技术总结
本公开提供了直接晶片结合方法，其包括在第一和第二晶片上提供结合层，和在热和压力下直接将第一和第二晶片结合在一起。该方法可用于通过在器件之间引入高度掺杂的(A1)(Ga)InP(As)(Sb)层，将GaAs基、InP基、GaP基、GaSb基或Ga(In)N基器件直接结合至GaAs器件。结合层材料形成具有高结合强度、低电阻和高光透射率的结合。
技术研发人员：D·M·布沙瑞;D·C·罗
受保护的技术使用者：波音公司
文档号码：201180058077
技术研发日：2011.09.21
技术公布日：2017.03.15