一种高S/P值LED发光体的制作方法与工艺

一种高S/P值LED发光体【技术领域】本发明涉及半导体材料和与封装集成在一起的元件，尤指一种高S/P值LED发光体。

背景技术：
S/P即明视暗示比例，是光品质的重要参数。S/P比例的有效范围是从0.25(低压钠灯)到4(最先进的LED光源)。S/P比例的大小，直接影响感知亮度的高低。因此提高S/P比值是一个非常重要的改善光的品质和节能的措施。1、现有的LED发光体的基本发光原理是蓝色芯片刺激荧光粉发白光，这种发光模式使LED照明灯具的S/P值非常低，通常在1.2以下，并且在发光的过程中有大量的对人眼有伤害的蓝光溢出，照清物体的方式只有通过增加LED灯具的光通量和照度，不但伤害人眼，同时大量的浪费能源。2、现有技术的用蓝光刺激荧光粉的白光发光二级管在光谱成分方面有严重缺陷---因蓝光比例过高，红光比例过低，不能形成饱和色彩光谱。这是因为荧光粉的失效导致本质的光谱衰减。白光的光谱调优可以用窄光谱单色的芯片来优化。红色是整个光感受的主要刺激因数。青色能大幅度的改善视锐度，最近已被科学刊物和美国照明工程学会(IES)认可。3、特定波长优化后的荧光粉刺激白光LED可以提高光源的视锐度和性能。可以改善明视暗视比例(S/P比例)和优化彩色视觉，光源的规格和性能可以大幅提升。将生理学和技术匹配的理论类似于在音频应用里用音频均衡器去调控频段的功率分布。眼睛的生理反应可以用类似调节耳朵的生理反应的方法来纠正，这就是改变(调节)光谱功率分布。4、发光二级管的物理特性允许更多的人为控制和平衡光谱的组成以适应跟睛的生理结构和动态运动。市场需要突破性的创新，利用发光二级管的特性，产生新的，革命性的LED光源。

技术实现要素：
针对现有技术的缺点和市场的需要，本发明的目的在于提供一种高S/P值LED发光体。用于提升多光谱发光二极体组成的发光体(照明灯和闪光灯)器具的光品质和性能，以有效解决现有蓝光刺激荧光粉发白光的低显色指数和低S/P比例的问题。本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：提供一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括第一LED和第二LED，所述第一LED主波长为500-520nm，第二LED主波长为605-652nm，所述第一LED芯片和第二LED芯片是分开焊接在不同焊盘上的贴片或是COB形式的LED封装体。本发明解决其技术问题所采用的技术方案之二是：提供一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括一个主波长为440-460nm的蓝光LED芯片，刺激490-550nm青色荧光粉形成的发光体。进一步地，本发明可以包括至少一个主波长为500-520nm的第一LED芯片、至少一个主波长为605-652nm的第二LED芯片和至少一个主波长为440-460nm的第三LED芯片，共同刺激490-550nm青色荧光粉形成的发光体，所述第一、第二和第三LED芯片可以是分开焊接在不同焊盘上的贴片或是COB形式的LED封装体。所述述第一、第二和第三LED芯片是有P-N结电极的垂直芯片。所述第三LED芯片可以是主波长为450nm的蓝色芯片加绿色荧光粉制得的发光体。更进一步地，还可以包括用上述任何一个光源组合做出的显色指数大于或等于90的发光体；还可以包括用上述任何一个光源组合做出的3000K到4000K的色温范围，明示暗示比例(S/P比例)大于或等于2的发光体；还可以包括用上述任何一个光源组合做出的4000K到5000K的色温范围，明示暗示比例(S/P比例)大于或等于2.5的发光体；还可以包括用上述任何一个光源组合做出的大于5000K的色温范围，明示暗示比例(S/P比例)大于或等于2.8的发光体。还可以包括用上述任何一个光源组合做出的拥有明示暗示比例(S/P比例)大于或等于2.5和显色指数大于或等于90的发光体。所述发光体可以是照明灯具或闪光灯器具的发光体。本发明的有益效果是：有效解决了现有蓝光芯片刺激荧光粉发白光的低显色指数和低S/P比例的问题。提供相对低S/P值光源成正比的视觉感觉亮度。改变人造白光中的光谱能量构成，提供最接近日光的光谱构成比例，有效的避免蓝光比例过高造成的对人眼的伤害。提供一种可以在获得较高的显色指数的情况下，保持较高发光效率的LED发光方法，从而在大幅改善LED光源光品的同时，最大程度的降低LED光源的能源消耗。【附图说明】图1是本发明发光体的外形结构示意图。图2是本发明发光体的内部结构示意图。图3是传统低显色指数LED和高显色指数LED光谱比较图。图4是双色白光光谱图。图5是荧光粉转换复合光谱+双色白光光谱图。图6是单色LED芯片的热能衰减图。图7是本发明发光体的芯片串联连接示意图。图8是本发明发光体的芯片分别焊在两个焊盘串联示意图。【具体实施方式】实施例一：一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括第一LED和第二LED，所述第一LED主波长为500nm，第二LED主波长为605nm，所述第一LED芯片和第二LED芯片是分开焊接在不同焊盘上的贴片或是COB形式的LED封装体。实施例二：一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括一个主波长为460nm的蓝光LED芯片，刺激550nm青色荧光粉形成的发光体。实施例三：一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括两个主波长为500nm的第一LED芯片、两个主波长为605nm的第二LED芯片和两个主波长为440nm的第三LED芯片，共同刺激490nm青色荧光粉形成的发光体，所述第一、第二和第三LED芯片可以是分开焊接在不同焊盘上的贴片或是COB形式的LED封装体。实施例四：一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括第一LED和第二LED，所述第一LED主波长为520nm，第二LED主波长为652nm，所述第一LED芯片和第二LED芯片是分开焊接在不同焊盘上的贴片或是COB形式的LED封装体。实施例五：一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括一个主波长为460nm的蓝光LED芯片，刺激550nm青色荧光粉形成的发光体。实施例六：一种高S/P值LED发光体，其特征在于：包括两个主波长为520nm的第一LED芯片、两个主波长为652nm的第二LED芯片和两个主波长为460nm的第三LED芯片，共同刺激550nm青色荧光粉形成的发光体，所述第一、第二和第三LED芯片可以是分开焊接在不同焊盘上的贴片或是COB形式的LED封装体。在上述各实施例中，所述述第一、第二和第三LED芯片是有P-N结电极的垂直芯片。在上述各实施例中：用上述任何一个光源组合做出的发光体显色指数均大于或等于90；用上述任何一个光源组合做出的发光体色温范围大于3000K，明示暗示比例(S/P比例)大于或等于2。