电可编程熔丝系统及其操作方法、电子装置及存储介质与流程

本公开的实施例涉及电可编程熔丝系统及其操作方法、电子装置及存储介质。

背景技术：

1、电可编程熔丝(electrically programmable fuse，efuse)是一种广泛应用于芯片内部的一次性编程存储技术。由于它的一次可编程性特性，提供了硅后配置的功能，是大型片上系统(soc)常用的存储单元。

技术实现思路

1、本公开的至少一实施例提供了一种电可编程熔丝系统，包括：电可编程熔丝单元，被配置为存储数据信息，其中，数据信息包括配置数据信息段和修复信息段；第一映射存储体，被配置为映射配置数据信息段的至少部分；以及第二映射存储体，被配置为映射修复信息段，其中，修复信息段用于修复第一映射存储体的缺陷。

2、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，还包括：配置寄存器，被配置为将配置数据信息段配置为包括第一配置数据信息段和第二配置数据信息段；并且第一映射存储体被配置为映射配置数据信息段中的第一配置数据信息段并且不映射第二配置数据信息段。

3、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，第一配置数据信息段具有第一使用频率，第二配置数据信息段具有第二使用频率，并且第一使用频率大于第二使用频率。

4、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，还包括：电可编程熔丝控制器，被配置为将修复信息段烧录到电可编程熔丝单元中。例如，电可编程熔丝控制器可以控制电可编程熔丝单元的烧录过程，以将修复信息段烧录到电可编程熔丝单元。

5、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，还包括内建自测试控制器和修复控制器，其中，内建自测试控制器被配置为对第一映射存储体的缺陷进行检测，以生成测试修复信息；修复控制器被配置为基于测试修复信息修复第一映射存储体的缺陷；并且内建自测试控制器还被配置为响应于基于测试修复信息修复第一映射存储体的缺陷，将测试修复信息确定为修复信息段。

6、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，第二映射存储体还被配置为接收测试修复信息并且将测试修复信息传输到修复控制器。

7、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，还包括修复控制器，其中，电可编程熔丝控制器还被配置为从电可编程熔丝单元加载修复信息段到第二映射存储体；并且修复控制器被配置为基于加载到第二映射存储体中的修复信息段修复第一映射存储体的缺陷。

8、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，还包括：系统读写总线，被配置为与第一映射存储体通信连接以接收或发送对第一映射存储体的访问请求。

9、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，电可编程熔丝控制器还被配置为响应于对于第一映射存储体的软设置测试通过，将软设置信息段烧录到电可编程熔丝单元中。

10、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统，第一映射存储体为静态随机存取存储器，并且第二映射存储体为寄存器存储阵列。

11、本公开的至少一实施例提供了另一电可编程熔丝系统，包括：电可编程熔丝单元，被配置为存储配置数据信息段；配置寄存器，被配置为将配置数据信息段配置为包括第一配置数据信息段和第二配置数据信息段；第一映射存储体，被配置为映射第一配置数据信息段并且不映射第二配置数据信息段。

12、例如，根据本公开的至少一实施例的另一电可编程熔丝系统，还包括第二映射存储体，其中，电可编程熔丝单元还被配置为存储修复信息段；并且第二映射存储体被配置为映射修复信息段，其中，修复信息段用于修复第一映射存储体的缺陷。

13、根据本公开的至少一实施例的另一电可编程熔丝系统的其他附加方面可以参见上述根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统。

14、本公开的至少一实施例提供了一种电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统包括电可编程熔丝单元、第一映射存储体以及第二映射存储体，操作方法包括：由电可编程熔丝单元存储数据信息，其中，数据信息包括配置数据信息段和修复信息段；由第一映射存储体映射配置数据信息段的至少部分；以及由第二映射存储体映射修复信息段，其中，修复信息段用于修复第一映射存储体的缺陷。

15、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统还包括配置寄存器，并且操作方法包括：由配置寄存器将配置数据信息段配置为包括第一配置数据信息段和第二配置数据信息段；并且其中，由第一映射存储体映射配置数据信息段的至少部分，包括：由第一映射存储体映射配置数据信息段中的第一配置数据信息段并且不映射第二配置数据信息段。

16、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，第一配置数据信息段具有第一使用频率，第二配置数据信息段具有第二使用频率，并且第一使用频率大于第二使用频率。

17、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统还包括电可编程熔丝控制器，并且操作方法包括：由电可编程熔丝控制器将修复信息段烧录到电可编程熔丝单元中。

18、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统还包括内建自测试控制器和修复控制器，并且操作方法包括：由内建自测试控制器对第一映射存储体的缺陷进行检测，以生成测试修复信息；由修复控制器基于测试修复信息修复第一映射存储体的缺陷；以及由内建自测试控制器响应于基于测试修复信息修复第一映射存储体的缺陷，将测试修复信息确定为修复信息段。

19、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，还包括：由第二映射存储体接收测试修复信息并且将测试修复信息传输到修复控制器。

20、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统还包括修复控制器，并且操作方法包括：由电可编程熔丝控制器从电可编程熔丝单元加载修复信息段到第二映射存储体；以及由修复控制器基于加载到第二映射存储体中的修复信息段修复第一映射存储体的缺陷。

21、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统还包括系统读写总线，并且操作方法包括：由系统读写总线与第一映射存储体通信连接以接收或发送对第一映射存储体的访问请求。

22、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，还包括：由电可编程熔丝控制器响应于对于第一映射存储体的软设置测试通过，将软设置信息段烧录到电可编程熔丝单元中。

23、例如，根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法，第一映射存储体为静态随机存取存储器，并且第二映射存储体为寄存器存储阵列。

24、本公开的至少一实施例提供了另一电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统包括电可编程熔丝单元、配置寄存器以及第一映射存储体，操作方法包括：由电可编程熔丝单元存储配置数据信息段；由配置寄存器将配置数据信息段配置为包括第一配置数据信息段和第二配置数据信息段；由第一映射存储体映射第一配置数据信息段并且不映射第二配置数据信息段。

25、例如，根据本公开的至少一实施例的另一电可编程熔丝系统的操作方法，电可编程熔丝系统还包括第二映射存储体，并且操作方法包括：由电可编程熔丝单元存储修复信息段；并且由第二映射存储体映射修复信息段，其中，修复信息段用于修复第一映射存储体的缺陷。

26、根据本公开的至少一实施例的另一电可编程熔丝系统的操作方法的其他附加方面可以参见上述根据本公开的至少一实施例的电可编程熔丝系统的操作方法。

27、本公开的至少一实施例提供了一种电子装置，包括：处理器；存储器，包括一个或多个计算机程序模块；其中，一个或多个计算机程序模块被存储在存储器中并被配置为由处理器执行以实施如上所述的电可编程熔丝系统的操作方法或者如上所述的另一电可编程熔丝系统的操作方法的操作方法。

28、本公开的至少一实施例提供了一种非瞬时可读存储介质，其上存储有计算机可执行指令，其中，计算机可执行指令在被处理器执行时，以实施如上所述的电可编程熔丝系统的操作方法或者如上所述的另一电可编程熔丝系统的操作方法的操作方法。