r>[0026] 在初始编程模式完成后，开关330a"断开"，此后电容器350a不再连接到电流源 310,并因而在电容器350a的端子（与电流镜340的栅极相同）上保持偏置电压，而电流镜 340的漏极不再连接到存储器单元副本320。现在应用操作编程模式，在该模式下，可使用 电流镜340对存储器阵列中的一个或多个存储器单元编程。应当理解，系统中的所有电流 镜都可采用与上文针对电流镜340所述相同的方式编程。可替换地，可W依次对全部电流 镜340a至34化应用初始编程模式（初始化编程阶段）。然后在操作编程模式下，将所有电 流镜340a-n同时施加到所选择存储器单元的所选择位线，W供编程操作之用。
[0027] 因此，图4的实施例提出了一种方式W用于对系统中的电流镜进行初始化从而W 精准的编程电流W理想的漏极编程电压使电流镜W几乎理想的状态工作。
[002引图4的实施例的变型现在图5中被示出为编程电路400。图5示出了此前图4所示 的相同装置，考虑到效率，此处不再寶述。然而，在图5中，电流源310直接禪接到开关330a， 开关330a禪接到存储器单元副本320a，存储器单元副本320a然后禪接到电流镜340a的漏 极。否则，该电路会W与图4相同的方式工作，电流镜可被编程为使得在操作模式期间最初 W几乎理想的状态工作。
[0029]图4和图5系统中的电流镜的编程受控制器390控制。控制器390将控制开关 330a-n及其他开关，还将确保编程模式期间电流镜340a-n及其他电流镜不被用于操作存 储器阵列的操作。
[0030] 在图4和图5实施例的操作模式期间，电容器350的电荷最初将使电流镜340维 持特定工作状态，在此状态下，电流镜340引出与电流源310相同的电流水平。由于电容器 350因正常漏泄而失去电荷，因此，前述效应将随时间推移逐渐减弱。一旦电容器的电荷完 全耗尽，电流镜340便会像从来没有出现过编程模式那样工作。
[0031] 响应于该一挑战，图6示出了另一个实施例。图6描绘了另一种动态编程电路500。 动态编程电路包括第一多个可编程电流镜510和第二多个可编程电流镜520。第一多个电 流镜510和第二多个电流镜520可基于图4实施例和图5实施例中的一者或两者。当所示 第一多个电流镜510正被编程时（编程模式），所述第二多个电流镜520用于闪速存储器 阵列（未示出）的实际操作（操作模式）。时间ti过去后，所述第一多个电流镜510便用 于闪速存储器阵列的实际操作（操作模式），而所述第二多个电流镜520被编程（编程模 式）。另一个时间ti过去后，所述第一多个电流镜510进入编程模式，所述第二多个电流镜 520进入操作模式，如此循环往复。将时间ti选择为一时间间隔，使得电容电荷尚未消减到 让相关电流镜的工作状态达到不期望水平的程度。例如，在某些系统中可将时间ti选择为 Ims。
[0032] 本文中对本发明的引用并非旨在限制任何权利要求或权利要求条款的范围，而仅 仅是对可由一项或多项权利要求涵盖的一个或多个特征的引用。上文描述的材料、工艺和 数字示例仅仅是示例性的，并且不应被认为限制权利要求。应当指出的是，如本文所使用， 术语"在...上方"和"在...上"都包含性地包括"直接在...上"（两者间未设置中间材 料、元件或空间）和"间接在...上"（两者间设置有中间材料、元件或空间）。同样，术语 "相邻"包括"直接相邻"（两者间未设置中间材料、元件或空间）和"间接相邻"（两者间设 置有中间材料、元件或空间）。例如，"在衬底上方"形成元件可包括在衬底上直接形成元 件，此时衬底和元件间没有中间材料/元件；W及在衬底上间接形成元件，此时衬底和元件 间有一个或多个中间材料/元件。
【主权项】
1. 一种用于在存储器装置中使用的编程电路，包括： 第一位线，所述第一位线耦接到存储器单元阵列并耦接到第一开关和第二开关；第二 位线，所述第二位线耦接到所述存储器单元阵列并耦接到第三开关和第四开关，其中所述 第一开关和所述第三开关耦接到第一电流镜，并且所述第二开关和所述第四开关耦接到第 二电流镜；以及 控制器，所述控制器被配置为在第一时间间隔期间接通所述第一开关和所述第三开 关，在第二时间间隔期间接通所述第二开关和所述第四开关，其中在跨越所述第一时间间 隔和所述第二时间间隔的第三时间间隔期间，将值编程到至少一些所述存储器单元中。2. 根据权利要求1所述的电路，其中所述存储器单元为闪速存储器单元。3. 根据权利要求1所述的电路，其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔持续相同 的时间。4. 一种对存储器装置编程的方法，包括： 在第一时间间隔期间，通过第一开关将第一位线连接到第一电流镜，通过第二开关将 第二位线连接到第二电流镜； 在第二时间间隔期间，通过第三开关将所述第一位线连接到所述第二电流镜，通过第 四开关将所述第二位线连接到所述第一电流镜； 在所述第一时间间隔和所述第二时间间隔期间，将值编程到与所述第一位线相关联的 多个存储器单元以及与所述第二位线相关联的多个存储器单元中。5. 根据权利要求4所述的方法，其中所述存储器单元为闪速存储器单元。6. 根据权利要求4所述的方法，其中所述第一时间间隔和所述第二时间间隔持续相同 的时间。7. -种用于在存储器装置中使用的编程电路，包括： 电流镜，所述电流镜包括晶体管； 电容器，所述电容器耦接到所述晶体管的栅极；以及 开关，所述开关耦接到电流源和所述电容器，其中所述电流源在第一模式中通过所述 开关耦接到所述电容器，且所述电流源在第二模式期间从所述电容器断开并耦接到存储器 单元。8. 根据权利要求7所述的电路，其中所述存储器单元为闪速存储器单元。9. 根据权利要求7所述的电路，其中所述存储器单元为分裂栅闪速存储器单元。10. 根据权利要求7所述的电路，其中所述晶体管为NMOS晶体管。11. 一种用于在存储器装置中使用的编程电路，包括： 电流镜，所述电流镜包括晶体管；以及 开关，所述开关耦接到电流源和所述晶体管的栅极，其中所述电流源在第一模式中通 过所述开关耦接到所述电容器的所述栅极，且所述电流源在第二模式期间从所述电容器的 所述栅极断开并耦接到存储器单元。12. 根据权利要求11所述的电路，其中所述存储器单元为分裂栅闪速存储器单元。13. -种用于对存储器装置编程的方法，包括： 在第一模式期间通过开关将电流源耦接到电容器； 在第二模式期间将所述电流源从所述电容器断开； 在所述第二模式期间将来自所述电容器的电荷提供给晶体管的栅极； 在所述第二模式期间从耦接到所述晶体管的所述漏极的存储器单元引出电流。14. 根据权利要求13所述的方法，其中所述存储器单元为闪速存储器单元。15. 根据权利要求13所述的方法，其中所述晶体管为NMOS晶体管。16. 根据权利要求14所述的电路，其中所述存储器单元为分裂栅闪速存储器单元。
【专利摘要】本发明公开了一种用于对先进纳米闪速存储器单元编程的改进的方法和设备，其中一组镜像电流源(110、111、112、113)中的每个电流源经由多组开关(120-123、130-133、140-143、150-153)轮流连接到对应的一组位线(160、170、180、190)中的一根位线。所述改进的方法和设备向每根位线提供按时间平均的编程电流，并且减小了编程电流变化，所述编程电流变化归因于，例如，在制造形成所述镜像电流源(110-113)的所述晶体管时的工艺变化。
【IPC分类】G11C16/10, G11C16/30
【公开号】CN104956444
【申请号】CN201480005655
【发明人】H.V.特兰, A.利, T.伍, H.Q.阮
【申请人】硅存储技术公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2014年1月14日
【公告号】EP2923359A1, US9093161, US20140269098, US20150310922, WO2014158311A1