1.本发明涉及一种存储器管理技术，且尤其涉及一种表格管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
背景技术：
：：2.智能手机、平板计算机及笔记本计算机在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。3.一般来说，在将数据存储至可复写式非易失性存储器模块之前，数据会先被编码。当欲读取数据时，可对所读取的数据进行解码，以尝试更正其中的错误。此外，用于读取数据的读取电压电平的设定对所读取的数据的正确性也影响很大。一般来说，可复写式非易失性存储器模块中可存储有多个管理表格。当欲读取数据时，这些管理表格可根据一预设顺序进行查询，以根据此些管理表格中排序最前面的管理表格中的信息来决定当次读取所使用的读取电压电平。若使用此读取电压电平所读取的数据无法被正确的解码，则排序在此管理表格之后的下一个管理表格中的信息可被查询以决定下一次的读取所使用的读取电压电平。但是，当操作环境发生变化时，使用预设的管理表格执行数据读取可能会导致数据解码效率下降。技术实现要素：4.有鉴于此，本发明提供一种表格管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可在存储器存储装置的多种状态下提高或维持数据解码效率。5.本发明的范例实施例提供一种表格管理方法，其用于存储器存储装置。所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块。所述表格管理方法包括：存储多个表格群组，其中所述多个表格群组中的每一个表格群组包括多个电压管理表格；检测所述存储器存储装置的状态；根据所述存储器存储装置的所述状态，将所述多个表格群组的其中之一决定为目标表格群组，其中所述目标表格群组包括多个目标电压管理表格；以及根据所述多个目标电压管理表格的至少其中之一使用至少一读取电压电平从所述可复写式非易失性存储器模块读取数据。6.本发明的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：存储多个表格群组，其中所述多个表格群组中的每一个表格群组包括多个电压管理表格；检测所述存储器存储装置的状态；根据所述存储器存储装置的所述状态，将所述多个表格群组的其中之一决定为目标表格群组，其中所述目标表格群组包括多个目标电压管理表格；以及根据所述多个目标电压管理表格的至少其中之一使用至少一读取电压电平从所述可复写式非易失性存储器模块读取数据。7.本发明的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：存储多个表格群组，其中所述多个表格群组中的每一个表格群组包括多个电压管理表格；检测所述存储器控制电路单元的状态；根据所述存储器控制电路单元的所述状态，将所述多个表格群组的其中之一决定为目标表格群组，其中所述目标表格群组包括多个目标电压管理表格；以及根据所述多个目标电压管理表格的至少其中之一使用至少一读取电压电平从所述可复写式非易失性存储器模块读取数据。8.基于上述，多个表格群组可事先被存储，其中每一个表格群组可包括多个电压管理表格。根据存储器存储装置的状态，所述多个表格群组的其中之一可被决定为目标表格群组，且目标表格群组可包括多个目标电压管理表格。尔后，即可根据所述多个目标电压管理表格的至少其中之一使用至少一读取电压电平从可复写式非易失性存储器模块读取数据。藉此，可在存储器存储装置的多种状态下提高或维持数据解码效率。附图说明9.图1是根据本发明的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(i/o)装置的示意图；10.图2是根据本发明的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及i/o装置的示意图；11.图3是根据本发明的范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图；12.图4是根据本发明的范例实施例所示出的存储器存储装置的示意图；13.图5是根据本发明的范例实施例所示出的存储器控制电路单元的示意图；14.图6是根据本发明的范例实施例所示出的管理可复写式非易失性存储器模块的示意图；15.图7是根据本发明的范例实施例所示出的多个表格群组的示意图；16.图8是根据本发明的范例实施例所示出的管理表格及其使用顺序的示意图；17.图9是根据本发明的范例实施例所示出的在解码操作中依序使用不同的读取电压电平来读取数据的示意图；18.图10是根据本发明的范例实施例所示出的软解码操作的示意图；19.图11是根据本发明的范例实施例所示出的表格管理方法的流程图。具体实施方式20.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。21.一般而言，存储器存储装置(亦称，存储器存储系统)包括可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)与控制器(亦称，控制电路)。存储器存储装置可与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器存储装置或从存储器存储装置中读取数据。22.图1是根据本发明的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(i/o)装置的示意图。图2是根据本发明的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及i/o装置的示意图。23.请参照图1与图2，主机系统11可包括处理器111、随机存取存储器(randomaccessmemory,ram)112、只读存储器(readonlymemory,rom)113及数据传输接口114。处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114可连接至系统总线(systembus)110。24.在一范例实施例中，主机系统11可通过数据传输接口114与存储器存储装置10连接。例如，主机系统11可经由数据传输接口114将数据存储至存储器存储装置10或从存储器存储装置10中读取数据。此外，主机系统11可通过系统总线110与i/o装置12连接。例如，主机系统11可经由系统总线110将输出信号传送至i/o装置12或从i/o装置12接收输入信号。25.在一范例实施例中，处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114可设置在主机系统11的主机板20上。数据传输接口114的数目可以是一或多个。通过数据传输接口114，主机板20可以经由有线或无线方式连接至存储器存储装置10。26.在一范例实施例中，存储器存储装置10可例如是u盘201、存储卡202、固态硬盘(solidstatedrive,ssd)203或无线存储器存储装置204。无线存储器存储装置204可例如是近场通信(nearfieldcommunication,nfc)存储器存储装置、无线传真(wifi)存储器存储装置、蓝牙(bluetooth)存储器存储装置或低功耗蓝牙存储器存储装置(例如，ibeacon)等以各式无线通信技术为基础的存储器存储装置。此外，主机板20也可以通过系统总线110连接至全球定位系统(globalpositioningsystem,gps)模块205、网络接口卡206、无线传输装置207、键盘208、屏幕209、喇叭210等各式i/o装置。例如，在一范例实施例中，主机板20可通过无线传输装置207存取无线存储器存储装置204。27.在一范例实施例中，主机系统11为计算机系统。在一范例实施例中，主机系统11可为可实质地与存储器存储装置配合以存储数据的任意系统。在一范例实施例中，存储器存储装置10与主机系统11可分别包括图3的存储器存储装置30与主机系统31。28.图3是根据本发明的范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图。请参照图3，存储器存储装置30可与主机系统31搭配使用以存储数据。例如，主机系统31可以是数码相机、摄像机、通信装置、音频播放器、视频播放器或平板计算机等系统。例如，存储器存储装置30可为主机系统31所使用的安全数字(securedigital,sd)卡32、小型快闪(compactflash,cf)卡33或嵌入式存储装置34等各式非易失性存储器存储装置。嵌入式存储装置34包括嵌入式多媒体卡(embeddedmultimediacard,emmc)341和/或嵌入式多芯片封装(embeddedmultichippackage,emcp)存储装置342等各类型将存储器模块直接连接于主机系统的基板上的嵌入式存储装置。29.图4是根据本发明的范例实施例所示出的存储器存储装置的示意图。请参照图4，存储器存储装置10包括连接接口单元41、存储器控制电路单元42与可复写式非易失性存储器模块43。30.连接接口单元41用以将存储器存储装置10连接主机系统11。存储器存储装置10可经由连接接口单元41与主机系统11通信。在一范例实施例中，连接接口单元41是相容于外设部件互连局部总线(peripheralcomponentinterconnectexpress,pciexpress)标准。然而，必须了解的是，本发明不限于此，连接接口单元41亦可以是符合串行高级技术附件(serialadvancedtechnologyattachment,sata)标准、并行高级技术附件(paralleladvancedtechnologyattachment,pata)标准、电气和电子工程师协会(instituteofelectricalandelectronicengineers,ieee)1394标准、通用串行总线(universalserialbus,usb)标准、sd接口标准、超高速一代(ultrahighspeed-i,uhs-i)接口标准、超高速二代(ultrahighspeed-ii,uhs-ii)接口标准、存储棒(memorystick,ms)接口标准、mcp接口标准、mmc接口标准、emmc接口标准、通用快闪存储器(universalflashstorage,ufs)接口标准、emcp接口标准、cf接口标准、整合式驱动电子接口(integrateddeviceelectronics,ide)标准或其他适合的标准。连接接口单元41可与存储器控制电路单元42封装在一个芯片中，或者连接接口单元41是布设于一包含存储器控制电路单元42的芯片外。31.存储器控制电路单元42连接至连接接口单元41与可复写式非易失性存储器模块43。存储器控制电路单元42用以执行以硬件型式或固件型式实作的多个逻辑门或控制指令并且根据主机系统11的指令在可复写式非易失性存储器模块43中进行数据的写入、读取与抹除等运作。32.可复写式非易失性存储器模块43用以存储主机系统11所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块43可包括单阶存储单元(singlelevelcell,slc)nand型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储1个比特的快闪存储器模块)、二阶存储单元(multilevelcell,mlc)nand型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储2个比特的快闪存储器模块)、三阶存储单元(triplelevelcell,tlc)nand型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储3个比特的快闪存储器模块)、四阶存储单元(quadlevelcell,qlc)nand型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储4个比特的快闪存储器模块)、其他快闪存储器模块或其他具有相同特性的存储器模块。33.可复写式非易失性存储器模块43中的每一个存储单元是以电压(以下亦称为临界电压)的改变来存储一或多个比特。具体来说，每一个存储单元的控制门(controlgate)与通道之间有一个电荷捕捉层。通过施予一写入电压至控制门，可以改变电荷捕捉层的电子量，进而改变存储单元的临界电压。此改变存储单元的临界电压的操作亦称为“把数据写入至存储单元”或“程序化(programming)存储单元”。随着临界电压的改变，可复写式非易失性存储器模块43中的每一个存储单元具有多个存储状态。通过施予读取电压可以判断一个存储单元是属于哪一个存储状态，藉此取得此存储单元所存储的一或多个比特。34.在一范例实施例中，可复写式非易失性存储器模块43的存储单元可构成多个实体程序化单元，并且此些实体程序化单元可构成多个实体抹除单元。具体来说，同一条字线上的存储单元可组成一或多个实体程序化单元。若每一个存储单元可存储2个以上的比特，则同一条字线上的实体程序化单元可至少可被分类为下实体程序化单元与上实体程序化单元。例如，一存储单元的最低有效位元(leastsignificantbit,lsb)是属于下实体程序化单元，并且一存储单元的最高有效位元(mostsignificantbit,msb)是属于上实体程序化单元。一般来说，在mlcnand型快闪存储器中，下实体程序化单元的写入速度会大于上实体程序化单元的写入速度，和/或下实体程序化单元的可靠度是高于上实体程序化单元的可靠度。35.在一范例实施例中，实体程序化单元为程序化的最小单元。即，实体程序化单元为写入数据的最小单元。例如，实体程序化单元可为实体页(page)或是实体扇(sector)。若实体程序化单元为实体页，则此些实体程序化单元可包括数据比特区与冗余(redundancy)比特区。数据比特区包含多个实体扇，用以存储用户数据，而冗余比特区用以存储系统数据(例如，错误更正码等管理数据)。在一范例实施例中，数据比特区包含32个实体扇，且一个实体扇的大小为512字节(byte,b)。然而，在其他范例实施例中，数据比特区中也可包含8个、16个或数目更多或更少的实体扇，并且每一个实体扇的大小也可以是更大或更小。另一方面，实体抹除单元为抹除的最小单位。亦即，每一实体抹除单元含有最小数目的一并被抹除的存储单元。例如，实体抹除单元为实体区块(block)。36.图5是根据本发明的范例实施例所示出的存储器控制电路单元的示意图。请参照图5，存储器控制电路单元42包括存储器管理电路51、主机接口52、存储器接口53及错误检查与校正电路54。37.存储器管理电路51用以控制存储器控制电路单元42的整体运作。具体来说，存储器管理电路51具有多个控制指令，并且在存储器存储装置10运作时，此些控制指令会被执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。以下说明存储器管理电路51的操作时，等同于说明存储器控制电路单元42的操作。38.在一范例实施例中，存储器管理电路51的控制指令是以固件型式来实作。例如，存储器管理电路51具有微处理器单元(未示出)与只读存储器(未示出)，并且此些控制指令是被烧录至此只读存储器中。当存储器存储装置10运作时，此些控制指令会由微处理器单元来执行以进行数据的写入、读取与抹除等运作。39.在一范例实施例中，存储器管理电路51的控制指令亦可以程序码型式存储于可复写式非易失性存储器模块43的特定区域(例如，存储器模块中专用于存放系统数据的系统区)中。此外，存储器管理电路51具有微处理器单元(未示出)、只读存储器(未示出)及随机存取存储器(未示出)。特别是，此只读存储器具有开机码(bootcode)，并且当存储器控制电路单元42被致能时，微处理器单元会先执行此开机码来将存储于可复写式非易失性存储器模块43中的控制指令载入至存储器管理电路51的随机存取存储器中。之后，微处理器单元会运转此些控制指令以进行数据的写入、读取与抹除等运作。40.在一范例实施例中，存储器管理电路51的控制指令亦可以一硬件型式来实作。例如，存储器管理电路51包括微控制器、存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器抹除电路与数据处理电路。存储单元管理电路、存储器写入电路、存储器读取电路、存储器抹除电路与数据处理电路是连接至微控制器。存储单元管理电路用以管理可复写式非易失性存储器模块43的存储单元或存储单元群组。存储器写入电路用以对可复写式非易失性存储器模块43下达写入指令序列以将数据写入至可复写式非易失性存储器模块43中。存储器读取电路用以对可复写式非易失性存储器模块43下达读取指令序列以从可复写式非易失性存储器模块43中读取数据。存储器抹除电路用以对可复写式非易失性存储器模块43下达抹除指令序列以将数据从可复写式非易失性存储器模块43中抹除。数据处理电路用以处理欲写入至可复写式非易失性存储器模块43的数据以及从可复写式非易失性存储器模块43中读取的数据。写入指令序列、读取指令序列及抹除指令序列可各别包括一或多个程序码或指令码并且用以指示可复写式非易失性存储器模块43执行相对应的写入、读取及抹除等操作。在一范例实施例中，存储器管理电路51还可以下达其他类型的指令序列给可复写式非易失性存储器模块43以指示执行相对应的操作。41.主机接口52是连接至存储器管理电路51。存储器管理电路51可通过主机接口52与主机系统11通信。主机接口52可用以接收与识别主机系统11所传送的指令与数据。例如，主机系统11所传送的指令与数据可通过主机接口52来传送至存储器管理电路51。此外，存储器管理电路51可通过主机接口52将数据传送至主机系统11。在本范例实施例中，主机接口52是相容于pciexpress标准。然而，必须了解的是本发明不限于此，主机接口52亦可以是相容于sata标准、pata标准、ieee1394标准、usb标准、sd标准、uhs-i标准、uhs-ii标准、ms标准、mmc标准、emmc标准、ufs标准、cf标准、ide标准或其他适合的数据传输标准。42.存储器接口53是连接至存储器管理电路51并且用以存取可复写式非易失性存储器模块43。例如，存储器管理电路51可通过存储器接口53存取可复写式非易失性存储器模块43。也就是说，欲写入至可复写式非易失性存储器模块43的数据会经由存储器接口53转换为可复写式非易失性存储器模块43所能接受的格式。具体来说，若存储器管理电路51要存取可复写式非易失性存储器模块43，存储器接口53会传送对应的指令序列。例如，这些指令序列可包括指示写入数据的写入指令序列、指示读取数据的读取指令序列、指示抹除数据的抹除指令序列、以及用以指示各种存储器操作(例如，改变读取电压电平或执行垃圾回收操作等等)的相对应的指令序列。这些指令序列例如是由存储器管理电路51产生并且通过存储器接口53传送至可复写式非易失性存储器模块43。这些指令序列可包括一或多个信号，或是在总线上的数据。这些信号或数据可包括指令码或程序码。例如，在读取指令序列中，会包括读取的识别码、存储器地址等信息。43.错误检查与校正电路(亦称为解码电路)54是连接至存储器管理电路51并且用以执行错误检查与校正操作以确保数据的正确性。具体来说，当存储器管理电路51从主机系统11中接收到写入指令时，错误检查与校正电路54会为对应此写入指令的数据产生对应的错误更正码(errorcorrectingcode,ecc)和/或错误检查码(errordetectingcode，edc)，并且存储器管理电路51会将对应此写入指令的数据与对应的错误更正码和/或错误检查码写入至可复写式非易失性存储器模块43中。之后，当存储器管理电路51从可复写式非易失性存储器模块43中读取数据时会同时读取此数据对应的错误更正码和/或错误检查码，并且错误检查与校正电路54会依据此错误更正码和/或错误检查码对所读取的数据执行错误检查与校正操作。44.在一范例实施例中，存储器控制电路单元42还包括缓冲存储器55与电源管理电路56。45.缓冲存储器55是连接至存储器管理电路51并且用以暂存数据。电源管理电路56是连接至存储器管理电路51并且用以控制存储器存储装置10的电源。46.在一范例实施例中，图4的可复写式非易失性存储器模块43可包括快闪存储器模块。在一范例实施例中，图4的存储器控制电路单元42可包括快闪存储器控制器。在一范例实施例中，图5的存储器管理电路51可包括快闪存储器管理电路。47.图6是根据本发明的范例实施例所示出的管理可复写式非易失性存储器模块的示意图。请参照图6，存储器管理电路51可将可复写式非易失性存储器模块43中的实体单元610(0)～610(b)逻辑地分组至存储区601与闲置(spare)区602。48.在一范例实施例中，一个实体单元是指一个实体地址或一个实体程序化单元。在一范例实施例中，一个实体单元亦可以是由多个连续或不连续的实体地址组成。在一范例实施例中，一个实体单元亦可以是指一个虚拟区块(vb)。一个虚拟区块可包括多个实体地址或多个实体程序化单元。49.存储区601中的实体单元610(0)～610(a)用以存储用户数据(例如来自图1的主机系统11的用户数据)。例如，存储区601中的实体单元610(0)～610(a)可存储有效(valid)数据与无效(invalid)数据。闲置区602中的实体单元610(a+1)～610(b)未存储数据(例如有效数据)。例如，若某一个实体单元未存储有效数据，则此实体单元可被关联(或加入)至闲置区602。此外，闲置区602中的实体单元(或未存储有效数据的实体单元)可被抹除。在写入新数据时，一或多个实体单元可被从闲置区602中提取以存储此新数据。在一范例实施例中，闲置区602亦称为闲置池(freepool)。50.存储器管理电路51可配置逻辑单元612(0)～612(c)以映射存储区601中的实体单元610(0)～610(a)。在一范例实施例中，每一个逻辑单元对应一个逻辑地址。例如，一个逻辑地址可包括一或多个逻辑区块地址(logicalblockaddress,lba)或其他的逻辑管理单元。在一范例实施例中，一个逻辑单元也可对应一个逻辑程序化单元或者由多个连续或不连续的逻辑地址组成。51.须注意的是，一个逻辑单元可被映射至一或多个实体单元。若某一实体单元当前有被某一逻辑单元映射，则表示此实体单元当前存储的数据包括有效数据。反之，若某一实体单元当前未被任一逻辑单元映射，则表示此实体单元当前存储的数据为无效数据。52.存储器管理电路51可将描述逻辑单元与实体单元之间的映射关系的管理数据(亦称为逻辑至实体映射信息)记录于至少一逻辑至实体映射表。当主机系统11欲从存储器存储装置10读取数据或写入数据至存储器存储装置10时，存储器管理电路51可根据此逻辑至实体映射表中的信息来存取可复写式非易失性存储器模块43。53.图7是根据本发明的范例实施例所示出的多个表格群组的示意图。请参照图7，存储器管理电路51可将多个表格群组71(0)～71(d)存储于可复写式非易失性存储器模块43中(例如存储于专用以存储系统信息的系统区)。表格群组71(0)～71(d)中的每一个表格群组可包括多个管理表格(亦称为电压管理表格)。电压管理表格中的信息可用以决定读取电压电平。例如，电压管理表格可记载电压偏移值。所述电压偏移值可用以调整基准电压电平以获得欲使用的读取电压电平。所决定的读取电压电平可用以从可复写式非易失性存储器模块43中的特定实体单元(亦称为第一实体单元)读取数据。特别是，不同的表格群组可包含不同的电压管理表格，使根据不同的表格群组中的电压管理表格所决定的读取电压电平也可不同。54.在一范例实施例中，存储器管理电路51可检测存储器存储装置10的状态。存储器管理电路51可根据存储器存储装置10的状态，将表格群组71(0)～71(d)的其中之一决定为目标表格群组72。例如，存储器管理电路51可根据存储器存储装置10的状态，选择表格群组71(0)～71(d)的其中之一作为目标表格群组72。目标表格群组72中的多个电压管理表格亦称为目标电压管理表格。然后，存储器管理电路51可根据所述多个目标电压管理表格的至少其中之一来使用至少一读取电压电平从可复写式非易失性存储器模块43(即第一实体单元)读取数据。55.在一范例实施例中，错误检查与校正电路54可对从第一实体单元读取的数据执行解码操作，以尝试更正此数据中的错误比特。例如，错误检查与校正电路54可支援低密度奇偶检查码(lowdensityparitycheckcode,ldpccode)或bch等各式编/解码算法。若某一解码操作可成功解码某一数据，则成功解码的数据可被输出，例如传送给主机系统10以回复主机系统10的读取请求。然而，若某一解码操作无法成功解码某一数据，则存储器管理电路51可根据目标表格群组72中的电压管理表格(即目标电压管理表格)使用不同的读取电压电平来再次读取第一实体单元，以尝试减少所读取的数据中的错误比特的总数和/或提高对所读取的数据的解码成功率。尔后，错误检查与校正电路54可再次对所读取的数据进行解码。56.图8是根据本发明的范例实施例所示出的管理表格及其使用顺序的示意图。图9是根据本发明的范例实施例所示出的在解码操作中依序使用不同的读取电压电平来读取数据的示意图。57.请参照图8，假设目标表格群组72包括管理表格801(0)～801(e)(即目标电压管理表格)。管理表格801(0)～801(e)中的信息可分别用以决定图9中的读取电压电平901(0)～901(e)。例如，管理表格801(0)中的信息可用以决定读取电压电平901(0)，管理表格801(i)中的信息可用以决定读取电压电平901(i)，且管理表格801(e)中的信息可用以决定读取电压电平901(e)。i可为大于0且小于e的正整数。58.须注意的是，在采用目标表格群组72而针对从同一个实体单元中读取的数据的解码操作中，管理表格801(0)～801(e)的使用顺序如图8所示。例如，此使用顺序可反映出，管理表格801(0)的使用优先权高于管理表格801(i)的使用优先权，且管理表格801(i)的使用优先权高于管理表格801(e)的使用优先权。此外，管理表格801(0)～801(e)的使用顺序可根据特定规则而动态调整。59.请参照图9，假设图8的管理表格801(0)～801(e)的使用顺序反映管理表格801(0)的使用优先权最高。当欲从第一实体单元读取数据时，存储器管理电路51可先根据管理表格801(0)中的信息决定读取电压电平901(0)。然后，存储器管理电路51可根据读取电压电平901(0)发送读取指令序列至可复写式非易失性存储器模块43。此读取指令序列可指示可复写式非易失性存储器模块43使用读取电压电平901(0)来读取第一实体单元中的数据。60.在一范例实施例中，假设第一实体单元中的多个存储单元的临界电压分布包括状态910与920。属于状态910的存储单元用以存储某一比特(或比特组合)。属于状态920的存储单元用以存储另一比特(或另一比特组合)。例如，属于状态910的存储单元可用以存储比特“1”(或者比特组合“111”)，和/或属于状态920的存储单元可用以存储比特“0”(或者比特组合“000”)等，本发明不加以限制。61.根据接收到的读取指令序列，可复写式非易失性存储器模块43可将读取电压电平901(0)施加至第一实体单元中的多个存储单元。若某一存储单元可被读取电压电平901(0)导通(例如此存储单元的临界电压小于读取电压电平901(0))，则存储器管理电路51可判定此存储单元属于状态810。反之，若某一存储单元未被读取电压电平801(0)导通(例如此存储单元的临界电压大于读取电压电平901(0))，则存储器管理电路51可判定此存储单元属于状态920。藉此，存储器管理电路51可获得使用读取电压电平901(0)从第一实体单元中读取的数据。例如，此数据可反映读取电压电平901(0)对第一实体单元中的存储单元的导通状态。然后，错误检查与校正电路54可对此数据进行解码。若此数据可被成功解码，则错误检查与校正电路54可输出成功解码的数据。62.然而，若使用读取电压电平901(0)读取的数据无法被成功解码，则存储器管理电路51可根据管理表格801(0)～801(e)的使用顺序读取管理表格801(i)中的信息。存储器管理电路51可根据管理表格801(i)中的信息决定下一个读取电压电平，即读取电压电平901(i)。存储器管理电路51可根据读取电压电平901(i)发送读取指令序列至可复写式非易失性存储器模块43。此读取指令序列可指示可复写式非易失性存储器模块43使用读取电压电平901(i)来读取第一实体单元中的数据。根据此读取指令序列，可复写式非易失性存储器模块43可将读取电压电平901(i)施加至第一实体单元中的多个存储单元。藉此，存储器管理电路51可获得使用读取电压电平901(i)从第一实体单元中读取的数据。此数据可反映读取电压电平901(i)对第一实体单元中的存储单元的导通状态。然后，错误检查与校正电路54可对此数据进行解码。若此数据可被成功解码，则错误检查与校正电路54可输出成功解码的数据。63.依此类推，若使用读取电压电平901(i)读取的数据无法被成功解码，则存储器管理电路51可根据管理表格801(0)～801(e)的使用顺序读取管理表格801(e)中的信息。存储器管理电路51可根据管理表格801(e)中的信息决定下一个读取电压电平，即读取电压电平901(e)。然后，存储器管理电路51可根据读取电压电平901(e)发送读取指令序列至可复写式非易失性存储器模块43。此读取指令序列可指示可复写式非易失性存储器模块43使用读取电压电平901(e)来读取第一实体单元中的数据。根据此读取指令序列，可复写式非易失性存储器模块43可将读取电压电平901(e)施加至第一实体单元中的多个存储单元。藉此，存储器管理电路51可获得使用读取电压电平901(e)来从第一实体单元读取的数据。此数据可反映读取电压电平901(e)对第一实体单元中的存储单元的导通状态。然后，错误检查与校正电路54可对此数据进行解码。64.在一范例实施例中，图9的范例实施例中可重复执行的解码操作亦称为硬解码操作。此硬解码操作可用以重复针对使用不同的读取电压电平从第一实体单元中读取的数据进行解码，直到目标表格群组72中的管理表格801(0)～801(e)被用尽或者所读取的数据被成功解码为止。须注意的是，图9的读取电压电平901(0)～901(e)各别的电压位置、读取电压电平901(0)～901(e)的总数以及状态910、920的型态皆为范例，非用以限定本发明。65.在一范例实施例中，根据存储器存储装置10的不同状态，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中不同的表格群组决定为目标表格群组72。例如，在存储器存储装置10的特定状态(亦称为第一状态)下，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的特定表格群组(亦称为第一表格群组)决定为目标表格群组72。此外，在存储器存储装置10的另一状态(亦称为第二状态)下，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的另一表格群组(亦称为第二表格群组)决定为目标表格群组72。第一表格群组不同于第二表格群组。66.在一范例实施例中，响应于存储器存储装置10的状态发生变化，存储器管理电路51可将目标表格群组72从表格群组71(0)～71(d)中的特定表格群组(例如第一表格群组)切换为表格群组71(0)～71(d)中的另一表格群组(例如第二表格群组)。例如，响应于存储器存储装置10的状态从第一状态改变为第二状态，存储器管理电路51可将目标表格群组72从第一表格群组切换为第二表格群组。67.在一范例实施例中，所检测且可用以决定或改变目标表格群组72的状态信息包括存储器存储装置10的工作状态、温度状态、使用状态及解码状态的至少其中之一。存储器管理电路51可根据存储器存储装置10的工作状态、温度状态、使用状态及解码状态的至少其中之一，将表格群组71(0)～71(d)的其中之一决定为目标表格群组72。68.在一范例实施例中，存储器存储装置10的工作状态可反映存储器存储装置10是否处于上电阶段。例如，在上电阶段中，存储器存储装置10正在执行开机程序。在完成开机程序后，存储器存储装置10可结束上电程序并进入正常操作阶段。69.在一范例实施例中，响应于存储器存储装置10处于上电阶段(例如存储器存储装置10正在执行开机程序)，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(f)决定为目标表格群组72。稍后，响应于存储器存储装置10不处于上电阶段(例如存储器存储装置10已结束开机程序)，则存储器管理电路51可改为将表格群组71(g)决定为目标表格群组72。表格群组71(f)不同于表格群组71(g)。70.在一范例实施例中，存储器存储装置10的温度状态可反映可复写式非易失性存储器模块43(或存储器存储装置10)的温度。在一范例实施例中，存储器存储装置10的温度状态可反映可复写式非易失性存储器模块43(或存储器存储装置10)的温度是否位于特定温度范围内。71.在一范例实施例中，响应于可复写式非易失性存储器模块43(或存储器存储装置10)的温度位于特定温度范围(亦称为第一温度范围)内，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(h)决定为目标表格群组72。此外，响应于可复写式非易失性存储器模块43(或存储器存储装置10)的温度位于另一温度范围(亦称为第二温度范围)内，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(j)决定为目标表格群组72。第一温度范围不同于第二温度范围。表格群组71(h)不同于表格群组71(j)。72.在一范例实施例中，存储器存储装置10的使用状态可反映可复写式非易失性存储器模块43的损耗程度。例如，可复写式非易失性存储器模块43的损耗程度可包含第一实体单元的损耗程度。例如，可复写式非易失性存储器模块43的损耗程度可正相关于第一实体单元中的存储单元被程序化的次数、被抹除的次数、被读取的次数及比特错误率。例如，第一实体单元中的存储单元被程序化的次数、被抹除的次数及被读取的次数可分别以程序化计数、抹除计数及读取计数来表示。在一范例实施例中，存储器管理电路51可根据所述程序化计数、抹除计数、读取计数和/或比特错误率来获得可复写式非易失性存储器模块43的损耗程度。73.在一范例实施例中，响应于可复写式非易失性存储器模块43的损耗程度符合特定条件(亦称为第一条件)，例如所述程序化计数、抹除计数、读取计数和/或比特错误率位于特定数值范围(亦称为第一数值范围)内，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(k)决定为目标表格群组72。此外，响应于可复写式非易失性存储器模块43的损耗程度符合另一条件(亦称为第二条件)，例如所述程序化计数、抹除计数、读取计数和/或比特错误率位于另一数值范围(亦称为第二数值范围)内，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(m)决定为目标表格群组72。第一数值范围不同于第二数值范围。表格群组71(k)不同于表格群组71(m)。74.在一范例实施例中，存储器存储装置10的解码状态可反映存储器存储装置10是否处于特定解码阶段。例如，所述特定解码阶段可包括错误检查与校正电路54即将进入软解码操作前的最后(硬)解码阶段。75.在一范例实施例中，在判定硬解码操作失败后，错误检查与校正电路54可执行软解码操作。在软解码操作中，错误检查与校正电路54可使用更多的读取电压电平来读取第一实体单元，以获得更多可用以解码数据的辅助信息(亦称为软信息)。根据所述软信息，错误检查与校正电路54在软解码操作中的解码能力可高于错误检查与校正电路54在硬解码操作中的解码能力。76.在一范例实施例中，响应于存储器存储装置10不处于所述特定解码阶段，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(p)决定为目标表格群组72。然而，响应于存储器存储装置10处于所述特定解码阶段，例如，错误检查与校正电路54操作于即将进入软解码操作前的最后(硬)解码阶段，则存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(q)决定为目标表格群组72。表格群组71(p)不同于表格群组71(q)。77.在一范例实施例中，存储器管理电路51可根据软解码操作的执行结果来调整专门在所述特定解码阶段中使用的表格群组(例如表格群组71(q))。例如，存储器管理电路51可根据软解码操作中获得的软信息来调整表格群组71(q)中的一或多个电压管理表格中的信息。尔后，在错误检查与校正电路54即将进入软解码操作前的最后(硬)解码阶段中，根据表格群组71(q)中的一或多个电压管理表格所决定并使用的读取电压电平可用以从第一实体单元中读取正确率较高的数据。此外，在一范例实施例中，表格群组71(q)亦可以在软解码操作中被设定为目标表格群组72。78.图10是根据本发明的范例实施例所示出的软解码操作的示意图。请参照图10，在软解码操作中，多个读取电压电平(亦称为软读取电压电平)1001(0)～1001(4)可被用以读取第一实体单元中的存储单元。特别是，读取电压电平1001(0)～1001(4)可用以将第一实体单元中的存储单元的临界电压分布划分为多个电压区域1002(0)～1002(5)，如图10所示。例如，电压区域1002(1)位于读取电压电平1001(0)与1001(1)之间，依此类推。根据读取电压电平1001(0)～1001(4)对第一实体单元中的某一存储单元的读取结果，存储器管理电路51可获得对应于第一实体单元的软信息。所述软信息可反映第一实体单元中的各个存储单元的临界电压位于电压区域1002(0)～1002(5)中的某一电压区域中。存储器管理电路51可根据所述软信息来调整表格群组71(q)中的一或多个电压管理表格中的信息。此外，读取电压电平1001(0)～1001(4)对第一实体单元的读取结果(即所述软信息)还可以有更多用法，例如用以调整对应于第一实体单元的对数相似性比值(loglikelihoodratio,llr)等，以提高软解码操作的解码成功率，本发明不加以限制。79.在一范例实施例中，上述各种可反映存储器存储装置10的当前状态的状态信息可择一或多个搭配使用，以对应于存储器存储装置10的当前状态采用最合适的表格群组作为目标表格群组72。例如，在存储器存储装置10处于上电阶段且可复写式非易失性存储器模块43(或存储器存储装置10)的温度位于第一温度范围内的状态下，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(r)决定为目标表格群组72。稍后，在存储器存储装置10不处于上电阶段且可复写式非易失性存储器模块43(或存储器存储装置10)的温度仍位于第一温度范围内的状态下，存储器管理电路51可将表格群组71(0)～71(d)中的表格群组71(s)决定为目标表格群组72。表格群组71(r)不同于表格群组71(s)。更多的存储器存储装置10的状态与所采用的目标表格群组72的搭配组合皆可根据实务需求进行配对设定，本发明不加以限制。80.图11是根据本发明的范例实施例所示出的表格管理方法的流程图。请参照图11，在步骤s1101中，存储多个表格群组，其中所述多个表格群组中的每一个表格群组包括多个电压管理表格。在步骤s1102中，检测存储器存储装置的状态。在步骤s1103中，根据所述存储器存储装置的状态，将所述多个表格群组的其中之一决定为目标表格群组，其中目标表格群组包括多个目标电压管理表格。在步骤s1104中，根据所述多个目标电压管理表格的至少其中之一使用至少一读取电压电平从可复写式非易失性存储器模块读取数据。81.然而，图11中各步骤已详细说明如上，在此便不再赘述。值得注意的是，图11中各步骤可以实作为多个程序码或是电路，本发明不加以限制。此外，图11的方法可以搭配以上范例实施例使用，也可以单独使用，本发明不加以限制。82.综上所述，本发明所提出的范例实施例可根据当前存储器存储装置的状态动态将特定的表格群组决定为目标表格群组。尔后，根据目标表格群组中的一或多个电压管理表格所决定并使用的读取电压电平可用以从可复写式非易失性存储器模块中读取正确率较高的数据。藉此，可有效提高或维持存储器存储装置在不同状态下的数据解码效率。83.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。当前第1页12当前第1页12