1.一种半导体器件，包括：衬底以及设置在所述衬底一侧的存储部、走线部和外围电路部，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，位于不同所述子存储阵列的相同的相应位置的所述存储单元的晶体管的栅极与同一所述共享字线电连接。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述走线部还包括至少两个共享位线，所述至少两个共享位线与所述至少两个子存储阵列一一对应连接。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述子存储阵列包括本地位线、选通结构和多个存储单元，多个所述存储单元沿平行于所述衬底的第二方向依次排布；
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，与同一个所述子存储阵列中的多个所述存储单元一一对应连接的多个所述共享字线位于同一走线层，该走线层平行于所述衬底，在该走线层内，多个所述共享字线沿第二方向依次排布。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述子存储阵列具有至少两个存储单元列，至少两个所述存储单元列沿第一方向依次排布；
7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述存储单元包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极或漏极和所述第二晶体管的源极或漏极均与本地位线电连接；
8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述至少两个子存储阵列位于同一存储阵列层，所述存储部具有多个存储阵列层，多个所述存储阵列层沿垂直于所述衬底的方向依次层叠设置；
9.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述外围电路部包括字线驱动器电路，所述共享字线与所述字线驱动器电路电连接；
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述子存储阵列的数量为多个，沿第一方向依次排布的多个所述子存储阵列划分为至少两个存储阵列；
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，位于不同所述存储阵列的子存储阵列中相同的相应位置的所述存储单元的晶体管的栅极分别与不同共享字线电连接；
12.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述外围电路部包括字线驱动器电路，与同一个所述存储单元对应连接的所述第一子共享字线和所述第二子共享字线分别连接至同一个所述字线驱动器电路的不同位置。
13.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述外围电路部还包括与所述至少两个共享位线一一对应连接的至少两个感应放大器电路；
14.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，
15.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至14中任一项所述的半导体器件。