半导体器件和半导体器件的制造方法与流程

半导体器件和半导体器件的制造方法相关申请的交叉参考本申请要求于2013年1月17日提交的日本在先专利申请JP2013-6533的权益，该专利申请的全部内容通过引用结合于此。技术领域本发明涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。特别地，本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法，其能够通过减小外部尺寸，减小厚度，以及增加热辐射效率抑制固态图像拾取元件的温度升高而减小热噪声的影响。

背景技术：
近年来，随着智能手机、平板电脑等已被小型化，半导体器件，内置于诸如智能手机、平板装置等中的半导体封装件和半导体模块的半导体器件已经日益被小型化。对于该半导体器件，已经提出一种能够表面安装的方法，其中固态图像拾取元件通过树脂的使用粘结到倒装芯片安装在基板上的IC上，并且不需要额外的基板（参见美国专利申请公开号US005696031A）。然而，在上述方法中，由于从IC产生的热被转移到固态图像拾取元件，该固态图像拾取装置的电气特性会降低。因此，已经提出一种方法，其通过使用树脂将垫片（spacer）粘结到IC顶表面且将固态图像拾取元件粘结到该垫片，抑制从IC产生的热转移到该固态图像拾取元件（参见日本未审查专利申请公开号No.2004-006564）。然而，在上述方法中，有必要事先制备片状热绝缘合成胶粘剂。除此之外，精确附接和硬化该胶粘剂的步骤是必要的。因此，会增加制造材料和制造步骤数。因此，已经提出了一种将空腔设置在陶瓷基板或有机基板的两个表面上，并将固态图像拾取元件和IC均容纳在其中的方法（参见日本未审查专利申请公开号2012-009547（JP2012-009547A））。

技术实现要素：
然而，在JP2012-009547A中公开的技术中，在安装固态图像拾取元件和IC时，有必要保证固态图像拾取元件和IC之间的层的强度。除此之外，由于固态图像拾取元件和IC的布线被集中，该层的厚度不太可能被减小，从而导致不能减小封装件的厚度。此外，为了减小封装件的厚度，已经提出一种方法，该方法在空腔中设置台阶，在最低表面上安装IC，且随后在固态图像拾取元件上方的台阶中容纳固态图像拾取元件。然而，此类方法不太可能被实现，除非与该固态图像拾取元件的尺寸相比，IC的尺寸被显著减小，因此，不允许安装实际尺寸的IC。特别是，期望通过减小外部尺寸和密封设置在有机基板上的IC和芯片部件的树脂厚度，以及增加热辐射效率抑制所布置的固态图像拾取元件的温度升高而实现抑制由于热噪声引起的图像质量降低。根据本技术的实施方式提供了一种半导体器件，其包括：有机基板；设置在该有机基板上的集成电路和芯片部件；模制成型部，其包括中央部和周边部，且整体地形成凹形形状，该中央部密封该有机基板上的集成电路和芯片部件；以及设置在该模制成型部的中央部的固态图像拾取元件，该固态图像拾取元件的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。该模制成型部的中央部可连接到该模制成型部的周边部，以允许从集成电路产生的热从该模制成型部的中央部转移到该模制成型部的周边部。该模制成型部的中央部可在相对于有机基板的中心位置被对称定位的两点连接到该模制成型部的周边部。该模制成型部可由具有高导热性的模制树脂制成，且允许从集成电路产生的热容易地从该模制成型部的中央部转移到该模制成型部的周边部。模制树脂可包括液晶聚合物和含有填充物的环氧基热固性树脂之一。可进一步设置玻璃部整体地粘结到该周边部分的顶部边缘。此外，具有凹形形状的模制成型部和该玻璃部可形成容纳固态图像拾取元件的空腔结构。该模制成型部可进一步包括沿该周边部的台阶部，该台阶部的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该中央部的顶部边缘高且比该周边部的顶部边缘低。该固态图像拾取元件可具有周边部和中央部，该周边部与该梯阶部分的顶部边缘接触，该中央部远离该模制成型部。该模制成型部和该固态图像拾取元件之间可形成空气层。该模制成型部可包括空气孔，其在集成电路和固态图像拾取元件之间穿过。该模制成型部在该周边部的外部可包括散热片。集成电路可为芯片尺寸封装件（CSP），可焊接到有机基板，且可通过该模制成型部与芯片部件密封在一起。根据本技术的实施方式提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：设置有机基板；在该有机基板上设置集成电路和芯片部件；形成包括中央部和周边部分的且整体地形成凹形形状的模制成型部该中央部密封集成电路和芯片部件在该有机基板上，且该周边部分立在该中央部周围；和设置固态图像拾取元件在该模制成型部的中央部上，该固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向的位置中比该模制成型部的周边部分的顶部边缘更低。在本技术的上述实施方式中，该半导体器件包括：有机基板；设置在该有机基板上的集成电路和芯片部件；模制成型部，其包括中央部和周边部分，且整体地形成凹形形状，该中央部密封该有机基板上的集成电路和芯片部件，且该周边部分立在该中央部周围；以及设置在该模制成型部的中央部上的固态图像拾取元件，该固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。根据本技术的上述实施方式，通过减小外部尺寸和密封设置在有机基板上的IC和芯片部件的树脂厚度，以及增加热辐射效率抑制所布置的固态图像拾取元件的温度升高而抑制由于热噪声引起的图像质量降低。应当理解，前面一般描述和下面详细描述都是示例性的，且旨在提供所要求保护的技术的进一步解释。附图说明包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式，且与本说明书一起用来解释本技术的原理。图1示出说明根据本技术的第一实施方式的固态图像拾取装置的外部构造实例的示意图。图2是说明图1的固态图像拾取装置的制造过程的流程图。图3示出说明图1的固态图像拾取装置的制造过程的示意图。图4示出说明模制成型部的示意图。图5示出说明通过使用集料基板制造图1的固态图像拾取装置的过程的示意图。图6示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例1的外部构造实例的示意图。图7示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例2的外部构造实例的示意图。图8示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例3的外部构造实例的示意图。图9示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例4的外部构造实例的示意图。具体实施方式下面将描述执行本技术的一些实施方式（以下称为“实施方式”）。本描述将以下列顺序给出。1.第一实施方式（其中模制周边部使得中央部变成凹部的实例）2.变型例1（其中执行模制使得周边部具有两梯阶结构的实例）3.变型例2（其中在固态图像拾取元件之下设置空气通孔的实例）4.变型例3（其中在周边部中设置散热片的实例）5.变型例4（其中前端IC由CSP构成的实例）【1.第一实施方式】【固态图像拾取装置的构造实例】图1示出说明根据本技术实施方式的固态图像拾取装置的外部构造实例的示意图。在图1中，左上部是固态图像拾取装置的顶视图，左下部是沿左上部中线A-B截取的横截面视图，且右上部是沿左上部中线C-D截取的横截面视图。图1中的固态...