技术特征：
1.一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述拓扑相变材料忆阻器件包括由下而上依次设置的衬底层、底电极层、存储介质层和顶电极层，所述存储介质层的材料采用纯相srfeo
2.5
或srcoo
2.5
，所述极性切换方法包括正向置位负向复位切换至负向置位正向复位的第一切换方法、及负向置位正向复位切换至正向置位负向复位的第二切换方法；其中，所述第一切换方法包括如下步骤：(1)将所述拓扑相变材料忆阻器件的底电极层接地，在其顶电极层施加0～-9v负向直流扫描电压完成电成型操作；(2)在所述顶电极层施加0～2v正向直流扫描电压完成set操作，然后在顶电极层施加0～-2.5v负向直流扫描电压完成reset操作，使得所述拓扑相变材料忆阻器件为正向置位负向复位状态；(3)在顶电极层施加0～+6v正向直流扫描电压，然后在所述顶电极层施加0～-2v负向直流扫描电压完成set操作，接着在顶电极施加0～+2.5v正向直流扫描电压完成reset操作，使得所述拓扑相变材料忆阻器件为负向置位正向复位；所述第二切换方法包括如下步骤：(4)在步骤(3)的拓扑相变材料忆阻器件中的顶电极层上施加0～-6v负向直流扫描电压，然后在所述顶电极层施加0～2v正向直流扫描电压完成set操作，接着在顶电极层施加0～-2.5v负向直流扫描电压完成reset操作，使得所述拓扑相变材料忆阻器件为正向置位负向复位状态。2.根据权利要求1所述的拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述存储介质层的晶向为<111>或<110>方向，其厚度范围为30～50nm。3.根据权利要求1所述的拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述底电极层的材料采用srruo3，其晶向为<111>或<110>方向，其厚度范围为50～100nm。4.根据权利要求1所述的拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述顶电极层的材料采用纯相pt或au，其厚度范围为80～100nm。5.根据权利要求1所述的拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述顶电极层的尺寸为60
×
60～100
×
100μm2。6.根据权利要求1所述的拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其特征在于，所述衬底层的材料采用纯相srtio3,其晶向为<111>方向。7.一种用于实现与或功能的逻辑单元，其特征在于，包括两个如权利要求1～6任意一项所述的拓扑相变材料忆阻器件。
技术总结
本发明公开了一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其中，该忆阻器件包括由纯相SrFeO
技术研发人员：程伟明 苏睿 肖睿子 陈家宝 缪向水
受保护的技术使用者：湖北江城实验室
技术研发日：2022.12.20
技术公布日：2023/3/28