400的示例性流程图。尽管下文参照设备200描述了方法400的执行，但是可以利用用于执行方法400的其他合适的部件，例如，设备100。此外，用于执行方法400的部件可能分布在多个设备(例如，与输入和输出设备进行通信的处理设备)上。在某些场景中，可以将协同动作的多个设备考虑为单个设备以执行方法400 ο方法400可以以存储于机器可读存储介质(例如，存储介质320)上的可执行指令的形式，和/或以电子电路的形式来实现。
[0035]在框410中，设备200的检测单元110扫描随机存取存储器(RAM) 150以查找错误112。随后，在框420中，检测单元110对在扫描的RAM 150中查找的错误112的数量进行计数，并且将错误112的数量发送至设备200的门限单元120。在框430中，门限单元120将错误112的数量与错误门限124进行比较。
[0036]如果在框430中，门限单元120确定错误112的数量小于或等于错误门限124，则在框440中，门限单元120将刷新率122设置为正常率126 (或者如果已经是正常率126，则维持刷新率122)。随后，方法100回到框410，其中，检测单元110继续扫描RAM 150以查找错误。
[0037]另一方面，如果在框430中门限单元120确定错误112的数量大于错误门限124，则在框450中，门限单元120将刷新率112与最大率128进行比较。如果在框450中门限单元120确定刷新率122小于最大率128，则在框460中门限单元120增大刷新率122。然而，如果在框450中门限单元120确定刷新率122大于或等于最大率128，则门限单元120向校正单元204发信号。在框470中，校正单元204随后例如经由存储器子系统冗余机制来对错误112进行校正。在框460和框470之后，方法400回到框410。
[0038]由此，在框460和框470中增大之后，重复框410和框420中的扫描和计数。此外，如果在框430中错误122的数量停留在错误门限之上并且在框450中刷新率122小于最大率128，则重复框460中的增大。进一步地，如果在框430中错误112的数量保持为小于或等于错误门限124，则在框440中设置之后，以连续的间隔重复框410和420中的扫描和计数。
[0039]根据上文，实施例提供了一种方法和/设备以用于通过基于动态地增大存储器刷新率，减小与存储器(例如，DRAM)中的字线泄露缺陷相关联的错误率来中断引起错误风暴的数据模式。此外，实施例可以通过将错误风暴的趋势说明为是突发的，来限制与增大的存储器刷新率相关联的性能影响。例如，刷新率仅在对降低错误数量有效的时间段中增大，并且随后被降回到错误风暴之间的正常率。
【主权项】
1.一种设备，包括: 检测单元，其用于对随机存取存储器(RAM)的具有错误的单元的数量进行计数；以及门限单元，其用于基于具有错误的单元的所述数量和错误门限来确定所述RAM的刷新率，其中， 如果错误的所述数量大于错误门限并且所述刷新率未达到最大率，则所述门限单元增大所述RAM的刷新率，以及 如果错误的所述数量小于或等于所述错误门限，则所述门限单元将所述RAM的刷新率返回到正常率。2.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述门限单元通过将所述正常率乘以门限值和将门限率加到所述刷新率中的至少一个来增大所述刷新率， 每一次所述门限单元增大所述刷新率时所述门限值被增大，以及如果所述门限单元将所述RAM的刷新率返回到正常率，则所述门限单元对所述门限值进行重置。3.根据权利要求1所述的设备，还包括: 校正单元，其用于如果错误的所述数量大于所述错误门限并且所述刷新率已经达到所述最大率，则对所述错误进行校正，其中， 所述校正单元经由存储器子系统冗余机制来对所述错误进行校正，所述机制包括芯片备份、列备份和镜像中的至少一个。4.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述检测单元根据错误的移动平均和总数量中的至少一个来对错误的所述数量进行计数，其中， 在所述刷新率被改变后，对错误的所述总数量进行重新计算。5.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述最大率是基于芯片组的能力的，以及 所述正常率和所述错误门限中的至少一个是基于用户的性能要求的。6.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述检测单元对所述RAM进行轮询以查找所述错误，以及 所述检测单元包括计数器，所述计数器被递增在所述RAM被轮询后检测到的所述错误的数量。7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述轮询的间隔是基于可靠性要求和错误存储能力中的至少一个的。8.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述检测单元通过对存储器单元的错误校正码(ECC)进行校验来检测所述错误，以及 所述检测单元在所述错误被检测到之后，向控制和状态寄存器(CSR)写入。9.根据权利要求1所述的设备，其中， 所述RAM是动态RAM (DRAM)， 所检测到的错误是软的、能够校正的错误，以及 所述错误在所述设备处于活动状态时被检测到。10.一种方法，包括: 扫描随机存取存储器(RAM)以查找错误； 对在被扫描的RAM中查找的所述错误的数量进行计数； 如果错误的所述数量大于错误门限并且刷新率不是最大率，则增大所述刷新率；以及 如果错误的所述数量小于或等于错误门限，则将所述刷新率设置为正常率，其中， 在所述增大后重复所述扫描和所述计数，以及 如果错误的所述数量停留在所述错误门限之上，则重复所述增大。11.根据权利要求10所述的方法，还包括: 如果错误的所述数量大于错误门限并且所述刷新率处于所述最大率，则对所述错误进行校正，其中， 所述错误经由存储器子系统冗余机制来进行校正。12.根据权利要求10所述的方法，其中，当错误的所述数量保持低于或等于所述错误门限时，在所述设置之后以连续的间隔重复所述扫描和所述计数。13.一种存储有指令的非暂时性计算机可读存储介质，当被设备的处理器执行时，所述指令使得所述处理器用于: 将刷新率设置处于正常率； 扫描随机存取存储器(RAM)以查找错误，每一个错误指示所述RAM的存储不正确的数据的存储器单元； 将所述RAM中的错误的总数量与错误门限进行比较； 如果错误的所述总数量大于所述错误门限并且刷新率小于最大率，则增大所述刷新率；以及 如果错误的所述总数量小于或等于所述错误门限，则将所述刷新率重置为所述正常率。14.根据权利要求13所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中， 在所述刷新率被增大之后，所述RAM被扫描以查找错误；以及 在所述刷新率被增大之后，将错误的所述总数量与所述错误门限进行比较。15.根据权利要求14所述的非暂时性计算机可读存储介质，其中， 所述刷新率被增大所述正常率的倍数，以及 在所述刷新率增大之后，如果所述错误的总数量保持大于所述错误门限，则所述倍数的值被增大。
【专利摘要】如果错误的数量大于错误门限并且刷新率还没有达到最大率，则增大随机存取存储器(RAM)的刷新率。如果所述错误的数量小于或等于所述错误门限，则将所述RAM的刷新率设置为正常率。
【IPC分类】G11C29/42, G11C11/406
【公开号】CN104956443
【申请号】CN201380072022
【发明人】L·瓦内斯, A·C·沃尔顿
【申请人】惠普发展公司，有限责任合伙企业
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2013年1月31日
【公告号】EP2951832A1, US20150363261, WO2014120228A1