抑制集成无源器件品质因子漂移的方法与流程

技术总结
本发明涉及一种在集成无源器件中防止器件品质因子发生负面漂移的方法。包括植入预定元素的离子至衬底中，热处理衬底，利用离子促使衬底之中间隙氧析出氧沉淀，离子同步与间隙氧反应生成该元素的硅氧复合体，籍此降低衬底中的间隙氧浓度，在衬底顶面形成绝缘层并制备位于绝缘层之上的集成无源器件。

技术研发人员：陈林;杜海;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;
文档号码：201410747733
技术研发日：2014.12.08
技术公布日：2016.07.06