员还理解，如果意图表达引导性权利要求记述项的具体数量， 该意图将明确地记述在权利要求中，并且在不存在运种记述的情况下，不存在运样的意图。 例如，为辅助理解，下面的随附权利要求可能包含了引导性短语"至少一个"和"一个或多 个"的使用W引导权利要求记述项。然而，运种短语的使用不应解释为暗示不定冠词"一"或 "一个"引导权利要求记述项将包含该所引导的权利要求记述项的任何特定权利要求局限 于仅包含一个该记述项的实施例，即使当同一权利要求包括了引导性短语"一个或多个"或 "至少一个"W及诸如不定冠词"一"或"一个"的（例如，"一"和/或"一个"应当解释为表示 "至少一个"或"一个或多个"）；运同样适用于对于用于引导权利要求记述项的定冠词的使 用。另外，即使明确地记述了被引导的权利要求记述项的具体数量，本领域技术人员将理解 到运些记述项应当解释为至少表示所记述的数量(例如，没有其它修饰语的裸记述"两个记 述项"表示至少两个记述项或两个W上的记述项）。此外，在使用类似于"A、B和C等中的至少 一个"的惯用法的那些实例中，通常运样的构造旨在表达本领域技术人员理解该惯用法的 含义(例如，"具有A、B和C中的至少一个的系统"将包括但不限于仅具有A、仅具有B、仅具有 C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B和C等等的系统）。在使用类似于"A、B或C等 中的至少一个"的惯用法的那些实例中，通常运样的构造旨在表达本领域技术人员理解该 惯用法的含义(例如，"具有A、B或C中的至少一个的系统"将包括但不限于仅具有A、仅具有 B、仅具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B和C等等的系统）。本领域技术人 员将进一步理解，呈现两个W上可选项的几乎任何分离词和/或短语，无论是在说明书、权 利要求或附图中，都应理解为设想包括一项、任一项或两项的可能性。例如，术语"A或B"将 理解为包括"A"或"B"或"A和护的可能性。
[0067]虽然本文公开了各个方案和实施例，但是其它的方案和实施例对于本领域技术人 员而言将是显而易见的。因此，本文所公开的各个方案和实施例是为了示例的目的而不意 在限制，真正的范围和精神是通过随附的权利要求表示的。
【主权项】
1. 一种设计存储器芯片的方法，所述方法包括： 确定易失性存储器阵列的部分的故障概率，所述部分包括多个存储器单元； 基于所确定的故障概率，确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用和存储器容量 开销；以及 基于所述改进的存储器容量开销以及根据基于所述改进的能量使用的所述易失性存 储器阵列的刷新间隔来确定包含在所述非易失性存储器阵列中的备用存储器单元的数量。2. 如权利要求1所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用和存 储器容量开销包括:基于为所述易失性存储器阵列计算的能量-容量开销乘积来确定所述 易失性存储器阵列的刷新间隔。3. 如权利要求2所述的方法，其中所述能量-容量开销乘积基于所述存储器阵列的所述 部分中的存储器单元的数量。4. 如权利要求2所述的方法，其中所述能量-容量开销乘积基于（1)所述易失性存储器 阵列的所述部分不包括在所述易失性存储器阵列的建议刷新间隔下不能操作的存储器单 元的概率，以及(2)所述易失性存储器阵列的所述刷新间隔。5. 如权利要求4所述的方法，其中所述能量-容量开销乘积基于（1)以及(2)包括与（1) 和(2)的乘积成反比的所述能量-容量开销乘积。6. 如权利要求2所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的刷新间隔包括:确定所 述易失性存储器阵列的最大刷新间隔，所述最大刷新间隔基于为所述能量-容量开销乘积 确定的最小值。7. 如权利要求2所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的所述部分的故障概率 基于如下至少之一:所述存储器阵列的所述部分中的单个存储器单元的故障概率;所述存 储器阵列的所述部分的存储器单元的数量;以及所述易失性存储器阵列的刷新间隔。8. 如权利要求1所述的方法，其中所述易失性存储器阵列的所述部分包括动态随机存 取存储器单元。9. 如权利要求1所述的方法，其中所述易失性存储器阵列的所述部分包括存储器单元 行、存储器单元列和存储器单元块中的至少一个。10. 如权利要求1所述的方法，其中确定改进的能量使用包括确定所述易失性存储器阵 列的减少的刷新能量。11. 如权利要求1所述的方法，其中确定所述易失性存储器阵列的改进的能量使用和存 储器容量开销包括最小化为所述易失性存储器阵列计算的能量-容量开销乘积。12. -种改进包括易失性存储器单元的存储器芯片的性能的方法，所述方法包括： 将所述存储器芯片的操作刷新间隔改变成增加的刷新间隔，所述增加的刷新间隔的持 续时间比所述操作刷新间隔长； 将所述存储器芯片中包括在所述增加的刷新间隔下不能操作的至少一个存储器单元 的易失性存储器单元组的数量量化；以及 基于所述存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量以及基于所量化的数量来选 择所述存储器芯片的特定刷新间隔。13. 如权利要求12所述的方法，其中所述易失性存储器单元组包括存储器单元行、存储 器单元列和存储器单元块中的至少一个。14. 如权利要求12所述的方法，其中选择所述存储器芯片的特定刷新间隔包括：当所述 存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量等于或大于包括在所述增加的刷新间隔下 不能操作的至少一个存储器单元的易失性存储器单元组的所述量化数量时，选择所述增加 的刷新间隔。15. 如权利要求12所述的方法，其中选择所述存储器芯片的特定刷新间隔包括：当所述 存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量小于包括在所述增加的刷新间隔下不能操 作的至少一个存储器单元的易失性存储器单元组的所述量化数量时，选择所述操作刷新间 隔。16. 如权利要求12所述的方法，其中量化所述存储器芯片中包括在所述增加的刷新间 隔下不能操作的至少一个存储器单元的易失性存储器单元组的数量包括:在所述存储器芯 片以所述增加的刷新间隔操作的同时，测试所述存储器芯片的所述易失性存储器单元的至 少部分的数据保持。17. 如权利要求16所述的方法，其中测试所述存储器芯片的所述易失性存储器单元的 至少部分的数据保持包括:在所述存储器芯片以所述增加的刷新间隔操作的同时，测试所 述存储器芯片的基本上全部的易失性存储器单元。18. 如权利要求12所述的方法，进一步包括:在将所述存储器芯片的操作刷新间隔改成 所述增加的刷新间隔之前，判定所述存储器芯片是否包括可用的备用存储器单元组。19. 如权利要求12所述的方法，其中所述易失性存储器单元包括动态随机存取存储器 单元。20. 如权利要求12所述的方法，其中所述增加的刷新间隔包括第一增加的刷新间隔，所 述方法进一步包括:在基于所述存储器芯片中的可用备用存储器单元组的数量以及基于所 述量化数量来选择所述存储器芯片的所述特定刷新间隔之后，将所述存储器芯片的操作刷 新间隔改成第二增加的刷新间隔，所述第二增加的刷新间隔的持续时间比所述增加的刷新 间隔长。21. -种装置，包括： 存储器单元阵列，其被布置到多组存储器单元中，所述多组包括至少一组备用存储器 单元；以及 存储器控制器，其与所述多组耦合且被配置为识别所述多组中包括在第一刷新间隔下 能操作且在第二刷新间隔下不能操作的存储器单元的至少一组存储器单元，所述第二刷新 间隔的持续时间比所述第一刷新间隔长， 其中所述存储器控制器被进一步配置为将所识别的至少一组标记为有故障且用所述 至少一组备用存储器单元替代所标记的至少一组用于在在所述第二刷新间隔下操作。22. 如权利要求21所述的装置，其中所述存储器单元阵列包括DRAM单元阵列。23. 如权利要求21所述的装置，其中所述多组存储器单元包括存储器单元行、存储器单 元列或存储器单元块中的至少一个。24. 如权利要求21所述的装置，其中所述存储器控制器被进一步配置为量化所述多组 中的包括在所述第一刷新间隔下能操作且在所述第二刷新间隔下不能操作的存储器单元 的存储器单元组的数量。25. 如权利要求24所述的装置，其中所述存储器控制器被进一步配置为基于所量化的 数量将所述第一刷新间隔选为所述存储器单元阵列的操作刷新间隔。
【专利摘要】本文描述的技术一般地包括与具有显著降低的刷新能量使用的DRAM设备的设计和操作有关的方法和系统。用于设计DRAM的方法基于所述DRAM中的存储器单元的测定或预测的故障概率来针对能量效率优化或以其他方式改进DRAM。DRAM可被配置为以增加后刷新间隔工作，从而降低DRAM刷新能量，但是导致DRAM中的存储器单元的可预测部分过快泄漏电能而不能保持数据。DRAM被进一步配置由选定数量的备用存储器单元，用于替代“泄漏的”存储器单元，从而DRAM以增加后刷新间隔工作可以实现DRAM容量极小减少或者无减少。
【IPC分类】G11C29/24, G11C11/406, G11C29/54
【公开号】CN105493192
【申请号】CN201380079300
【发明人】Y·索林因
【申请人】英派尔科技开发有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2013年9月1日
【公告号】US20150243340, WO2015030834A1