图像形成装置以及闪速存储器的控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及图像形成装置以及闪速存储器的控制方法，尤其涉及搭载闪速存储器的图像形成装置以及变更该闪速存储器的记录区域的控制方法。
【背景技术】
[0002]作为存储介质而采用闪速存储器的图像形成装置正在增加。作为闪速存储器的用途，不仅存储程序，还作为图像数据的缓冲存储器来使用，频繁进行数据的改写这样的用法。另一方面，由于半导体制造工艺/规则的细微化，存在闪速存储器的最大改写次数和数据保持期间减少的倾向。一般来说，闪速存储器在到达设备寿命(预备扇区的用尽)的情况下，多数情况下成为只读(禁止改写)状态，难以作为图像形成装置应对用户的需求。
[0003]鉴于这样的状况，提供如下的设备:在闪速存储器中，对每个单一存储单元能够切换以多值(将这样的单元称为MLC:多层单元(multi level cell))记录数据还是以二值(将这样的单元称为SLC:单层单元(Single level cell))记录数据，在以多值记录的情况下，能够记录大量的数据，在以二值记录的情况下能够延长数据的写入次数以及数据保持期间。
[0004]针对这样的设备，例如在以下的专利文献1中，公开了如下的存储装置:包括:具有存储阵列的一个以上的非易失性半导体存储器，该存储阵列具有将某电压电平的阈值设定多个，并存储2比特以上的数据的多个存储单元；以及控制器，基于从外部发出的命令，进行所述非易失性半导体存储器的动作指示，所述非易失性半导体存储器具有块管理表格，该块管理表格具有二值/多值写入信息，该二值/多值写入信息表示在所述非易失性半导体存储器中写入数据时，是以二值存储数据还是以多值存储数据，所述控制器参照所述块管理表格的二值/多值写入信息，对所述非易失性半导体存储器写入数据。
[0005]此外，在以下的专利文献2中公开了如下的存取控制装置:被连接到外部装置、存储由所述外部装置存取的数据的第一存储部件、以及存储所述数据且所述数据的可改写次数比所述第一存储部件大的第二存储部件，所述存取控制装置具有:表格存储部件，存储变换表格，该变换表格将为了所述外部装置存取所述数据而指定的外部地址、表示所述数据在所述第一存储部件中的存储位置或所述数据在所述第二存储部件中的存储位置中的其中一个的内部地址、以及所述数据的改写次数相对应；判断部件，判断与被指定了写入的所述外部地址对应的所述内部地址是否为所述第一存储部件的所述内部地址，在是所述第一存储部件的所述内部地址的情况下，判断与所述内部地址对应的所述改写次数是否超过了预先决定的第一阈值；移动部件，将所述改写次数超过了所述第一阈值的所述第一存储部件的所述内部地址上存储的所述数据，移动到所述第二存储部件的所述内部地址；以及表格更新部件，将移动后的所述数据的与所述外部地址对应的所述内部地址置换为移动目的地的所述内部地址，从而更新所述变换表格。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:(日本)特开2009-48680号公报
[0009]专利文献2:(日本)特开2009-64394号公报
[0010]在上述专利文献1的技术中，由存储器的控制器对写入次数进行计数/管理，若块的写入次数成为设定值以上，则在以二值存储数据的区域存储数据，通过将写入次数多的数据以二值记录，从而能够确保数据的可靠性。但是，专利文献1是存储装置的发明，即使基于写入次数而变更数据的记录方式，存储装置自身不会发生问题，但是在基于闪速存储器中存储了的数据而执行处理的装置的情况下，由于在闪速存储器中写入的数据量会根据该装置的工作状态而变化，因此若闪速存储器的可使用容量根据数据的记录方式的变更而减少，则发生对装置的动作带来障碍的情况。
[0011]此夕卜，如专利文献2那样，设置MLC、SLC、FeRAM(铁电随机存取存储器(ferroelectric random access memory))等多个设备，将在写入次数超过了阈值的内部地址存储的数据移动到最大改写次数更多的SLC或FeRAM的内部地址，从而能够延长数据保持期间。但是，在该方法中，由于预先需要MLC、SLC、FeRAM等多个设备，因此装置结构变得复杂，成本也会上升。
[0012]此外，在读取以多值记录了的数据时，需要进行变换为二值的数据的处理，因此利用以多值记录了的数据进行动作的功能的性能会降低。
[0013]如此，为了能够大量记录数据，以多值记录数据较好，为了提高所记录的数据的可靠性、功能的性能，以二值记录数据较好，以往的方法存在无法满足双方的要求的问题。
【发明内容】
[0014]本发明鉴于上述问题点而完成，其主要目的在于，提供在作为存储介质而使用闪速存储器的图像形成装置中，既能够保持各功能的动作所需的数据又能够实现数据的可靠性、功能的性能提高的图像形成装置以及闪速存储器的控制方法。
[0015]本发明的一个方面是一种图像形成装置，具有闪速存储器，该闪速存储器能够对每个区域变更对每一个单一存储单元以多值记录数据还是以二值记录数据，其特征在于，所述图像形成装置具有:历史信息生成部，监视所述图像形成装置的使用状态，生成并存储使用历史信息；判定部，参照所述使用历史信息，确定在闪速存储器中记录的数据中使用频度相对高的数据；以及记录区域变更部，变更在所述闪速存储器的记录区域中的、以二值记录数据的区域与以多值记录数据的区域的比率，使得至少能够将所述确定的数据以二值记录。
[0016]本发明的一个方面是一种闪速存储器的控制方法，是具有能够对每个区域变更对每一个单一存储单元以多值记录数据还是以二值记录数据的闪速存储器的图像形成装置中的所述闪速存储器的控制方法，其特征在于，所述闪速存储器的控制方法执行如下的处理:历史信息生成处理，监视所述图像形成装置的使用状态，生成并存储使用历史信息；判定处理，参照所述使用历史信息，确定在闪速存储器中记录的数据中使用频度相对高的数据；以及记录区域变更处理，变更在所述闪速存储器的记录区域中的、以二值记录数据的区域与以多值记录数据的区域的比率，使得至少能够将所述确定的数据以二值记录。
[0017]根据本发明的图像形成装置以及闪速存储器的控制方法，在作为存储介质而使用闪速存储器的图像形成装置中，能够保持各功能的动作所需的数据的同时实现数据的可靠性以及功能的性能的提尚。
[0018]其理由是在具有能够对每个区域变更对每一个单一存储单元以多值记录数据还是以二值记录数据的闪速存储器、且对闪速存储器能够控制以多值记录数据还是以二值记录数据的图像形成装置中，进行如下的控制:参照预先存储了的数据种类、功能、用户的使用历史信息而确定使用频度相对高的数据，且动态地变更闪速存储器的记录区域中的以二值记录的区域(SLC区域)与以多值记录的区域(MLC区域)的比率，使得将所确定的数据以二值记录。
【附图说明】
[0019]图1是表示本发明的第一实施例的图像形成装置的结构的方框图。
[0020]图2是表示本发明的第一实施例的图像形成装置的控制部的结构的方框图。
[0021]图3是表示本发明的第一实施例的图像形成装置的动作的流程图。
[0022]图4是表示本发明的第一实施例的图像形成装置的动作(基于数据的使用频度的闪速存储器的记录区域的变更处理)的流程图。
[0023]图5是表示本发明的第一实施例的计数器信息表格的一例的图。
[0024]图6是表不本发明的第一实施例的存取次数阈值表格的一例的图。
[0025]图7是表不本发明的第一实施例的闪速存储器区域表格的一例的图。
[0026]图8是表示本发明的第二实施例的图像形成装置的动作(基于功能的使用频度的闪速存储器的记录区域的变更处理)的流程图。
[0027]图9是表示本发明的第二实施例的功能使用历史表格的一例的图。
[0028]图10是表不本发明的第二实施例的执行次数阈值表格的一例的图。
[0029]图11是表示本发明的第二实施例的闪速存储器区域表格的一例的图。
[0030]图12是表示本发明的第三实施例的图像形成装置的动作(基于用户的使用频度的闪速存储器的记录区域的变更处理)的流程图。
[0031]图13是表示本发明的第三实施例的用户使用历史表格的一例的图。
[0032]图14是表不本发明的第三实施例的使用次数阈值表格的一例的图。
[0033]图15是表示本发明的第三实施例的闪速存储器区域表格的一例的图。
[0034]标号说明
[0035]100主控制器
[0036]101RAM
[0037]102R0M
[0038]103CPU
[0039]104闪速存储器
[0040]105历史信息生成部
[0041]106判定部
[0042]107记录区域变更部
[0043]110图像读取部
[0044]120图像处理部
[0045]130图像形成部
[0046]140操作显示部
【具体实施方式】
[0047]闪速存储器一般由栅极成为双层结构的M0S (金属氧化物半导体)晶体管(单元)构成，有能够以一个字节单位进行读取/写入、删除、改写的