落实到实际的信道测试中，且不需要对nand闪存进行老化测试，节约大量的时间和资源。
34.进一步的，作为上述实施例具体实施方式的细化和扩展，为了完整说明本实施例
中的具体实施过程，提供了另一种低密度校验码解码能力的验证方法，如图2所示，该方法包括：201、获取低密度校验码对原始数据进行编码后的阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压。
35.其中，原始数据是0-1序列随机数据或者通过控制器对数据加扰构建的随机数据，获取低密度校验码对原始数据进行编码后的阈值电压分布，包括：低密度校验码（low density parity check code, ldpc）对原始数据进行编码，原始数据通过低密度校验码编码后，生成由原始数据与校验数据组成的码字，生成的码字被写入nand闪存芯片存储单元，最后原始数据以不同的阈值电压态表示，等待读取，如果阈值电压态之间有交叠，那么读取的编码后的数据不同于原始数据，如果阈值电压态之间未交叠，那么读取的编码后的数据与原始数据相同，每个阈值电压态对应一个阈值电压区间。
36.以说明书附图的图5为例进一步说明，图5所示的是存储密度为tlc的nand闪存8个阈值电压态（l0-l7）的阈值电压分布图，黑色实线的8个阈值电压态未交叠，表示未产生错误信息，也就是读取的编码后的数据与原始数据相同，黑色虚线是两个临近的阈值电压态交叠，交叠后会产生大量错误信息，也就是读取的编码后的数据与原始数据不相同，为了提高数据的准确性，在数据读取时使用低密度校验码进行解码纠错。
37.阈值电压分布包括：多个阈值电压态；确定阈值电压分布的标准读电压包括：选择多个阈值电压态中的第一阈值电压态与第二阈值电压态，其中，第一阈值电压态与第二阈值电压态相邻，且第二阈值电压态的最小阈值电压大于第一阈值电压态的最大阈值电压；在最大阈值电压与最小阈值电压范围内确定标准读电压。
38.确定标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压包括：在标准读电压的左侧方向移动左偏距离后确定左移读电压的位置，在标准读电压的右侧方向移动右偏距离后确定右移读电压的位置，其中左偏距离与右偏距离根据目标老化信道与需要验证的解码能力进行确定，并不限定左偏距离与右偏距离相等，通过这样的方式，可以根据需求灵活调整解码前数据中引入的错误量，使得与低密度校验码解码能力仿真结果对齐，并且可以实现量化操作。
39.202、根据标准读电压读取标准数据，根据左移读电压读取左移数据以及根据右移读电压读取右移数据，对左移数据与右移数据进行异或操作，将左移数据不同于右移数据的位置确定为标准数据中待翻转数据位置。
40.对于本实施例，作为一种实施方式，通过ssd控制器读取存储在nand闪存中的编码后的数据，具体的，标准数据为在标准读电压下读取的，左移数据为在左移读电压下读取的，右移数据为在右移读电压下读取的。
41.其中，标准数据、左移数据、右移数据均为固定码长的二进制数据，异或操作指的是进行异或操作的两个值如果相同，则输出0，如果不同则输出1，对左移数据与右移数据的相同位置上的0-1序列数据进行异或操作，得到进行异或操作后的新数据，将左移数据不同于右移数据的位置确定为标准数据中待翻转数据位置也就是将新数据中为1的位置确定为标准数据中待翻转数据位置。
[0042] 203、将标准数据中的待翻转数据位置上的待翻转数据进行0与1的翻转，得到翻转后的硬判决信息。
[0043]
对于本实施例，作为一种优选实施方式，将标准数据中的待翻转数据位置上的待翻转数据进行0与1的翻转也就是标准数据中的待翻转数据位置上的待翻转数据如果是0，则翻转为1；如果是1，则翻转为0，得到的翻转后的硬判决信息是低密度校验码硬解码信息，是0-1序列信息。
[0044]
进行0与1的翻转是为了等效的构建目标老化信道，即左移读电压与右移读电压之间分布态的存储单元中的数据要通过0与1的翻转成为错误信息，对应于说明书附图的图6上图中区间【左移读电压lsl，右移读电压rsl】。
[0045]
204、对左移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，得到第一异或数据，对右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，得到第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息。
[0046]
具体实施过程可参照实施例步骤103中的相关描述，在此不再赘述。
[0047]
205、将硬判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码硬解码结果。
[0048]
判断对硬判决信息进行低密度校验码解码操作是否成功；若对硬判决信息进行低密度校验码解码操作成功，则读取原始数据中的第一纠错数据，根据第一纠错数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码硬解码结果。
[0049]
具体的，若对硬判决信息进行低密度校验码解码操作成功，则：低密度校验码硬解码结果=第一纠错数据的数量/原始数据的数量，其中，第一纠错数据是解码纠正成功的数据。
[0050]
若对硬判决信息进行低密度校验码解码操作失败，则读取原始数据中与原始数据不同的第一错误数据，根据第一错误数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码硬解码结果。
[0051]
具体的，若对硬判决信息进行低密度校验码解码操作失败，则：低密度校验码硬解码结果=第一错误数据的数量/原始数据的数量。
[0052]
206、将硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码软解码结果。
[0053]
判断对硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作是否成功；若对硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作成功，则读取原始数据中的第二纠错数据，根据第二纠错数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码软解码结果；具体的，若对硬判决信息与软判决信息进行低密度校验码解码操作成功，则：低密度校验码软解码结果=第二纠错数据的数量/原始数据的数量，其中，第二纠错数据是解码纠正成功的数据。
[0054]
若对硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作不成功，则读取原始数据中与原始数据不同的第二错误数据，根据第二错误数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码软解码结果。
[0055]
具体的，若对硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作不成功，则：低密度校验码软解码结果=第二错误数据的数量/原始数据的数量，其中，第二错误数据是解码纠正不成功的与原始数据不同的数据。
[0056]
207、根据低密度校验码硬解码结果与低密度校验码软解码结果生成低密度校验
码解码能力验证结果。
[0057]
根据实际需要设置预设硬解码标准值与预设软解码标准值，当低密度校验码硬解码结果大于预设硬解码标准值且低密度校验码软解码结果大于预设软解码标准值时，表示低密度校验码解码能力通过验证，当低密度校验码硬解码结果小于预设硬解码标准值或者低密度校验码软解码结果小于预设软解码标准值时，表示低密度校验码解码能力未通过验证。
[0058]
本技术公开了一种低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备，可首先获取阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压；根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息；然后，对硬判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码硬解码结果；进一步的，分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息；最后，根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。通过本技术中的技术方案，能够在ssd开发过程中，不必为低密度校验码解码能力验证构建单独的硬件模块和专用软件，使低密度校验码解码能力验证从单纯的仿真落实到实际的信道测试中，且不需要对nand闪存进行老化测试，节约大量的时间和资源。
[0059]
进一步的，作为图1和图2所示方法的具体实现，本技术实施例提供了一种低密度校验码解码能力的验证装置，如图3所示，该装置包括：获取模块31、第一确定模块32、第二确定模块33、生成模块34；获取模块31，可用于获取阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压；第一确定模块32，可用于根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息；第二确定模块33，可用于分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息；生成模块34，可用于根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。
[0060]
在具体的应用场景中，阈值电压分布包括：多个阈值电压态；确定阈值电压分布的标准读电压时，如图4所示，获取模块31，具体可包括：选择单元311、确定单元312；选择单元311，可用于选择多个阈值电压态中的第一阈值电压态与第二阈值电压态，其中，第一阈值电压态与第二阈值电压态相邻，且第二阈值电压态的最小阈值电压大于第一阈值电压态的最大阈值电压；确定单元312，可用于在最大阈值电压与最小阈值电压范围内确定标准读电压。
[0061]
在具体的应用场景中，根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息时，如图4所示，第一确定模块32，具体可包括：第一异或操作单元321、翻转单元322；第一异或操作单元321，可用于根据左移读电压读取左移数据以及根据右移读电
压读取右移数据，对左移数据与右移数据进行异或操作，将左移数据不同于右移数据的位置确定为待翻转数据位置；翻转单元322，可用于将标准数据中的待翻转数据位置上的待翻转数据进行0与1的翻转，得到翻转后的硬判决信息。
[0062]
在具体的应用场景中，分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息，如图4所示，第二确定模块33，具体可包括：获取单元331、第二异或操作单元332、或操作单元333；获取单元331，可用于获取左移读电压左侧第一位置处的第一左侧数据、左移读电压右侧第二位置处的第一右侧数据、右移读电压左侧第一位置处的第二左侧数据、右移读电压右侧第二位置处的第二右侧数据；第二异或操作单元332，可用于将第一左侧数据与第一右侧数据进行异或操作得到第一异或数据，将第二左侧数据与第二右侧数据进行异或操作得到第二异或数据；或操作单元333，可用于对第一异或数据与第二异或数据进行或操作得到软判决信息。
[0063]
在具体的应用场景中，根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果，如图4所示，软解码操作模块34，具体可包括：第一分析单元341、第二分析单元342、生成单元343；第一分析单元341，可用于将硬判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码硬解码结果；第二分析单元342，可用于将硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码软解码结果；生成单元343，可用于根据低密度校验码硬解码结果与低密度校验码软解码结果生成低密度校验码解码能力验证结果。
[0064]
相应的，为了将硬判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码硬解码结果，第一分析单元341，具体可用于判断对硬判决信息进行低密度校验码解码操作是否正确；若是，则读取原始数据中的第一纠错数据，根据第一纠错数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码硬解码结果；若否，则读取原始数据中与原始数据不同的第一错误数据，根据第一错误数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码硬解码结果。
[0065]
相应的，为了将硬判决信息与至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，分析低密度校验码软解码结果，第二分析单元342，具体可用于判断对硬判决信息与至少一个软判决信息进行低密度校验码解码操作是否成功；若是，则读取原始数据中的第二纠错数据，根据第二纠错数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码软解码结果；若否，则读取原始数据中与原始数据不同的第二错误数据，根据第二错误数据的数量占原始数据的数量确定低密度校验码软解码结果。
[0066]
需要说明的是，本实施例提供的一种低密度校验码解码能力的验证装置所涉及各功能单元的其他相应描述，可以参考图1至图2的对应描述，在此不再赘述。
[0067]
基于上述如图1至图2所示方法，相应的，本实施例还提供了一种存储介质，存储介质具体可为易失性或非易失性，其上存储有计算机可读指令，该可读指令被处理器执行时
实现上述如图1至图2所示的低密度校验码解码能力的验证方法。
[0068]
基于这样的理解，本技术的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个存储介质（可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等）中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本技术各个实施场景的方法。
[0069]
基于上述如图1至图2所示的方法和图3、图4所示的虚拟装置实施例，为了实现上述目的，本实施例还提供了一种计算机设备，该计算机设备包括存储介质和处理器；存储介质，用于存储计算机程序；处理器，用于执行计算机程序以实现上述如图1至图2所示的低密度校验码解码能力的验证方法。
[0070]
可选的，该计算机设备还可以包括用户接口、网络接口、摄像头、射频（radio frequency，rf）电路，传感器、音频电路、wi-fi模块等等。用户接口可以包括显示屏（display）、输入单元比如键盘（keyboard）等，可选用户接口还可以包括usb接口、读卡器接口等。网络接口可选的可以包括标准的有线接口、无线接口（如wi-fi接口）等。
[0071]
本领域技术人员可以理解，本实施例提供的一种计算机设备结构并不构成对该实体设备的限定，可以包括更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
[0072]
存储介质中还可以包括操作系统、网络通信模块。操作系统是管理上述计算机设备硬件和软件资源的程序，支持信息处理程序以及其它软件和/或程序的运行。网络通信模块用于实现存储介质内部各组件之间的通信，以及与信息处理实体设备中其它硬件和软件之间通信。
[0073]
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到本技术可以借助软件加必要的通用硬件平台的方式来实现，也可以通过硬件实现。
[0074]
通过应用本技术的技术方案，与目前现有技术相比，本技术公开了一种低密度校验码解码能力的验证方法、装置及计算机设备，可首先获取阈值电压分布，确定阈值电压分布的标准读电压、标准读电压的左移读电压，以及标准读电压的右移读电压；根据标准读电压读取标准数据，确定标准数据中待翻转数据位置，根据标准数据与待翻转数据位置得到硬判决信息；然后，对硬判决信息进行低密度校验码解码操作，并分析低密度校验码硬解码结果；进一步的，分别对左移读电压两侧预设位置处的数据与右移读电压两侧预设位置处的数据进行异或操作，对应得到第一异或数据与第二异或数据，根据第一异或数据与第二异或数据确定软判决信息；最后，根据硬判决信息和至少一位软判决信息进行低密度校验码解码操作，生成低密度校验码解码能力验证结果。通过本技术中的技术方案，能够在ssd开发过程中，不必为低密度校验码解码能力验证构建单独的硬件模块和专用软件，使低密度校验码解码能力验证从单纯的仿真落实到实际的信道测试中，且不需要对nand闪存进行老化测试，节约大量的时间和资源。
[0075]
本领域技术人员可以理解附图只是一个优选实施场景的示意图，附图中的模块或流程并不一定是实施本技术所必须的。本领域技术人员可以理解实施场景中的装置中的模块可以按照实施场景描述进行分布于实施场景的装置中，也可以进行相应变化位于不同于本实施场景的一个或多个装置中。上述实施场景的模块可以合并为一个模块，也可以进一步拆分成多个子模块。
[0076]
上述本技术序号仅仅为了描述，不代表实施场景的优劣。以上公开的仅为本技术
的几个具体实施场景，但是，本技术并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本技术的保护范围。