多层陶瓷电子元件的制作方法

多层陶瓷电子元件相关申请的交叉引用本申请要求2012年3月13日递交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2012-0025783的优先权，其公开的内容通过引用并入本申请中。技术领域本发明涉及多层陶瓷电子元件，并且更具体地，涉及具有优良可靠性的多层陶瓷电子元件。

背景技术：
工业电子装置使用的电子元件中，例如变形(warpage)、裂缝等的缺陷可能导致电子元件的功能性缺陷，由此，电子元件的可靠性是极其重要的。为了防止产生裂缝，引入了形成带有导电树脂层的外电极部分的技术。但是，即使在外电极部分中形成有导电树脂层的情况下，需要较薄的覆盖层，因为产品趋向于具有更高的电容量。当电子元件安装到基板上后基板变形时，较薄的覆盖层可能导致电子部件中发生裂缝。工业电子装置使用的电子元件领域中，其中产品的可靠性值得重视，甚至在其中由于基板变形而产生裂缝的情况下，需要防止裂缝对电子元件的性能产生负面影响。【相关技术文件】(专利文件1)日本专利公开号No.2007-067239(专利文件2)日本专利公开号No.1996-107039

技术实现要素：
本发明的一方面提供一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件具有优良的可靠性。根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷元件，包括：陶瓷主体，该陶瓷主体具有在陶瓷主体内层叠并且互相隔开的内电极层和浮动电极层，每个所述内电极层包括互相隔开的内电极，并且每个所述浮动电极层包括互相隔开的浮动电极；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的两个端部并延伸至所述陶瓷主体的上表面和下表面的部分，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，其中，当Tc是所述陶瓷主体的覆盖层的厚度，G是所述内电极层的内电极之间的间隙，L1是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第一层的端部的长度，Te是所述内电极的厚度，Td是所述内电极层和所述浮动电极层之间的距离，Lm是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度，以及L是所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤80μm，(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)以及L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。所述多层陶瓷电子元件可以是1005-尺寸或者更大。当L2是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第二层的端部的长度时，可以满足L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。所述内电极和所述浮动电极可以为矩形形状。所述内电极和所述浮动电极可以由相同的材料形成。所述导电树脂可以包括从由银(Ag)-环氧树脂，铜(Cu)-环氧树脂以及银(Ag)包覆铜(Cu)树脂构成的组中选出的至少一种。根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷元件，包括：陶瓷主体，该陶瓷主体具有在陶瓷主体内层叠并且互相隔开的内电极层和浮动电极层，每个所述内电极层包括互相隔开的内电极，并且每个所述浮动电极层包括互相隔开的浮动电极；以及外电极，该外电极形成在所述陶瓷主体的两个端部并延伸至所述陶瓷主体的上表面和下表面的部分，每个所述外电极包括第一层和第二层，所述第一层包含导电金属，所述第二层形成在所述第一层上并且包含导电树脂，其中，当Tc是所述陶瓷主体的覆盖层的厚度，G是所述内电极层的所述内电极之间的间隙，L1是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第一层的端部的长度，L2是沿所述陶瓷主体的长度方向上从所述陶瓷主体的任一端部至形成在所述陶瓷主体的上表面或者下表面的所述第二层的端部的长度，Te是所述内电极的厚度，Td是所述内电极层和所述浮动电极层之间的距离，Lm是沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度，以及L是所述陶瓷主体的长度时，满足Tc≤80μm，(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)，(1.5)L1≤L2≤(1/3)L。所述多层陶瓷电子元件可以是1005-尺寸或者更大。所述多层陶瓷电子元件可以满足L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。所述内电极和所述浮动电极可以为矩形形状。所述内电极和所述浮动电极可以由相同材料制成。所述导电树脂包括从由银(Ag)-环氧树脂，铜(Cu)-环氧树脂以及银(Ag)包覆铜(Cu)树脂构成的组中选出的至少一种。附图说明本发明的以上和其它的方面、特征以及另外的优点通过以下结合附图的详细描述而更加清楚，其中：图1是根据本发明实施方式的多层陶瓷电子元件的立体图；以及图2是图1的沿线X-X’截取的剖视图。具体实施方式现在将结合所述附图对本发明的实施方式进行详细描述。但是，本发明可以通过多种不同方式实施，不应当解释为由在此描述的实施方式所限制。在一定程度上，提供这些实施方式便于全面和完整的公开本发明，并且对于本领域的技术人员来说，将全面覆盖本发明的范围。在附图中，元件的形状和尺寸可以放大便于清楚表示，并且始终使用相同的引用数字以表示相同或者类似的元件。图1是根据本发明实施方式的多层陶瓷电子元件的立体图。图2是图1的沿线X-X’截取的剖视图。参见图1和图2，根据本发明的多层陶瓷电子元件可以包括陶瓷主体10；内电极30，该内电极30层叠在所述陶瓷主体10的内部；以及外电极21和22，该外电极21和22形成在陶瓷主体10的外部。陶瓷主体10可以为平行六面体的形状。在图1中，所述术语“长度方向”、“宽度方向”以及“厚度方向”可以分别由“L方向”、“W方向”和“T方向”表示。在此，厚度方向可以指代内电极层叠的方向。由此对于陶瓷主体10，陶瓷主体10的长度大于陶瓷主体10的宽度并且陶瓷主体10的厚度可以等于其宽度。陶瓷主体10可以具有上表面S1、下表面S4、侧表面S3和S6以及端面S2和S5。陶瓷主体10可以包括具有高介电常数的介电材料，并且具体地可以包括钛酸钡(bariumtitanate)或者钛酸锶(strontiumtitanate)，但不限制于此。由于介电材料是电偶极，所以它可以存储较大的电荷。在陶瓷主体10中从上表面S1至最上面的内电极31a的区域可以表示为覆盖层C。并且，在陶瓷主体10中从下表面S4至最下面的内电极32a的区域也可以表示为覆盖层C。当内电极层和浮动电极层互相隔开时，内电极层和浮动电极层可以在陶瓷主体10内层叠。而且内电极层可以沿陶瓷主体的厚度方向设置在陶瓷主体的最外面部分。并且，内电极层和浮动层可以交替层叠。内电极层可以包括第一内电极31和第二内电极32。在此，当第一内电极31和第二内电极32以间隙G互相隔开时，第一内电极31和第二内电极32可以布置在同一层上。另外，内电极层可以进一步包括位于第一内电极31和第二内电极32之间的第一浮动电极33。第一内电极31可以连接于第一外电极21，并且第二内电极32可以连接于第二外电极22。第一内电极31和第二内电极32可以具有矩形形状。浮动电极层可以包括第二浮动电极34和35，第二浮动电极34和35没有电连接于外电极21和22。第一浮动电极33和第二浮动电极34、35可以为矩形形状。内电极31和32以及第一浮动电极33和第二浮动电极34、35可以包括从由金、银、铜、镍、钯、铂以及它们的合金构成的组中选出的至少一种，但是并不限制于此。为此可以使用没有特别限制的任一材料，只要该材料能够给内电极31和32以及第一浮动电极33和第二浮动电极34和35赋予足够的导电性。金、银、钯、铂等是贵金属并且因此相对昂贵，但是其化学性质稳定。镍、铜等是普通金属，并且因此相对便宜。但是，由于它们在烧结过程中容易被氧化，因而烧结过程可能需要在还原性环境中进行。内电极31和32以及第一浮动电极33和第二浮动电极34、35可以由相同材料制成。在这种情况下，内电极31和32以及第一浮动电极33和第二浮动电极34、35具有相同的导电特性，并且由此，可以实现稳定的电容。另外，没必要单独制造内电极31和32以及第一浮动电极33和第二浮动电极34、35，因此制造时间和制造成本可以减少。外电极可以形成在陶瓷主体10的两端面上，并且延伸至陶瓷主体10的上表面部分和下表面部分。外电极可以包括第一外电极21和第二外电极22。具有相反极性的电流可以应用于第一外电极21和第二外电极22。第一外电极21可以包括第一层21a和第二层21b，并且第二外电极22可以包括第一层22a和第二层22b。第一层21a和22a可以形成在陶瓷主体10上，并且可以由金属制成。第一层21a和22a可以直接连接于内电极31和32。制成第一层21a和22a的金属以及制成内电极31和32的金属可以在它们的连接处形成合金。因此，外电极21和22可以牢固地连接于内电极31和32。第一层21a和22a可以通过使用包括导电金属和玻璃熔块(glassfrit)的导电浆料(conductivepaste)形成，但是并不限制于此。在此，导电金属可以包括从由金、银、钯、铜、镍以及它们的合金构成的组中选出的至少一种。由于第一层21a和22a由金属或者玻璃制成，所以第一层21a和22a由于外部冲击而容易损坏。由于金属和玻璃的韧性低，所以外部冲击使得外电极21和22可以与内电极31和32分开。第二层21b和22b可以分别形成在第一层21a和22a上，并且可以包括导电树脂。导电树脂可以包括从由银(Ag)-环氧树脂、铜(Cu)-环氧树脂以及银(Ag)包覆铜(Cu)树脂(copper(Cu)–coatedsilver(Ag)resin)构成的组中选出的至少一种。也就是，导电树脂可以通过使用包含环氧树脂的浆料和从由银(Ag)粉、铜(Cu)粉以及包覆铜(Cu)的银(Ag)粉(copper(Cu)–coatedsilver(Ag)powder)构成的组中选出的至少一种制备。银(Ag)粉或者铜(Cu)粉可以给第二层21b和22b赋予导电性。在不特别限制下，可以使用任一材料，只要该材料能够给第二层21b和22b赋予导电性即可。环氧树脂可以给第二层21b和22b赋予弹性。环氧树脂可以吸收施加于此的外部冲击，并且由此，可以提高第二层21b和22b的冲击抵抗力。第一外电极21可以包括第一电镀层21c和第二电镀层21d，并且第二外电极22可以包括第一电镀层22c和第二电镀层22d。第一电镀层21c和22c以及第二电镀层21d和22d可以形成为便于安装。第一电镀层21c和22c可以分别形成在第二层21b和22b上，并且第二电镀层21d和22d可以分别形成在第一电镀层21c和22c上。第一电镀层21c和22c可以是镍电镀层，并且第二电镀层21d和22d可以是锡电镀层。在下文中，将主要描述陶瓷主体部分中发生裂缝的情况，在陶瓷主体中，内电极连接于外电极。根据本实施方式，甚至裂缝发生在陶瓷主体的内电极和外电极的连接处的情况下，产品的性能由此不会受到影响。在本实施方式中，陶瓷主体10的每个覆盖层C的厚度Tc可以是80μm左右。陶瓷主体10的覆盖层C的范围可以是从陶瓷主体10的上表面S1或者下表面S4至最外面的内电极31a、32a、31b和32b。覆盖层C的厚度Tc可以是通过在覆盖层C的10个等距离点上测量厚度并且然后求得测量的厚度的平均而获得的平均值，所述10个等距离点从图像中提取，所述图像通过使用电子扫描显微镜沿陶瓷主体10的长度方向和厚度方向扫描陶瓷主体10的中心部分的横截面而获得。陶瓷主体10的中心部分可以相当于沿陶瓷主体10的宽度方向(W方向)从陶瓷主体10的中心向外的两个方向上的陶瓷主体10的总体宽度的45％之内的区域。覆盖层的厚度Tc在上述区域内可以具有稳定值。当Tc超过80μm时，因为覆盖层C是相对厚的，不会发生变形和裂缝。由于多层陶瓷电子元件高度层叠并且由此形成增加的电容，因此覆盖层的厚度Tc减小至80μm或者更小时，这可能导致变形和裂缝。提供本发明实施方式以解决当覆盖层的厚度Tc是80μm或者更小时产生的裂缝以及由此裂缝产生的缺陷。在本实施方式中，可以满足(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)。也就是，内电极层上的内电极31和32之间的间隙G可以等于或者大于沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度Lm的1.5倍，但是可以等于或者小于从陶瓷主体的长度L减去沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度Lm的2倍值而获得的数值。如果G<(1.5)Lm，第一内电极31和第二内电极32之间的间隙G极小，并且由此可能在第一内电极31和第二内电极32之间发生跳火(flashover)。如果G>(L-2Lm)，第一内电极31和第二内电极32与第二浮动电极34和35之间的重叠区域是相对小的，从而可能很难实现期望的电容。在本实施方式中，可以满足L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°。也就是，沿陶瓷主体10的长度方向从陶瓷主体10的任一端至形成在陶瓷主体10的上表面S1或者下表面S4上的每个第一层21a和22a的端部的长度L1可以小于通过将陶瓷主体10的覆盖层C的厚度Tc、内电极的厚度Te以及相邻的内电极之间的距离Td的总和乘以cot50°并且加上沿所述陶瓷主体的长度方向从所述陶瓷主体的任一端至所述浮动电极层的长度Lm而获得的值。这个考虑到裂缝Q和第二浮动电极的关系。可以通过在外电极中形成由导电树脂制成的第二层21b和22b防止或者减少裂缝的发生。甚至在裂缝发生的情况下，如果L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°，不可能发生短路，并且由此不可能影响产品的性能。在要求可靠性的工业电子装置中可能特别需要这种故障安全模式。裂缝可以发生在由金属制成的外电极的第一层21a的端部。这是由于因第一层21a是由金属制成从而使第一层21a具有高硬度和低承受力来吸收冲击，导致应力集中在第一层21a的端部。裂缝可能从第一层的端部开始，在陶瓷主体10的内部继续延伸，并且在与第一层的交界面F上终止。图2显示的是裂缝已经发生的情况，不考虑裂缝发生的开始点可能发生短路的夸大情况。裂缝可能以基本上线性的方式形成，并且可能与陶瓷主体10的上表面S1形成预定的夹角θ。裂缝与陶瓷主体10的上表面S1的夹角可以表示为裂缝夹角。在此，裂缝夹角可以是50°左右。参见图2，裂缝Q穿过最上面的第一内电极31a，并且然后与第二浮动电极34相交。最上面的第一内电极31a和第二浮动电极34由于裂缝Q而可以相互电连接。浮动电极用在高压产品中以便于减少基本施加于内电极的电压并且使总电压增加了相当于内电极上减少的电压负荷的量。但是，其中最上面的第一内电极和浮动电极由于裂缝而相互电连接的情况下，电压降低的效果不可能出现，反而，高电压可能在第一内电极和第二内电极之间以基本不变的方式传导。基于这个原因，可能加速电子元件的劣化以及可能缩短电子元件的寿命，导致电子产品的可靠性降低。L1需要小于Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°，使得甚至在发生裂缝以穿过最上面的内电极31a的情况下，该裂缝与第二浮动电极34不相交，那么因此不会发生短路。如果L1大于Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°，穿过最上面的内电极31a的裂缝Q相交于或穿过第二浮动电极34，那么因此，浮动电极不可能正常工作。基于这个理由，产品的可靠性可能降低。陶瓷主体的覆盖层的厚度Tc、内电极的厚度Te以及内电极之间的距离Td可以是平均值。Tc、Te以及Td的每一个可以是通过在图像上的10个等距离点上测量值并且然后求得测量值的平均而获得的平均值，所述图像通过使用电子扫描显微镜沿陶瓷主体的长度方向和厚度方向上扫描陶瓷主体的中心部位的横截面。陶瓷主体10的中心部分可以相当于沿陶瓷主体10的宽度方向(W方向)从陶瓷主体10的中心向外的两个方向上的陶瓷主体10的总体宽度的45％的区域之内。陶瓷主体的覆盖层的厚度Tc、内电极的厚度Te以及内电极之间的距离Td可以为上述区域内的稳定的值。在本发明的实施方式中，当满足Tc≤80μm、(1.5)Lm≤G≤(L-2Lm)以及L1<Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°并且L2是从陶瓷主体10沿陶瓷主体的长度方向的任一端部至形成在陶瓷主体10的上表面S1或者下表面S4上的每个第二层21b和22b的端部的长度时，可以满足(1.5)L1≤L2≤(1/3)L。以下将在本发明的另一实施方式中详细描述(1.5)L1≤L2≤(1/3)L的特征。在本发明的实施方式中，可以满足(1.5)L1≤L2≤(1/3)L。也就是，沿陶瓷主体10的长度方向从陶瓷主体10的任一端部至形成在陶瓷主体10的上表面S1或者下表面S4上的每个第二层21b和22b的端部的长度L2可以等于或者大于沿陶瓷主体10的长度方向从陶瓷主体10的任一端部至形成在陶瓷主体10的每个第一层21a和22a的端部的长度L1的1.5倍，并且长度L2可以是陶瓷主体10的长度L的1/3或更少。如果L2<(1.5)L1，不可能预防或者减少缝隙Q的发生。原因是第二层21b和22b和陶瓷主体10的接触区域相对小，并且由此第二层21b和22b不能充分吸收陶瓷主体10中存在的应力。通过允许第二层21b和22b吸收可能存在于陶瓷主体10中并导致缝隙Q发生的应力，可以防止或者减少陶瓷主体10中的裂缝Q的发生。因此，由于第二层21b和22b和陶瓷主体10的接触面积，即，用于吸收应力的线路是狭窄的，不可能防止或者减少陶瓷主体10中的缝隙Q的发生。如果L2>(1/3)L，可能发生跳火。其中施加有相反极性的电流的第一外电极21和第二外电极22之间的距离短，由此超过空气的耐压强度的情况下，可能发生空气的绝缘击穿(insulationbreakdown)，由此可以产生跳火。在本实施方式中，多层陶瓷电子元件可以是1005-尺寸(1005-sized)或者更大。1005尺寸可以是(1.0±0.15mm)×(0.5±0.05mm)。在下文中，本发明将结合发明例和对比例进行详细地描述。根据每个发明例的多层陶瓷电容器制作如下。将钛酸钡粉末、作为有机溶剂的乙醇以及作为粘合物的聚乙烯丁醛进行混合，然后球磨，由此制备陶瓷浆。通过使用陶瓷浆生产陶瓷坯片(Ceramicgreensheets)。将用作内电极并包含镍的导电浆料印在陶瓷坯片上，以在陶瓷坯片上形成内电极。产生的坯片堆叠，以形成生叠片，并且然后该生叠片在85℃温度下以1,000kgf/cm2的压力进行等静压成形(isostaticpressing)。将压缩的生叠片切割成生片(greenchips)，并且切割的生片进行粘结剂脱离过程(debinderingprocess)，该粘结剂脱离过程中，生片在大气环境下以230℃的温度保持60小时。在950℃下烧结生片，以生产烧结片。烧结过程在还原性环境下进行，以防止内电极的氧化。所述还原性环境设置在10-11～10-10大气压，低于Ni/NiO的平衡氧分压。通过使用包含铜粉和玻璃粉的第一浆料将第一层形成在烧结片的外表面上。将由导电树脂制成的第二层通过使用第二浆料形成，以分别覆盖第一层。包含环氧树脂、银(Ag)和硬化剂的浆料作为第二浆料使用，并且接着通过加热处理第二层。镍和锡电镀层通过电镀依次分别形成在每个第二层上。首先，当覆盖层的厚度减少时为了检查是否发生裂缝，制造覆盖层厚度不同的多层陶瓷电容器样品。所述样品安装在基板上，并且接着在基板上进行变形试验。试验结束后，采用高分辨率显微镜来检查样品的横截面以确认是否发生裂缝。在变形试验中，变形决定于样品是否有损坏，样品是否损坏取决于将样品安装在基板上并且在安装样品的基板的背面上施压5秒时电容的变化。基板被施压至变形3mm为1级并且变形2mm为2级，并且确定变形强度的基准设置在初始电容值的±10％的范围内。[表1]参见表1，可以确信的是如果覆盖层的厚度减少到80μm或者更小而偏离本发明的数量范围时裂缝发生。本发明的目的是当覆盖层的厚度减少到80μm或者更小时解决裂缝发生的问题。为了确定内电极之间的适当间隙G，将Tc、L和Lm分别设置为75μm、1400μm和100μm，并且G是可变的。在这点上，跳火和电容试验结果显示在表2中。电容值设置为1000pF。跳火试验通过将正电极(+)和负电极(-)连接到MLCC(多层陶瓷电容器)的两终端，立刻对其施加1kV的高电压，然后测量IR(内电阻)而实现，由此确定是否发生跳火。[表2]参见表2，当对比例1和2中的G小于1.5Lm时，发生跳火但是样品的电容高于预定值。由于第一内电极和第二内电极之间的间隙G极度小，所以决定了跳火发生在第一内电极和第二内电极之间。当发明例1和2中的G大于1.5Lm但是小于L-2Lm时，跳火没有发生并且样品的电容高于预定值。当对比例3和4中的G大于L-2Lm时，跳火没有发生但是样品的电容没有达到预定值。由于第一内电极和第二内电极与浮动电极之间的重叠区域非常小所以决定了样品的电容没有达到预定值。由此，可以确定的是如果1.5Lm≤G≤L-2Lm，跳火没有发生并且电容高于预定值。接下来，为了确定可靠性，将Tc、Te、Td和Lm分别设置为75μm、1.5μm、15μm和100μm，并且L1是可变的。表3显示的是可靠性试验结果。可靠性试验通过确定是否发生短路来实现。[表3]参见表3，当对比例5至7中的L1大于Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°时，在所有的对比例中发生短路。由此将每个样品切开并且使用高分辨率显微镜观察每个样品的横截面，裂缝穿过浮动电极以及最上面的内电极。当发明例3和4中的L1小于Lm+(Tc+Te+Td)×cot50°时，没有发生短路。由此切开每个样品并且观察样品的横截面，裂缝穿过最上面的内电极，但是没有与浮动电极相交。基于以上结果可以确定的是由于裂缝导致最上面的内电极和浮动电极电连接，致使可靠性降低，并且由此发生短路。接下来，为了确定L2、G、Tc、Te、Td、L以及Lm的适当的长度，分别将G设置为150μm，Tc设置为75μm，Te设置为1.5μm，Td设置为15μm，L设置1400μm并且将Lm设置为100μm，并且L1和L2是可变的。在样品上实施跳火试验，并且接着在其上进行变形试验。结果显示在表4中。[表4]参见表4，当发明例5至7中的L2等于或者小于L的1/3并且大于或者大于L1的1.5倍时，在第一外电极和第二外电极之间没有发生跳火并且裂缝的发生率为每100个样品中8-12个发生裂缝。当对比例7和8中的L2大于L的1/3并且小于L1的1.5倍时，在第一外电极和第二外电极之间发生跳火并且裂缝的发生率为每100个样品中55-62个发生裂缝。其中L2大于L的1/3的情况下发生跳火的原因是将带相反电荷的第一外电极和第二外电极放置在相互非常靠近的位置。其中L2大于L1的1.5倍的情况下裂缝的发生率明显降低的原因是，由于陶瓷主体和第二层之间的接触区域足够大，第二层有效地吸收了陶瓷主体的应力。基于以上所述，根据本发明的实施方式，变形以及裂缝的发生可以通过引入导电树脂层而降低。进一步地，甚至在变形和裂缝发生的情况下，可以通过防止裂缝穿过内电极而实现预定电容值。因此可以实现具有优良可靠性的多层陶瓷电子元件。尽管通过结合实施方式来展示和描述本发明，在没有背离由所附的权利要求书限定的本发明的主旨和范围下可以做出的修改和改变对于本领域的技术人员而言是显而易见的。