技术总结
一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤：在有氧氛围内，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第一次退火，其中，第一次退火时退火炉中的温度T1的范围为200℃‑400℃；以及在第一次退火完成后，将所述氧化物薄膜晶体管置于退火炉中进行第二次退火，其中，第二次退火时退火炉中的温度T2的范围为150℃‑250℃，并且所述第二次退火时退火炉中的温度T2低于所述第一次退火时退火炉中的温度T1。本发明的氧化物薄膜晶体管的制造方法通过采用两段式退火工艺，既有利于氧原子扩散进入有源层，又有利于改善氧化物薄膜晶体管的所有膜层的特性。
技术研发人员：施俊斐;董承远
受保护的技术使用者：昆山龙腾光电有限公司;上海交通大学
文档号码：201310282038
技术研发日：2013.07.05
技术公布日：2016.12.28