一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法与流程

技术特征：
1.一种提高P型氮化镓掺杂浓度的外延生长方法，包括：在生长掺杂镁的P型AlGaN层后，生长掺镁的GaN层，最后氮气氛围下退火；其特征在于：生长掺镁的GaN层时，通入的载气H2与氨气的流量比为9.5-10.5。2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长低温GaN层；(2)生长高温GaN层；(3)生长高温GaN掺杂硅烷n型层；(4)生长掺硅烷的n型AlGaN层；(5)生长若干周期的GaN/InGaN量子阱层；(6)生长掺杂镁的P型AlGaN层；(7)生长一层掺镁的GaN层，厚度为200nm，该步骤中载气H2与氨气的流量比为9.5-10.5；(8)在氮气氛围下，700-800℃退火20分钟。