技术领域本发明涉及一种冲洗液、显影液、剥离液等半导体基板的处理液、其处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。
背景技术：
在半导体元件(半导体装置)的制造工序中包含光刻工序、蚀刻工序、离子注入工序等各种工序。因此，在各工序的结束后、或移至下一个工序之前，一般包含对有机物进行处理的工序。例如，实施将基板表面所残存的抗蚀剂剥离·去除的处理(剥离处理)。或者，有时在该去除或剥离之后，进一步实施净化表面的处理(冲洗处理)。而且，在显影工序中要求仅在所期望的位置正确地去除抗蚀剂(显影处理)。作为现有的有机残渣剥离处理方法，利用使用浓硫酸与过氧化氢的混合溶液(SPM：SulfuricAcidHydrogenPeroxideMixture)或氨与过氧化氢的混合溶液(APM：Ammonia-peroxidemixture)的工艺(参考专利文献1～专利文献3)。由此可有效地剥离基板加工后的抗蚀剂。另一方面，该方法中虽然抗蚀剂的剥离性优异，但处理液的氧化力过强，因此有时对构成基板的材料造成损伤。若考虑半导体装置的小型化及高度集成化不断发展的最近的实际情况，则期望这种损伤即使微小也可避免。而且，在使用SPM或APM的方法中，有时产生化学品本身的操作性、或急剧的温度上升等，因此自可靠性的观点考虑，未必是可令人满意的方法。因此，要求对栅极绝缘膜或基板等的影响少、可靠性更优异的清洗技术，作为其中之一，例如提出了利用二氧化碳气体发泡的新的处理方法(参考专利文献4、专利文献5)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-268308号公报专利文献2：日本特开2005-189660号公报专利文献3：日本特开2012-049391号公报专利文献4：日本特开2012-094703号公报专利文献5：日本特开2012-094702号公报专利文献6：日本特开2001-119026号公报专利文献7：日本特开2008-166809号公报发明的概要发明要解决的技术课题作为半导体基板材料，以往广泛使用硅(Si)。另一方面，受到半导体元件中所使用的要求性能日益提高的影响，使用锗(Ge)的技术(专利文献6、专利文献7)受到关注，尝试其实用化。另一方面，与硅相比而言，锗对化学药品的耐受性低，担心在其制造工序中的各处理中受到损伤。因此，本发明的目的在于提供：应用于具有含有锗的层的半导体基板，抑制或防止该锗的损伤，且可适宜地进行其上侧的有机物的去除或基板表面的清洗的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。更具体而言，其目的在于提供适合于作为所述处理的冲洗处理、显影处理、剥离处理的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。用于解决技术课题的手段所述问题可通过以下方式而解决。[1]一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。[2]如[1]所述的处理液，其中，所述防蚀成分的浓度为0.01质量％～20质量％。[3]如[1]或[2]所述的处理液，其中，所述防蚀成分是选自下述式(1)～式(6)、式(10)、式(11)中任意一个所表示的化合物及具有下述式(7)～式(9)中任意一个所表示的重复单元的化合物的至少1种：[化学式1]R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基团；La表示连结基；M1-、M2-、及M3-表示抗衡阴离子；式(5)中的虚线表示单键及双键中任意一个；在虚线为双键时，并无R52、R54；式(6)中的虚线表示R61也可为氧原子或硫原子，与其所键合的碳原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；LR表示单键或连结基。[4]如[3]所述的处理液，其中，所述式(1)中，R11～R14分别独立地表示碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，其至少1个的碳原子数为2以上；所述式(2)中，R21及R22分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、碳原子数为1～12的酰基、碳原子数为1～12的烷氧基、氨基羰基、肼基、肼基羰基、C(NRN)NRN2(RN是氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基)；所述式(3)中，R31～R34分别独立地与R21及R22同义；所述式(4)中，R41～R45分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；所述式(5)中，R51～R56分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；所述式(6)中，R61及R62分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、或形成羰基的氧原子；所述式(7)中，R71表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(8)中，R81及R82表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，LR表示单键、碳原子数为1～12的亚烷基、碳原子数为2～12的亚烯基、碳原子数为6～14的亚芳基、或碳原子数为7～15的亚芳烷基，R83表示氢原子或甲基；所述式(9)中，R91及R92表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(10)中，RA1表示碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；或者，所述式(11)中，碳原子数RB1及RB2分别独立地为碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基、或氨基。[5]如[3]或[4]所述的处理液，其中，关于防蚀成分，使用选自所述式(1)或式(10)所表示的化合物及具有式(7)～式(9)所表示的重复单元的化合物的防蚀成分作为抑制剂型的防蚀成分，使用所述式(2)～式(6)及式(11)中任意一个所表示的化合物作为还原剂型的防蚀成分。[6]如[1]～[5]中任一个所述的处理液，其为用于清洗半导体基板的冲洗液。[7]如[1]～[5]中任一个所述的处理液，其为用于对半导体基板上的抗蚀剂进行显影的显影液。[8]如[1]～[5]中任一个所述的处理液，其为包含对所述有机物进行改性的抗蚀剂成分，且将所述有机物剥离的剥离液。[9]如[1]～[8]中任一个所述的处理液，其中，所述药液成分在将处理液作为冲洗液时为水，在将处理液作为显影液时为碱性化合物，在将处理液作为剥离液时为醇化合物、非质子性溶剂、有机胺化合物、或这些的组合。[10]如[9]所述的处理液，其中，所述醇化合物的CLogP值为0以上。[11]一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其包含药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。[12]如[11]所述的处理液，其中，所述药液成分在将处理液作为冲洗液时为水，在将处理液作为显影液时为碱性化合物，在将处理液作为剥离液时为醇化合物、非质子性溶剂、有机胺化合物、或这些的组合。[13]一种半导体基板的处理方法，其是通过处理液而自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理方法，所述处理液包含：使所述处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。[14]如[13]所述的处理方法，其中，所述防蚀成分是选自下述式(1)～式(6)、式(10)、式(11)中任意一个所表示的化合物及具有下述式(7)～式(9)中任意一个所表示的重复单元的化合物的至少1种：[化学式2]R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基团；La表示连结基；M1-、M2-、及M3-表示抗衡阴离子；式(5)中的虚线表示单键及双键中任意一个；在虚线为双键时，并无R52、R54；式(6)中的虚线表示R61也可为氧原子或硫原子，与其所键合的碳原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；LR表示单键或连结基。[15]如[13]或[14]所述的处理方法，其中，所述药液成分在将处理液作为冲洗液时为水，在将处理液作为显影液时为碱性成分，在将处理液作为剥离液时为醇化合物、非质子性溶剂、有机胺化合物、或这些的组合。[16]一种半导体基板产品的制造方法，其通过如[13]～[15]中任一个所述的处理方法对半导体基板进行处理而获得半导体基板产品。[17]一种防蚀剂，其是半导体基板上所应用的含有锗(Ge)的含Ge层的防蚀剂，其包含下述式(1)～式(6)、式(10)、式(11)中任意一个所表示的化合物或具有下述式(7)～式(9)中任意一个所表示的重复单元的化合物：[化学式3]R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基团；La表示连结基；M1-、M2-、及M3-表示抗衡阴离子；式(5)中的虚线表示单键及双键中任意一个；在虚线为双键时，并无R52、R54；式(6)中的虚线表示R61也可为氧原子或硫原子，与其所键合的碳原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；LR表示单键或连结基。发明效果根据本发明的处理液及处理方法，可应用于具有含有锗的层的半导体基板，抑制或防止该锗的损伤，且适宜地进行其上侧的有机物的去除或基板表面的清洗。更具体而言，适合于作为所述处理的半导体制造工序中的冲洗处理、显影处理、剥离处理。根据本发明的半导体基板产品的制造方法，通过应用所述具有优异的制造适性的处理液及处理方法，可提供产品品质优异的CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)等半导体基板产品。本发明的所述及其他特征及优点可由下述记载及附图而变得更明了。附图说明图1是以示意性剖视图表示本发明的一实施方式中的半导体基板产品的制造工序的一部分的流程说明图。图2是表示本发明的优选实施方式的处理装置的一部分的装置结构图。图3是示意地表示喷嘴相对于本发明的一实施方式中的半导体基板的移动轨迹线的平面图。具体实施方式[剥离处理]首先，作为本发明的处理液的使用方式，基于图1对有机物的剥离处理进行说明。图1以制造CMOS的工序为例，表示改性抗蚀剂(进行改性的有机物含有层)的剥离处理的过程。在图1(a)中对所准备的半导体基板赋予抗蚀剂7。此处的半导体基板在硅基板1上形成有包含锗的井2、井3作为形成晶体管的区域。各井通过离子注入砷或硼、磷等而赋予所期望的半导体性(n型、p型)。在该状态下，本实施方式的半导体基板的井2侧是露出其表面的状态，井3侧是被抗蚀剂7包覆的状态。其次，在图1(b)中，在井2上形成源(21、22)与漏极(23、24)。其形成方法利用通用方法即可，例如可列举如下所述的利用离子注入与自对准多晶硅化物(salicide)工序的加工。首先，对图1(a)的半导体基板的井2实施适宜的抗蚀剂，在图1(a)的s区域注入特定的导电型的离子。由此形成构成源的区域。另一方面，改变抗蚀剂的配置，在图1(a)的d区域注入相反的导电型的离子而形成构成漏极的区域。其后，以包覆所述s区域及d区域的基团板表面的方式形成钛或镍、镍铂等金属层。对其进行退火，由此形成锗硅化物层22、锗硅化物层24。其作为在源及漏极中显示高的导电性的电极部而发挥功能。经由这种工序而形成具有包含源基部21及其硅化物层22、漏极基部23及其硅化物层24的源及漏极的基团板结构。在本实施方式中，表示预先形成有栅极绝缘膜4及栅极电极5的例子，但本发明并不限定于此。例如，也可在此应用虚拟栅极(dummygate)，在自对准多晶硅化物工序之后形成栅极。在本发明中，将包含锗的层泛称为锗含有层(含Ge层)，在所述例中，其包括井2、井3、源基部21、源硅化物部22、漏极基部23、漏极硅化物部24。关于本发明的优选实施方式中所制造的CMOS，以下预先表示其构成材料的例子。但并不由该例示对本发明限定性地解释。1硅基板：Si4栅极绝缘膜：HfO2(High-k)5栅极电极：Al、W、多晶硅21源基部：SiGe、Ge22源硅化物部：SiGe硅化物、Ge硅化物23漏极基部：SiGe、Ge24漏极硅化物部：SiGe硅化物、Ge硅化物未图示侧壁：SiOCN、SiN、SiO2(low-k)未图示盖：TiN在本实施方式中，为了进行如上所述那样用于形成源及漏极的离子注入工序或自对准多晶硅化物工序，在该工序之前赋予基板上的抗蚀剂7受到改性。在图示例中，改性抗蚀剂71主要受到离子注入的影响，成为与赋予时不同的进行化学变化的状态。若受到这种改性，则与一般的树脂不同，进行碳化而变得难以剥离。尤其在本发明中，在所述离子注入中经常应用被称为HDIS(HIGHDOSEIMPLANTATIONSTRIP)的条件，显著地表现出其效果因此优选。一般情况下，将离子注入的杂质的剂量超过1×1014cm-2的情况称为高剂量，抗蚀剂图案受到离子冲击而碳化，抗蚀剂图案表面的固化变显著。形成有固化层的抗蚀剂图案变得特别难以去除。关于进行这种改性的抗蚀剂，也可通过本发明的优选实施方式而适宜地对应。图1(d)是通过后述的剥离液将如上所述的改性抗蚀剂71与非改性抗蚀剂72剥离、去除。通过本发明的优选实施方式的剥离液，可实现良好的抗蚀剂剥离，其抑制包含锗的井2、井3的表面的损伤。尤其根据本发明人等的确认，在HDIS的抗蚀剂的改性物中产生不饱和键(双键、三键)，为了将其溶解且去除，优选对处理液赋予适度的疏水性。自该观点考虑，优选防蚀成分应用具有相应的碳原子数的化合物。其详细情况如后述。图1(c)表示电浆灰化与利用剥离液的处理的组合的例子作为与上述不同的实施方式。在该例中，对图1(b)的赋予抗蚀剂的基团板照射电浆，主要去除所述改性抗蚀剂71。有时改性抗蚀剂71难以通过剥离液而剥离，在这种情况下，有效的是如本例那样与电浆灰化组合的处理。另一方面，由在该处理而残留的电浆改性抗蚀剂73与电浆非改性抗蚀剂74由于其改性的状态具有与所述不同的剥离困难性。有时通过电浆处理，例如该改性抗蚀剂73部分成为灰化的状态，变得难以溶解。即使对于这种电浆改性抗蚀剂，也可通过本发明的优选实施方式的剥离液而适宜地将该抗蚀剂剥离且去除。另外，在此处关于作为改性抗蚀剂的剥离液的实施方式而进行了说明，但在本发明中，该蚀刻液也可如后述那样作为冲洗液或显影液而使用。所述电浆灰化只要利用通用方法即可，例如可应用氧电浆灰化。然而，氧电浆有时对基板材料造成损伤，为了避免此现象，也可应用如下所述的经改良的工艺。在日本特开2010-098279号公报中提出了将包含氢、弱氧化剂、及含氟气体的气体导入电浆源内的方法。具体而言，使包含元素氢、弱氧化剂、含氟气体的电浆活性气体与惰性气体一同流入半导体基板，与半导体基板的材料反应。弱氧化剂的例子可列举二氧化碳、一氧化碳、二氧化氮、氧化氮、水、过氧化氢、及这些的组合。含氟气体可列举四氟化碳或C2F6、C3F8、氢氟碳、CHF3、CH2F2、元素氟、三氟化氮、六氟化硫、及这些的组合。惰性气体可列举氩、氦、氮、及这些的组合等。导入电浆源内的气体可预先混合也可不预先混合，可导入0.1体积％以上且10体积％以下。惰性气体例如可以活性气体的体积流量的约2倍的体积流量而导入。电浆例如可使用300W以上且10KW以下的RF输出而生成为远程电浆(remoteplasma)。半导体基板的温度在与气体接触时，也可设为约160℃以上且500℃以下。工艺压力可设为300mTorr以上且2Torr以下。另外，在本说明书中，将所述抗蚀剂及改性抗蚀剂、非改性抗蚀剂、进一步包括有机残渣在内称为有机物，将含有其的层总称为有机物含有层。在有机物或其含有层中，也可在起到本发明的效果的范围内混入无机物。[冲洗处理]本发明的处理液也优选作为冲洗液而使用。所谓冲洗液是指在对半导体基板进行利用药液、及气体种的处理后，以清洗基板为目的而提供的药液。作为一例，表示对完成如上所述的抗蚀剂剥离后的基团板表面作为后处理应用的处理液。即，在冲洗处理的方式中，进行不仅包含去除有机物，也包含去除无机物的表面清洗。通过应用该冲洗液，可将基板上所残存的若干残渣去除。而且，通过该添加成分，也有助于基板表面的保护。通过本发明的优选实施方式的冲洗液，可有效地进行所述微量有机残渣的去除，且尤其对在基板表面所露出的锗含有层的保护有用。例如通过应用该冲洗液，可期待在随后的加工工序中防止表面的腐蚀(erosion)或锈蚀(corrosion)等损伤的效果。[显影处理]本发明的处理液也优选作为显影液而使用。显影液可在如下的方式中利用：在将抗蚀剂配设于基板表面时，溶解去除通过光掩膜进行曝光的部分的方式(正型)；相反使所曝光的部分固化而将未曝光部分去除的方式(负型)。显影液例如含有碱性成分，使其与存在于抗蚀剂内的酸性基(羧基等)或酚性羟基等反应，由此可使树脂溶解，将该部分的抗蚀剂去除。自该观点考虑，优选本发明的显影液也含有碱性成分。其配方等详细情况如后述。使用图1中所示的例子对正型抗蚀剂进行说明。可列举：为了形成图1(a)的半导体基板，而在基板整体上赋予抗蚀剂，以覆盖右侧的井3的上方的方式通过光掩膜进行遮光的方式。另一方面，左侧的井2的上方未被遮光，该部分的抗蚀剂受到曝光。由此使抗蚀剂7以外的部分软化(可溶化)。其次，将所述显影液应用于基板整体上，由此将未曝光部的抗蚀剂溶解去除，形成所期望部分的抗蚀剂残存的状态。在本说明书中，所谓半导体基板以如下含义而使用：不仅包含晶片，也包含在其上实施有电路结构的基团板结构物整体。所谓半导体基板部件是指构成所述定义的半导体基板的部件，可包含1种材料，也可包含多种材料。另外，有时将加工完成的半导体基板区别称为半导体基板产品，根据需要进一步进行区别，将对其进行加工且切割而取出的芯片及其加工产品称为半导体元件。即，广义上半导体元件属于半导体基板产品。半导体基板的方向并无特别限定，但为了方便说明，在本说明书中将栅极侧作为上方，将硅基板侧作为下方。另外，在附图中，对半导体基板或其部件的结构进行省略化而图示，可根据需要作为必要的方式而进行解释即可。[处理液]其次，关于本发明的处理液的优选实施方式进行说明。本实施方式的处理液含有特定的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。其中，关于药液成分，在各实施方式中不同，因此在各自的项目中说明其优选的化合物等。以下，首先关于任意实施例中均共用的防蚀成分进行说明。(防蚀成分)本发明的处理液中所应用的防蚀成分优选含氮有机化合物或含氧有机化合物。含氮有机化合物可列举具有氨基(NRN2)、亚氨基(NRN)、铵基(NRM4+)、吡啶鎓基(C5NRM+)、咪唑啉鎓基(C3N2RM2+)的化合物等。此处，RN是氢原子、碳原子数为1～12的烷基(碳原子数优选为1～6，更优选为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(碳原子数优选为2～6，更优选为2～3)、碳原子数为6～14的芳基(碳原子数为6～10)。RM是碳原子数为1～12的烷基(碳原子数优选为1～6，更优选为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(碳原子数优选为2～6，更优选为2～3)、碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。含氧有机化合物可列举具有羟基(OH)、羧基(COOH)、羰基(CO)、醚基(O)、或这些基团的组合的基团的化合物。优选所述防蚀剂包含下述式(1)～式(6)、式(10)、式(11)中任意一个所表示的化合物或具有下述式(7)～式(9)中任意一个所表示的重复单元的化合物。[化学式4]R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基团。La表示连结基。其优选基团与下述式(a-1)～式(a-8)中所定义基团同义。M1-、M2-、M3-表示抗衡阴离子。例如可列举氢氧根离子、卤素阴离子等。式(5)中的虚线表示单键或双键中任意一个。在虚线为双键时，并无R52、R54。式(6)中的虚线表示R61也可为氧原子或硫原子，与其所键合的碳原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)。LR表示单键或连结基，优选基团与后述Lb相同。相邻的取代基也可连结而形成环。所形成的环并无特别限定，但优选为4员环～6员环，更优选为4员～6员的脂肪族杂环或脂肪族烃环。例如可列举R11～R14、R21与R22、R31与R32、R33与R34、R41～R45、R51～R56、R61与R62、R81与R82、RB1与RB2等形成环的例子。·式(1)优选R11～R14分别独立地表示碳原子数为1～24的烷基(优选碳原子数为1～20、更优选碳原子数为1～16、进一步优选碳原子数为1～8)、碳原子数为2～24的烯基(优选碳原子数为2～20、更优选碳原子数为2～16、进一步优选碳原子数为2～8)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。此时，优选其至少1个的碳原子数为2以上。在式(1)的化合物是四烷基氢氧化铵时，包含四甲基氢氧化铵(TMAH)，但如上所述优选碳原子数比其大的碳原子数为5以上的四烷基氢氧化铵，更优选碳原子数为8以上的四烷基氢氧化铵，进一步优选碳原子数为12以上的四烷基氢氧化铵，尤其优选碳原子数为16以上的四烷基氢氧化铵。其原因在于：由于与改性抗蚀剂或残渣等有机物含有层中所含有的成分的关系，优选为疏水性。另外，在后述的显影液中，有时也使用四甲基氢氧化铵作为碱性成分，但在该情况下，防蚀成分可定义为四甲基氢氧化铵以外的成分。所述的烷基、烯基、芳基也可进一步具有取代基，该任意的取代基可列举后述取代基T的例子。其中，优选取代基T中所定义的羟基、羧基、磺酰基、酰基、烷氧基、氨基。该情况在以下的式(2)～式(11)中同义。·式(2)优选R21及R22分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)、碳原子数为1～12的酰基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为1～12的烷氧基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、氨基羰基[氨基甲酰基](NRN2CO)、肼基(NRN-NRN2)、肼基羰基(CO-NRN-NRN2)、C(NRN)NRN2。R21及R22也可如上所述那样连结而形成环。其中，在形成环时，优选采用下述式(2-1)所表示的结构。[化学式5]R23～R26分别独立地表示氢原子或取代基。取代基可列举碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。R23～R26也可相互连结而形成环。例如，此处优选形成苯环而成为邻苯二甲酰亚胺结构。·式(3)优选R31～R34分别独立地与R21及R22同义(氢原子或特定的取代基)。式(3)优选以下述式(3-1)表示。[化学式6]式(3-1)中，取代基T1是式(T1)的取代基。式(T1)中，A是氧原子(O)、硫原子(S)、亚氨基(NRN)。n1是0或1。LT是单键、碳原子数为1～12的亚烷基(碳原子数优选为1～6，更优选为1～3)、亚烯基(碳原子数优选为2～6，更优选为2～3)、或亚炔基(碳原子数优选为2～6，更优选为2～3)。R35可列举羟基、羧基或其酯[烷氧基羰基](在为酯时优选碳原子数为2～6)、磺酰基、烷基(优选碳原子数为1～24，更优选碳原子数为1～12，尤其优选碳原子数为1～6)、烯基(优选碳原子数为2～24，更优选碳原子数为2～12，尤其优选碳原子数为2～6)、炔基(优选碳原子数为2～24，更优选碳原子数为2～12，尤其优选碳原子数为2～6)、芳基(优选碳原子数为6～24，更优选碳原子数为6～14，尤其优选碳原子数为6～10)、烷氧基(优选碳原子数为1～24，更优选碳原子数为1～12，尤其优选碳原子数为1～6)、酰基(优选碳原子数为1～24，更优选碳原子数为1～12，尤其优选碳原子数为1～6)、氨基(NRN2)、肼基(NRN-NRN2)、肼基羰基(CO-NRN-NRN2)。·式(4)优选R41～R45分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。羧基也可为其酯[烷氧基羰基](在为酯时优选碳原子数为2～6)。其中，优选R41～R45的至少1个是羧基或其酯。进一步优选R41～R45的至少1个是羟基。·式(5)优选R51～R56分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。羧基也可为其酯[烷氧基羰基](在为酯时优选碳原子数为2～6)。其中，式(5)优选以下述式(5-1)表示。[化学式7]式(5-1)中，优选R57为具有羟基的烷基(优选碳原子数为1～12、更优选碳原子数为1～6、进一步优选碳原子数为1～3)。该羟基也可酯化。R57的例子可列举-CH(OH)-CH2-O-T1的例子。T1与所述式(3-1)同义。·式(6)优选R61及R62分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)、或形成羰基的氧原子。其中，式(6)优选以下述式(6-1)表示。[化学式8]式(6-1)中，优选R63为氢原子、羟基或具有羟基的烷基(优选碳原子数为1～12、更优选碳原子数为1～6、进一步优选碳原子数为1～3)。·式(7)优选R71表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。·式(8)优选R81及R82表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。R81及R82也可相互键合或缩合而形成环。优选R83为氢原子、甲基、乙基、或丙基。·式(9)优选R91及R92表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基(优选碳原子数为1～6、更优选碳原子数为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(优选碳原子数为2～6、更优选碳原子数为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。·式(10)优选RA1表示碳原子数为1～24的烷基(优选碳原子数为1～20、更优选碳原子数为1～16)、碳原子数为2～24的烯基(优选碳原子数为2～20、更优选碳原子数为2～16)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)。·式(11)优选RB1及RB2分别独立地为碳原子数为1～12的烷基(碳原子数优选为1～6，更优选为1～3)、碳原子数为2～12的烯基(碳原子数优选为2～6，更优选为2～3)、或碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10)、或氨基(NRN2)。式(7)～式(9)的化合物可仅包含式中的重复单元，也可具有其他重复单元。优选式(7)～式(9)中任意一个所表示的化合物选自具有下述式(a-1)～式(a-8)所表示的重复单元的化合物。[化学式9]·RaRa表示氢原子、烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选1～3)、烯基(碳原子数优选为2～12，更优选为2～6)、芳基(碳原子数优选为6～22，更优选为6～14)、或杂环基(碳原子数优选为2～12，更优选为2～6)。其中，Ra优选为氢原子或甲基。另外，在本说明书中烷基是包含芳烷基的含义。·RbRb表示烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选为1～3)或烯基(碳原子数优选为2～12，更优选为2～6)。其中，Rb优选为甲基或乙基。·LaLa表示连结基。La优选亚烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选1～3)、羰基、亚氨基(碳原子数优选为0～6，更优选为0～3)、亚芳基(碳原子数优选为6～22，更优选为6～14)、杂环基(碳原子数优选为1～12，更优选为2～5)、或这些的组合。其中，优选亚烷基或羰基，更优选亚甲基、亚乙基、亚丙基、或羰基，更优选亚甲基或亚乙基，尤其优选亚甲基。·LbLb表示单键、亚烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选为1～3)、羰基、亚氨基(NRN)(碳原子数优选为0～6，更优选为0～3)、亚芳基(碳原子数优选为6～22，更优选为6～14)、杂环基(碳原子数优选碳为1～12，更优选为2～5)、或这些的组合。其中，优选单键、亚甲基、亚乙基、亚丙基、或羰基，更优选单键、亚甲基、或亚乙基。·RcRc表示氢原子或烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选为1～3)。其中，Rc优选为氢原子或甲基。在式(a-1)中，Rc也可为在该部位导入聚合物链的接枝型或构成网状的网格的聚合物。·nn表示0以上的整数。n的上限是各环状结构部的可取代数。例如若为下述式(5-1)～式(5-4)则为4，若为式(6-5)、式(6-6)则为3。·M11-M11-是抗衡阴离子，可列举氢氧根离子或卤素阴离子。环Q1表示含氮杂环，优选含氮饱和杂环，更优选5员或6员环的含氮饱和杂环。其环结构具体而言优选下述式(5-1)～式(5-6)。环Q2表示含氮杂环，优选含氮不饱和杂环，更优选5员或6员环的含氮不饱和杂环，更优选吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、吡啶基、嘧啶基(均在C位进行键合)。其环结构具体而言优选下述式(6-1)～式(6-11)。环Q3表示含氮杂环，优选含氮不饱和杂环，更优选5员环的含氮不饱和杂环，更优选吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基(均在N位进行键合)。其环结构具体而言优选下述式(8-1)～式(8-3)。式中*表示键合位置。[化学式10]所述环结构基均可伴有规定数的取代基Ra。式中的鎓为也可为盐的含义。而且，式(6-5)～式(6-11)也可为鎓或其盐。Ra、Rb、Rc、La、Lb在分子内存在多个时，可相互相同也可不同。多个Ra、Rb、及Rc也可相互键合而形成环。另外，在所有中并无说明，但相邻的取代基或连结基也可在不损及本发明的效果的范围内相互键合而形成环。另外，所述含氮有机化合物也优选以下述式(b)表示。Rc2N-[Ld-N(Rc)]m-Ld-NRc2(b)式中，Rc与上述相同。m表示0以上的整数，优选为1以上，更优选为2以上，进一步优选为3以上。上限并无特别之处，实际上是10以下，更实际的是6以下。Ld表示亚烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选为1～3)、羰基、亚氨基(NRN)(碳原子数优选为0～6，更优选为0～3)、亚芳基(碳原子数优选为6～22，更优选为6～14)、杂环基(碳原子数优选为1～12，更优选为2～5)、或这些的组合。其中，优选亚烷基，更优选亚甲基、亚乙基、亚丙基。另外，多个Rc、Ld可相互相同也可不同。多个Rc、Ld也可相互键合而形成环。所述含氮有机化合物优选为具有下述重复单元的化合物或下述式所表示的化合物。其中，本发明并不限定于此而进行解释。另外，式中具有阳离子性基的化合物是伴有抗衡阴离子的含义。抗衡阴离子可列举所述M11-的例子。[化学式11]A-1聚乙烯亚胺A-2聚乙烯胺A-3聚烯丙胺A-4二甲基胺-1，2-环氧丙烷(epihydrin)类聚合物A-5聚己二甲铵(polyhexadimethrine)A-6聚二甲基二烯丙基铵(盐)A-7聚(4-乙烯基吡啶)A-8聚鸟氨酸A-9聚赖氨酸A-10聚精氨酸A-11聚组氨酸A-12聚乙烯基咪唑A-13聚二烯丙基胺A-14聚甲基二烯丙基胺A-15二亚乙基三胺A-16三亚乙基四胺A-17四亚乙基五胺A-18五亚乙基六胺在式A-1中，NH也可为在该氢原子的部位导入聚合物链的接枝型或构成网状的网格的聚合物。所述防蚀成分的浓度根据利用方式(剥离液、冲洗液、显影液)而适宜设定即可。优选的调配量因防蚀成分的作用而不同，可根据后述的抑制剂(inhibitor)型与还原剂型而区别。在抑制剂型化合物的情况下，在处理液中优选为0.01质量％以上，更优选为0.05质量％以上，尤其优选为0.1质量％以上。上限优选为10质量％以下，更优选为5质量％以下，进一步优选为2质量％以下，尤其优选为1质量％以下。如上所述那样以极微量显示防蚀效果也是抑制剂型化合物的优点之一。在还原剂型化合物的情况下，在处理液中优选为0.5质量％以上，更优选为1质量％以上，尤其优选为2质量％以上。上限优选为50质量％以下，更优选为30质量％以下，尤其优选为20质量％以下。所述防蚀成分可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。在防蚀成分为低聚物或聚合物时，其分子量优选适宜调节。例如在式(7)～式(9)的化合物中，分子量优选为500以上，更优选为1,000以上。上限优选为100,000以下，更优选为10,000以下。关于高分子化合物，可通过凝胶渗透色谱法(GPC)而测量标准聚苯乙烯换算的重量平均分子量。作为测定方法，基本上通过如下方法而测定：使用HLC-8200(TOSOHCORPORATION制造)，使用连结有3根TSKgelSuperAWM-H6.0mmID×15.0cm(TOSOHCORPORATION制造)的管柱作为管柱，使用10mMLiBr/N-甲基吡咯烷酮作为洗脱液，或者使用连结有TOSOHTSKgelSuperHZM-H、TOSOHTSKgelSuperHZ4000、TOSOHTSKgelSuperHZ2000的管柱作为管柱，使用四氢呋喃作为洗脱液。其中，根据聚合物种类适宜选择适当的洗脱液而使用即可。防蚀成分可根据其推测作用机构而分为2种。是认为吸附于锗层表面而呈现防蚀作用的抑制剂型、与抑制锗溶出的还原剂型。由于锗具有通过氧化而溶出的性质，因此认为还原剂型在系统内发挥抑制该影响的功能。若按照所述式(1)～式(11)的区别来说明，则式(1)及式(7)～式(10)的化合物具有可作为抑制剂型而起作用的可能性。另一方面，式(2)～式(6)、式(11)的化合物具有可作为还原剂型而起作用的可能性。抑制剂型的化合物含有N(氮)原子，认为其发挥Ge的保护功能。此现象例如可使用吸附在Ge表面的试样，通过ESCA测定对其表面进行定量而确认。以未处理时与处理后对该N/Ge的比率进行比较时，若处理后的N/Ge比率大则确认防蚀成分吸附。其吸附量越大，越表示吸附有更多的抑制剂型化合物(防蚀成分)，认为在Ge表面的保护方面更优选。N/Ge比率优选增加50％以上，进一步优选增加100％以上，进一步优选增加200％以上。上限并无特别之处，但实际上是1000％以下。认为抑制锗溶出的还原剂型的化合物(防蚀成分)随着其添加而使Ge表面的表面电位向正侧增加。其绝对值随着环境条件而变化，因此难以规定具体的电位范围，但推测随着还原剂的添加，电位相应性地变化。此现象例如可通过如下现象而确定：在测定并用添加剂时的Ge表面的表面电位的情况下，表面电位与处理前相比较而向正侧增加。认为越进一步向正侧增加，Ge越变得难以氧化(成为还原状态)。若列举优选的实施方式，则优选表面电位增加0.2mV以上，进一步优选增加0.3mV以上，进一步优选增加0.5mV以上。上限并无特别之处，但实际上是1.5mV以下。(剥离液)本发明的优选实施方式的剥离液优选应用醇化合物、非质子性溶剂、有机胺化合物、或这些的组合作为药液成分。更具体而言，优选醇化合物与有机胺化合物的组合、或非质子性溶剂与有机胺化合物的组合。·醇化合物醇化合物广泛包含在分子内具有碳与氢且具有1个以上羟基的化合物。优选碳原子数为1以上的醇化合物，更优选碳原子数为2以上，进一步优选碳原子数为3以上，进一步优选碳原子数为4以上，进一步优选碳原子数为5以上，尤其优选碳原子数为6以上。作为上限，优选碳原子数为24以下，更优选碳原子数为12以下，尤其优选碳原子数为8以下。例如可列举甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、1，6-己二醇、环己二醇、山梨糖醇、木糖醇、2-甲基-2，4-戊二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇、甲基戊二醇、环己醇、乙基己醇、苄醇、苯基乙醇等不含醚基的醇化合物，包含亚烷基二醇烷基醚(乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚等)、苯氧基乙醇、甲氧基甲基丁醇的含有醚基的醇化合物。作为醇化合物，其中优选为下述式(O-1)所表示的化合物。RO1-(-O-RO2-)n-OH……(O-1)·RO1RO1是氢原子或碳原子数为1～12(优选1～6、更优选1～3)的烷基或碳原子数为6～14(优选6～10)的芳基。·RO2RO2是直链状或支链状的碳原子数为1以上且12以下的亚烷基链。在存在多个RO2时，其也可分别不同。RO2优选碳原子数为2～10，更优选碳原子数为2～6，进一步优选碳原子数为2～4。·nn是0以上且6以下的整数。在n为2以上时，多个RO2也可相互不同。其中，在n为0时，RO1并非为氢原子。醇化合物也优选下述式(O-2)所表示的化合物。RO3-LO1-RO4-OH……(O-2)RO3是也可具有取代基的环状结构基。环状结构基可为芳香族烃基、杂环芳香族基、环状脂肪族基、环状杂脂肪族基。芳香族烃基可列举碳原子数为6～14的芳基(优选碳原子数为6～10，更优选为苯基)。环状脂肪族基可列举碳原子数为6～14的环状烷基(优选碳原子数为6～10，更优选为环己基)。杂环可列举后述取代基T的例子。而且，环状结构基也可具有的取代基可列举后述取代基T的例子。LO1是单键、O、CO、NRN、S、或这些的组合。其中，优选单键、CO、O，更优选为单键或O。RO4是亚烷基(优选碳原子数为1～12，更优选碳原子数为1～6，尤其优选碳原子数为1～3)、亚芳基(优选碳原子数为6～14，更优选碳原子数为6～10)、或亚芳烷基(优选碳原子数为7～15，更优选碳原子数为7～11)。醇化合物优选在剥离液中含有20质量％以上，更优选为30质量％以上，进一步优选为40质量％以上。上限优选含有90质量％以下，更优选为80质量％以下，进一步优选为70质量％以下。通过设为所述范围，可获得适宜的防蚀效果与有机物含有层的剥离性，因此优选。所述醇化合物可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。醇化合物优选其CLogP值为-0.5以上，更优选为0以上，更优选为0.3以上，进一步优选为0.5以上。上限并无特别之处，实际上是5以下。以下，例示几种化合物的CLogP值的例子。辛醇-水分配系数(logP值)的测定一般可通过JIS日本工业标准Z7260-107(2000)中所记载的烧瓶浸渍法而实施。而且，辛醇-水分配系数(logP值)可通过计算化学性手法或经验性方法进行估计而代替实测。已知计算方法使用Crippen’sfragmentation法(J.Chem.Inf.Comput.Sci.，27，21(1987))、Viswanadhan’sfragmentation法(J.Chem.Inf.Comput.Sci.，29，163(1989))、Broto’sfragmentation法(Eur.J.Med.Chem.-Chim.Theor.，19，71(1984))等。在本发明中使用Crippen’sfragmentation法(J.Chem.Inf.Comput.Sci.，27，21(1987))。所谓ClogP值是通过计算而求出1-辛醇与水中的分配系数P的常用对数logP的值。关于ClogP值的计算所使用的方法或软件，可使用公知的方法或软件，若无特别说明，则在本发明中使用DaylightChemicalInformationSystems公司的系统：PCModels中所编入的ClogP程序。·非质子性溶剂非质子性溶剂优选极性非质子性溶剂，具体而言可列举二甲基亚砜、环丁砜、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇单正丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇单正丁醚等，其中优选二甲基亚砜(DMSO)。非质子性溶剂优选在剥离液中含有20质量％以上，更优选30质量％以上，进一步优选40质量％以上。上限优选含有90质量％以下，更优选80质量％以下，进一步优选70质量％以下。通过设为所述范围，可获得适宜的防蚀效果与有机物含有层的剥离性，因此优选。所述非质子性溶剂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。·有机胺化合物有机胺化合物是包含一级胺、二级胺、三级胺、或其盐的含义。此处，也包含氨基甲酰基或其盐。铵基是包含季铵基或其盐的含义。此处，有机胺化合物的有机基优选为烃基，可列举烷烃残基(典型的是烷基，但也可为2价以上的基团。关于其他残基也相同)、烯烃残基、芳基残基、或这些的组合。该有机基的碳原子数为1以上，但上限实际上是碳原子数为16以下。有机胺化合物优选在分子内具有氨基与羟基的氨基醇化合物(优选碳原子数为1～16、更优选碳原子数为1～12、进一步优选碳原子数为1～6)。有机胺化合物可列举下述式(P-1)～式(P-3)中任意一个所表示的化合物。[化学式12]式中，RP1～RP6分别独立地为烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选为1～3)、烯基(碳原子数优选为2～12，更优选为2～6，尤其优选为2～3)、炔基(碳原子数优选为2～12，更优选为2～6，尤其优选为2～3)、芳基(碳原子数优选为6～14，更优选为6～10)。其中，分子中的RP1～RP6中的至少1个具有羟基。所述的烷基、烯基、芳基也可进一步具有取代基，该任意的取代基可列举后述取代基T的例子。其中，优选取代基T中所定义的羟基、羧基、磺酰基、酰基、烷氧基。该情况与上述同义。在本发明中，其中尤其优选使用式(P-1)的一级胺。在RP1～RP6具有烷基、烯基、炔基时，也可插入杂连结基(Ly：S、O、CO、NRN等)。在具有羟基的烷基或烯基中具有杂连结基时，具体的结构可列举下述P-4的基团。OH-RP7-Ly-RP8-*式(P-4)RP7、RP8是碳原子数为1～12的亚烷基(碳原子数优选为1～6，更优选为1～3)或碳原子数为2～12的亚烯基(碳原子数优选为2～6，更优选为2～3)。*是连接键。有机胺化合物优选选自单乙醇胺(2-氨基乙醇)(MEA)、二乙醇胺(DEA)、N-甲基乙醇胺(NMEA)、N，N-二甲基乙醇胺(DMMEA)、N-甲基二乙醇胺(DEMEA)、氨基乙基乙醇胺(AEMEA)、N，N-二甲基氨基乙基乙醇胺(DMAEMEA)、氨基乙氧基乙醇(AEE)、N，N-二甲基氨基乙氧基乙醇(DMAEE)、及丙醇胺(MPA)。有机胺化合物优选在剥离液中含有5质量％以上，更优选为10质量％以上，进一步优选为15质量％以上。上限优选含有90质量％以下，更优选80质量％以下，进一步优选70质量％以下。通过设为所述范围，可获得适宜的防蚀效果与有机物含有层的剥离性，因此优选。若以与非质子性溶剂或醇化合物的关系表示，则相对于非质子性溶剂或醇化合物100质量份而优选为10质量份以上，更优选为20质量份以上，尤其优选为30质量份以上。上限优选为200质量份以下，更优选为150质量份以下，尤其优选为130质量份以下。所述的有机胺化合物可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。(冲洗液)·水介质在将本发明的处理液作为冲洗液时，药液成分优选为水。作为水(水介质)，可为在不损及本发明的效果的范围内包含溶解成分的水性介质，或者也可包含不可避免的微量混合成分。其中，优选蒸馏水或离子交换水、或超纯水等实施净化处理的水，尤其优选使用于半导体制造中所使用的超纯水。水的量优选在冲洗液中含有70质量％以上，更优选为80质量％以上，进一步优选为90质量％以上。作为上限，考虑防蚀成分的添加，优选为小于100质量％。通过设为所述范围，可获得适宜的冲洗效果，因此优选。(显影液)在将处理液作为显影液时，优选药液成分为碱性成分，使用水作为介质。·碱性成分碱性成分若为使水介质的系统内成为碱性的物质则并无特别限定。碱的定义应最广义地解释，例如可定义为阿列纽斯定义的碱性基。碱性化合物可为有机碱性基也可为无机碱性基。无机碱性基可列举下述式(I-1)的化合物。M(OH)n1(I-1)M是碱金属(优选锂、钠、钾)、碱土类金属(优选镁、钙)、NH4、NRN2(RN与所述同义，此处优选氢原子或碳原子数为1～6的烷基)、过渡元素(优选锰、锌、铜)、稀土类元素(优选镧)。nI是整数，优选1～3的整数。另外，nI由M的元素或原子群而自然地决定，在M为NH4或NRN2时，nI为1，分别成为氢氧化铵(NH4OH)(在实施例中标记为NH3)及羟胺(NH2OH)。在为碱金属时，nI成为1，在为碱土类金属时，nI成为2。在为其他过渡元素或稀土类元素时，根据该元素的价数而适宜决定即可。无机碱性基可进一步列举肼，其由下述肼类的式(H-1)而规定。作为无机碱性基，其中可列举碱金属的盐(例如可列举KOH、LiOH、NaOH等)、碱土类金属的盐(例如可列举Ca(OH)2、Mg(OH)2等)、氢氧化铵盐、下述肼类、羟胺等。另外，在M为NRN2时，nI成为1，但该OH也可酯化。例如可列举碳原子数为1～6的烷基酯，RN为甲基，在形成甲酯的情况下，成为N，O-二甲基羟胺。有机碱性基可列举有机胺化合物或有机鎓盐。有机胺化合物可列举所述式(P-1)～式(P-3)中任意一个所表示的化合物。有机鎓盐可列举含氮鎓盐(季铵盐等)、含磷鎓盐(季磷盐等)、含硫鎓盐(例如SRy3M：Ry是碳原子数为1～6的烷基、M是抗衡阴离子)。其中，优选含氮鎓盐(季铵盐、吡啶鎓盐、吡唑鎓盐、咪唑鎓盐等)。其中，碱性成分优选氢氧化季铵。有机鎓盐可列举下述式(O-4)或式(O-5)所表示的化合物。[化学式13]式(O-4)中，RO7～RO10分别独立地为碳原子数为1～20(碳原子数优选为1～8、更优选为1～3)的烷基、碳原子数为2～20(碳原子数优选为2～8、更优选为2～3)的烯基、碳原子数为2～20(碳原子数优选为2～8、更优选为2～3)的炔基、碳原子数为6～14(优选碳原子数为6～10)的芳基、碳原子数为7～15(优选碳原子数为7～11)的芳烷基、下述式(y)所表示的基团。Y1-(Ry1-Y2)my-Ry2-*(y)Y1表示碳原子数为1～12(碳原子数优选为1～6、更优选为1～3)的烷基、碳原子数为2～12(碳原子数优选为2～6、更优选为2～3)的烯基、碳原子数为2～12(碳原子数优选为2～6、更优选为2～3)的炔基、碳原子数为7～15(优选碳原子数为7～11)的芳烷基、碳原子数为6～14(优选碳原子数为6～10)的芳基、羟基、或碳原子数为1～4(优选碳原子数为1～6)的烷氧基。Y2表示O、S、CO、NRN(RN与所述同义，此处优选氢原子或碳原子数为1～6的烷基)、或这些的组合。Ry1及Ry2分别独立地表示碳原子数为1～6的亚烷基、碳原子数为2～6的亚烯基、碳原子数为2～6的亚炔基、碳原子数为6～10的亚芳基、或这些的组合。my表示0～6的整数。在my为2以上时，多个Ry1及Y2也可分别不同。Ry1及Ry2也可进一步具有取代基T。*是连接键。M12-、M13-是抗衡离子，表示氢氧根离子等。式(O-5)中，RO11是与RO7同义的基团。RO12是任意的取代基T，其中，优选与取代基RN相同。mO是0～5的整数。具体而言，优选四烷基氢氧化铵(优选碳原子数为4～25)。此时，在烷基中，也可在不损及本发明的效果的范围内取代有任意的取代基(例如羟基、烯丙基、芳基)。而且，烷基可为直链也可为支链，也可为环状。具体而言可列举四甲基氢氧化铵(TMAH)、四乙基氢氧化铵(TEAH)、苄基三甲基氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、2-羟基乙基三甲基氢氧化铵、苄基三乙基氢氧化铵、十六烷基三甲基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵(TBAH)、四己基氢氧化铵(THAH)、四丙基氢氧化铵(TPAH)等。或者具有卤素阴离子的化合物可列举氯化苄烷铵、苄索氯铵、甲基苄索氯铵、氯化十六烷基吡啶、西曲氯(cetrimonium)、多法氯铵(dofaniumchloride)、四乙基溴化铵、二癸基二甲基氯化铵、溴化多米芬(domiphenbromide)等。碱性化合物也优选下述式(H-1)所表示的肼类。RH12N-NRH22(H-1)RH1、RH2分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为2～6的烯基、碳原子数为2～6的炔基、碳原子数为6～10的芳基、碳原子数为7～15的芳烷基。具体而言优选肼、苯基肼、甲基肼、1，2-二甲基肼、1，1-二甲基肼。碱性成分的浓度优选在显影液中为0.1质量％以上，更优选为0.5质量％以上，尤其优选含有1质量％以上。上限优选为30质量％以下，更优选为10质量％以下，尤其优选为5质量％以下。通过使碱性成分为所述范围，可兼顾良好的显影性与锗的保护性。所述碱性成分可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。在本发明的处理液中也可进一步添加水溶性有机溶剂。水溶性有机溶剂优选可以任意比例与水混合的有机溶剂。水溶性有机溶剂例如可列举甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、2-丁醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、1，6-己二醇、环己二醇、山梨糖醇、木糖醇、2-甲基-2，4-戊二醇、1，3-丁二醇、1，4-丁二醇等醇化合物溶剂，包含亚烷基二醇烷基醚(乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇、二丙二醇、丙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚、三丙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、二乙二醇单丁醚等)的醚化合物溶剂。这些中优选碳原子数为2～15的醇化合物溶剂、碳原子数为2～15的含有羟基的醚化合物溶剂，更优选碳原子数为2～10的具有多个羟基的醇化合物溶剂、碳原子数为2～10的具有多个羟基的含有羟基的醚化合物溶剂。尤其优选碳原子数为3～8的亚烷基二醇烷基醚。水溶性有机溶剂可单独使用也可将2种以上适宜组合而使用。另外，在本说明书中，在分子内具有羟基(-OH)与醚基(-O-)的化合物原则上包含于醚化合物中(并不称为醇化合物)，在特别区别指代具有羟基与醚基这两者的化合物时，有时称为含有羟基的醚化合物。其中尤其优选丙二醇、二丙二醇。添加量相对于处理液总量而优选为0.1质量％～70质量％，更优选为10质量％～50质量％。所述水溶性有机溶剂优选下述式(Q-1)所表示的化合物。RQ1-(-O-RQ3-)n-O-RQ2……(Q-1)·RQ1、RQ2RQ1及RQ2分别独立地为氢原子或碳原子数为1以上且5以下的烷基。其中，分别独立地优选碳原子数为1以上且5以下的烷基，更优选碳原子数为1以上且3以下的烷基。·RQ3RQ3是直链状或支链状的碳原子数为1以上且4以下的亚烷基链。在存在多个RQ3时，其也可分别不同。·nn是1以上且6以下的整数。在n为2以上时，多个R13也可相互不同。(pH调整剂)在本发明的处理液中，为了使pH为所期望的范围，也可使用pH调整剂。为了提高pH，pH调整剂可使用四甲基铵、胆碱等季铵盐，氢氧化钾等碱金属氢氧化物或碱土类盐、2-氨基乙醇、胍等氨基化合物。为了降低pH，可列举碳酸、盐酸、硝酸、硫酸、磷酸等无机酸，或甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3，3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水杨酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、马来酸、邻苯二甲酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、乳酸等。pH调整剂的使用量并无特别限定，只要以用于将pH调整为所述范围所需的量而使用即可。所述pH调整剂可单独使用1种，也可将2种以上组合使用。在本说明书中关于化合物的表示(例如，附于末尾而称为化合物时)，以除了包含该化合物其本身以外，还包含其盐、其离子的含义使用。而且，是在起到所期望的效果的范围内，包含进行酯化或导入取代基等使其一部分变化的衍生物的含义。在本说明书中，关于未明确记载有取代、未经取代的取代基(关于连结基也相同)，是在该基中也可具有任意取代基的含义。关于未明确记载经取代、未经取代的化合物也与其同义。优选的取代基可列举下述取代基T。取代基T可列举下述基团。烷基(优选碳原子数为1～20的烷基，例如甲基、乙基、异丙基、叔丁基、戊基、庚基、1-乙基戊基、苄基、2-乙氧基乙基、1-羧基甲基等)、烯基(优选碳原子数为2～20的烯基，例如乙烯基、烯丙基、油烯基等)、炔基(优选碳原子数为2～20的炔基，例如乙炔基、丁二炔基、苯基乙炔基等)、环烷基(优选碳原子数为3～20的环烷基，例如环丙基、环戊基、环己基、4-甲基环己基等)、芳基(优选碳原子数为6～26的芳基，例如苯基、1-萘基、4-甲氧基苯基、2-氯苯基、3-甲基苯基等)、杂环基(优选碳原子数为2～20的杂环基、或优选具有至少1个氧原子、硫原子、氮原子的5员环或6员环的杂环基，例如2-吡啶基、4-吡啶基、2-咪唑基、2-苯并咪唑基、2-噻唑基、2-噁唑基等)、烷氧基(优选碳原子数为1～20的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、异丙氧基、苄氧基等)、芳氧基(优选碳原子数为6～26的芳氧基，例如苯氧基、1-萘氧基、3-甲基苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)、烷氧基羰基(优选碳原子数为2～20的烷氧基羰基，例如乙氧基羰基、2-乙基己氧基羰基等)、氨基(优选碳原子数为0～20的氨基，包含烷基氨基、芳基氨基，例如氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基、N-乙基氨基、苯胺基等)、氨磺酰基(优选碳原子数为0～20的氨磺酰基，例如N，N-二甲基氨磺酰基、N-苯基氨磺酰基等)、酰基(优选碳原子数为1～20的酰基，例如乙酰基、丙酰基、丁酰基、苯甲酰基等)、酰氧基(优选碳原子数为1～20的酰氧基，例如乙酰氧基、苯甲酰氧基等)、氨基甲酰基(优选碳原子数为1～20的氨基甲酰基，例如N，N-二甲基氨基甲酰基、N-苯基氨基甲酰基等)、酰基氨基(优选碳原子数为1～20的酰基氨基，例如乙酰基氨基、苯甲酰基氨基等)、烷硫基(优选碳原子数为1～20的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基、异丙硫基、苄硫基等)、芳硫基(优选碳原子数为6～26的芳硫基，例如苯硫基、1-萘硫基、3-甲基苯硫基、4-甲氧基苯硫基等)、烷基磺酰基或芳基磺酰基(优选碳原子数为1～20的烷基磺酰基或芳基磺酰基，例如甲基磺酰基、乙基磺酰基、苯基磺酰基等)、羟基、磺酰基、氰基、卤素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)，更优选烷基、烯基、芳基、杂环基、烷氧基、芳氧基、烷氧基羰基、氨基、酰基氨基、羟基或卤素原子，尤其优选烷基、烯基、杂环基、烷氧基、烷氧基羰基、氨基、酰基氨基或羟基。而且，这些取代基T中所列举的各基团也可进一步取代所述取代基T。在化合物或取代基、连结基等包含烷基、亚烷基、烯基、亚烯基、炔基、亚炔基等时，这些可为环状也可为链状，而且可为直链也可为支链，也可如上所述那样经取代也可未经取代。而且，在包含芳基、杂环基等时，这些可为单环也可为缩环，同样地也可取代也可未经取代。在本说明书中，关于以化合物的取代基或连结基的选项为首的温度、厚度等各技术事项，其列表可分别独立地记载，也可相互地组合。本说明书中所规定的各取代基也可在起到本发明的效果的范围内插入下述连结基L而进行取代，也可在其结构中插入连结基L。例如烷基、亚烷基、烯基、亚烯基等也可进一步在结构中插入下述杂连结基。连结基L优选烃连结基〔碳原子数为1～10的亚烷基(碳原子数更优选为1～6、进一步优选为1～3)、碳原子数为2～10的亚烯基(碳原子数更优选为2～6、进一步优选为2～4)、碳原子数为2～10的亚炔基(碳原子数更优选为2～6、进一步优选为2～4)、碳原子数为6～22的亚芳基(更优选碳原子数为6～10)、或这些的组合〕、杂连结基[羰基(-CO-)、硫羰基(-CS-)、醚基(-O-)、硫醚基(-S-)、亚氨基(-NRN-)、铵连结基(-NRN2+-)、多硫基(S的数量为1个～8个)、亚胺连结基(RN-N＝C＜、-N＝C(RN)-)、磺酰基(-SO2-)、亚磺酰基(-SO-)、磷酸连结基(-O-P(OH)(O)-O-)、膦酸连结基(-P(OH)(O)-O-)、或这些的组合]、或组合这些基团的连结基。另外，在取代基或连结基缩合而形成环的情况下，所述烃连结基也可适宜形成双键或三键而进行连结。所形成的环优选5员环或6员环。5员环优选含氮的5员环，若作为形成该环的化合物而例示，则可列举吡咯、咪唑、吡唑、吲唑、吲哚、苯并咪唑、吡咯烷、咪唑烷、吡唑烷、吲哚琳、咔唑、或这些的衍生物等。6员环可列举派啶、吗琳、派嗪、或这些的衍生物等。而且，在包含芳基、杂环基等时，这些可为单环也可为缩环，同样地可取代也可未取代。RN与所述同义。RP是氢原子、羟基、或取代基。取代基优选烷基(碳原子数优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为1～6，尤其优选为1～3)、烯基(碳原子数优选为2～24，更优选为2～12，进一步优选为2～6，尤其优选为2～3)、炔基(碳原子数优选为2～24，更优选为2～12，进一步优选为2～6，尤其优选为2～3)、芳烷基(碳原子数优选为7～22，更优选为7～14，尤其优选为7～10)、芳基(碳原子数优选为6～22，更优选为6～14，尤其优选为6～10)、烷氧基(碳原子数优选为1～24，更优选为1～12，进一步优选为1～6，尤其优选为1～3)、烯氧基(碳原子数优选为2～24，更优选为2～12，进一步优选为2～6，尤其优选为2～3)、炔氧基(碳原子数优选为2～24，更优选为2～12，进一步优选为2～6，尤其优选为2～3)、芳烷氧基(碳原子数优选为7～22，更优选为7～14，尤其优选为7～10)、芳氧基(碳原子数优选为6～22，更优选为6～14，尤其优选为6～10)。构成连结基L的原子数优选1～36，更优选1～24，进一步优选1～12，尤其优选1～6。连结基的连结原子数优选10以下，更优选8以下。下限是1以上。所述连结原子数是指位于连接规定结构部间的路径且参与连结的最少原子数。例如，在-CH2-C(＝O)-O-的情况下，构成连结基的原子数为6，但连结原子数为3。具体而言，连结基的组合可列举以下基团。氧基羰基(-OCO-)、碳酸酯基(-OCOO-)、酰胺基(-CONH-)、氨基甲酸酯基(-NHCOO-)、脲基(-NHCONH-)、(聚)亚烷基氧基(-(Lr-O)x-)、羰基(聚)氧化烯基(-CO-(O-Lr)x-)、羰基(聚)亚烷基氧基(-CO-(Lr-O)x-)、羰氧基(聚)亚烷基氧基(-COO-(Lr-O)x-)、(聚)亚烷基亚氨基(-(Lr-NRN)x)、亚烷基(聚)亚氨基亚烷基(-Lr-(NRN-Lr)x-)、羰基(聚)亚氨基亚烷基(-CO-(NRN-Lr)x-)、羰基(聚)亚烷基亚氨基(-CO-(Lr-NRN)x-)、(聚)酯基(-(CO-O-Lr)x-、-(O-CO-Lr)x-、-(O-Lr-CO)x-、-(Lr-CO-O)x-、-(Lr-O-CO)x-)、(聚)酰胺基(-(CO-NRN-Lr)x-、-(NRN-CO-Lr)x-、-(NRN-Lr-CO)x-、-(Lr-CO-NRN)x-、-(Lr-NRN-CO)x-)等。x是1以上的整数，优选1～500，更优选1～100。Lr优选亚烷基、亚烯基、亚炔基。Lr的碳原子数优选1～12，更优选1～6，尤其优选1～3(亚烯基、亚炔基为2以上)。多个Lr或RN、RP、x等无需相同。连结基的朝向并不由所述记载顺序而受到限定，适宜地以符合规定化学式的朝向而理解即可。(pH)在本发明中，优选使处理液的pH(25℃)为5以上且16以下。在作为剥离液时，pH优选7以上，更优选10以上。上限优选15以下。通过设为这种pH的范围，可适宜地兼顾良好的剥离性与含Ge层的保护。优选的范围在每个所述实施方式中不同，可如下表般汇总。各方式中的优选的药液成分、防蚀成分一并汇总。另外，pH若无特别说明，则为利用在后述实施例中进行测定的条件所得的pH。[表A]处理液的应用方法并无特别限定，优选使处理液在流路中流通，自喷出口喷出或喷射处理液，使其与半导体基板接触。若使用图2对其进行说明，则将所制备的处理液自导入口A导入，转至至喷出口13而自此处喷射，从而应用于处理容器(处理槽)11内的半导体基板S的上表面。在图2所示的实施方式中，处理液经由流路fc而转至至喷出口13。流路fd表示用于再利用药液的归还路径。优选半导体基板S处于旋转台12上，通过旋转驱动部M而与旋转台一同旋转。另外，作为本发明的处理液，鉴于其使用用途，优选液体中的杂质，例如金属成分等少。尤其优选液体中的Na、K、Ca离子浓度处于1ppt～1ppm(质量基准)的范围。而且，在处理液中，优选平均粒径为0.5μm以上的粗大粒子数处于100个/cm3以下的范围，优选处于50个/cm3以下的范围。关于本发明中的各个药液的优选的方式，若进一步记载，则可列举如下所述的方式。在为冲洗液的情况下，优选实质上仅包含所述防蚀成分(含氧有机化合物或含氮有机化合物)与水。在为显影液的情况下，优选实质上仅包含所述防蚀成分、水、及季铵盐。在为剥离液的情况下，实质上优选：(i)仅包含所述防蚀成分、所述非质子性溶剂、及所述有机胺化合物，或(ii)仅包含所述防蚀成分、所述醇化合物、所述有机胺化合物、及水。此处，实质上是也可含有不可避免的杂质或在起到本发明的效果的范围内适宜含有任意添加剂的含义。(容器)只要耐腐蚀性等不成为问题，则本发明的处理液可填充于任意的容器中进行保管、搬运并且使用。而且，为了面向半导体用途，优选容器的清洁度高、杂质的溶出少的容器。可使用的容器可列举AicelloCorporation制造的无尘瓶(CleanBottle)系列、KODAMAPLASTICSCO.，LTD.制造的洁净(PureBottle)等，但并不限定于这些。[处理条件]在本发明的处理方法中，优选使用单片式装置。具体而言单片式装置优选具有处理槽，且在该处理槽中搬送所述半导体基板或使其旋转，在该处理槽内赋予(喷出、喷射、流下、滴下等)所述处理液，使所述处理液与半导体基板接触的装置。单片式装置的优点可列举：(i)一直供给新鲜的处理液，因此再现性良好；(ii)面内的均匀操作性高。另外，容易利用将处理液分为多种的试剂盒，例如可适宜采用将所述第1液与第2液在线上(inline)进行混合而喷出的方法。此时，优选对所述第1液与第2液一同进行温度调节，或者仅对任意一个进行温度调节，在线上进行混合而喷出的方法。其中，更优选一同进行温度调节的实施方式。进行管线的温度调节时的管理温度优选与后述处理温度相同的范围。单片式装置优选在其处理槽中具备喷嘴，且优选使该喷嘴在半导体基板的面方向上摆动而将处理液喷出至半导体基板的方法。通过如上所述那样进行，可防止液体的劣化而优选。而且，通过制成试剂盒而分为2液以上，可使气体等难以产生而优选。处理温度在各实施方式中不同，其优选的处理温度在所述表A中汇总表示。另外，所谓处理温度是以后述实施例中所示的温度测定方法中应用于基板上的温度为基础，但在保存温度或批次处理中管理的情况下，可在其罐内的温度下设定，在循环系统中管理的情况下，可在循环流路内的温度下设定。处理液的供给速度并无特别限定，优选设为0.05L/min～5L/min，更优选设为0.1L/min～3L/min。通过设为所述下限值以上，可进一步良好地确保处理的面内的均匀性而优选。通过设为所述上限值以下，可在连续处理时确保稳定的性能而优选。在使半导体基板旋转时，虽然取决于其大小等，但自与上述相同的观点考虑，优选以50rpm～1000rpm使其旋转。在本发明的优选实施方式的单片式的处理中，优选在规定的方向上搬送半导体基板或使其旋转，在其空间喷射处理液而使所述处理液与所述半导体基板接触。关于处理液的供给速度或基板的旋转速度，与已说明的内容相同。在本发明的优选实施方式的单片式的装置结构中，优选如图3所示那样，使喷出口(喷嘴)移动且赋予处理液。具体而言，在本实施方式中，在对半导体基板S应用处理液时，基板在r方向上旋转。另一方面，喷出口沿着自半导体基板的中心部向端部延伸的移动轨迹线t移动。如上所述在本实施方式中，将基板的旋转方向与喷出口的移动方向设定为不同的方向，由此使两者相互相对运动。其结果，成为可将处理液无遗漏地赋予半导体基板的整个面，且可适宜地确保处理均匀性的结构。喷出口(喷嘴)的移动速度并无特别限定，但是优选0.1cm/s以上，更优选为1cm/s以上。另一方面，其上限优选为30cm/s以下，更优选为15cm/s以下。移动轨迹线可为直线也可为曲线(例如圆弧状)。在任意的情况下，移动速度均可根据实际的轨迹线的距离与其移动所消耗的时间而算出。处理1片基板所需的时间优选为10秒～300秒的范围。包含锗的层(含Ge层)或其硅化物层的蚀刻速率[R1]并无特别限定，优选通过赋予处理液而不被过度地去除。具体而言，优选为以下，更优选为以下，进一步优选为以下，进一步优选为以下，尤其优选为以下。下限并无特别之处，若考虑测定极限，则实际上是以上。另外，在本发明的优选实施方式的处理液中，也可适宜地抑制Al、Cu、Ti、W等的金属电极层的损伤，及HfOx、HfSiOx、WOx、AlOx、SiOx、SiOC、SiON、TiN、SiN等的绝缘膜层的损伤，因此也优选应用于包含这些的半导体基板。另外，在本说明书中，通过该元素的组合而标记金属化合物的组成的情况下，是广泛地包含任意组成金属化合物的含义。例如，所谓SiOC(SiON)表示Si、O、及C(N)共存，其量的比率并非表示1∶1∶1。此表示在本说明书中共用，关于其他金属化合物也相同。[抗蚀剂]本发明中所应用的抗蚀剂并无特别限定，可使用公知的抗蚀剂材料。例如可列举正型、负型、及正-负兼用型的光致抗蚀剂。正型抗蚀剂的具体例可列举肉桂酸乙烯酯类、环化聚异丁烯类、偶氮-酚醛清漆树脂类、重氮酮-酚醛清漆树脂类等。而且，负型抗蚀剂的具体例可列举叠氮-环化聚异戊二烯类、叠氮-酚树脂类、氯甲基聚苯乙烯类等。另外，正-负兼用型抗蚀剂的具体例可列举聚(对丁氧基羰氧基苯乙烯)类等。在本发明中，其中优选正型抗蚀剂，尤其对包含酚醛清漆类树脂及聚羟基苯乙烯类树脂的至少一种树脂的正型抗蚀剂的剥离有效。而且，本发明的处理液的性能良好，因此尤其在厚度为5μm～500μm的厚膜的抗蚀剂层的剥离中发挥效果。作为包含酚醛清漆类树脂及聚羟基苯乙烯类树脂的至少一种树脂的正型抗蚀剂，更具体而言可列举含有具有以下式(R-1)及式(R-2)中任意一个所表示的重复单元的树脂的正型抗蚀剂。[化学式14]式中，RR1～RR5分别独立地表示氢原子或烷基(碳原子数优选为1～12，更优选为1～6，尤其优选为1～3)。s表示1～3的整数。t表示1～5的整数。所述树脂的分子量并无特别限定，但聚苯乙烯换算的重量平均分子量一般为1000～100万，优选为2000～10万，更优选为3000～5万。抗蚀剂的曝光只要利用通用方法即可，但可通过照射选自g射线、h射线、i射线、KrF准分子激光射线、及ArF准分子激光射线的活性能量射线而进行。所述曝光优选其照度为5000W/m2～18000W/m2。[半导体基板产品的制造]作为本发明的半导体元件的制造方法，首先在基板(例如进行离子注入的n型或p型的基团板)上，使用溅射等技术形成包含高介电常数材料(例如HfSiO4、ZiO2、ZiSiO4、Al2O3、HfO2、La2O3)等的栅极绝缘膜或包含多晶硅等的栅极电极层等(被蚀刻层形成工序)。其次，在所形成的栅极绝缘膜或栅极电极层上涂布抗蚀剂，通过光刻法而形成规定的图案。在图案形成后将不需要部分的抗蚀剂显影去除(抗蚀剂显影工序)，将该抗蚀剂图案作为掩模而对非掩模区域进行干式蚀刻或湿式蚀刻(蚀刻工序)，由此将栅极绝缘膜或栅极电极层等去除。其后，在离子注入处理(离子注入工序)中，将离子化的p型或n型的杂质元素注入基板，在基板上形成p型或n型杂质注入区域(所谓的源/漏极区域)。其后，根据需要实施灰化处理(灰化工序)后，实施将基板上所残存的抗蚀剂膜剥离的处理。在本实施方式中，也可进一步经由如下所述的自对准多晶硅化物工序。具体而言，优选经由在硅晶片上制成形成基板层与金属层的半导体基板的工序、对所述半导体基板进行退火的工序、在半导体基板上赋予处理液而进行处理的工序，制造具有所期望的结构的半导体基板产品。另外，可解释为所述工序的顺序并不受限制，也可在各个工序间进一步包含其他工序。晶片尺寸并无特别限定，可适宜使用直径为8寸、直径为12寸、或直径为14寸的晶片(1寸＝25.4mm)。在本说明书中，所谓改性抗蚀剂表示抗蚀剂通过灰化或蚀刻的影响而化学性或物理性地变质的状态。典型的可列举如上所述那样通过电浆灰化或干式蚀刻使抗蚀剂受到改性的改性抗蚀剂。抗蚀剂的改性的状态并无特别限定，可列举构成抗蚀剂的高分子化合物进行化学变化，形成不同结构的分子状态。另外，在本说明书中所谓“准备”是指，表示除了对特定材料进行合成或配制等以外，还包含通过采购等而提供规定材料。而且，在本说明书中，将欲处理半导体基板的各材料而使用处理液的情况称为“应用”，但其实施方式并无特别限定。例如广泛包含使处理液与基板接触的情况，具体而言可通过批次式装置进行浸渍而处理，也可通过单片式装置进行喷出而处理。实施例以下，列举实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于以下的实施例。另外，在实施例中作为配方或调配量而显示的％及份若无特别说明则为质量基准。[实施例1、比较例1](试验基板的制作)通过如下所述的方式而进行：在市售的硅基板(直径：12寸)上形成SiOx层。抗蚀剂使用FUJIFILMElectronicMaterialsCo.，Ltd.制造的KrF抗蚀剂“GKRS-6953A01G”(含有羟基苯乙烯类树脂)，通过旋转涂布机将其制膜于所述基板上。此时的抗蚀剂的厚度是10μm。对此，利用任意的光掩膜而进行曝光处理。显影处理(表2)通过对该曝光后的抗蚀剂应用显影液而进行。接着，对所述抗蚀剂膜离子注入As+。确认离子注入后的改性抗蚀剂固化。以此时的剂量超过1×1014cm-2的方式进行设定。(处理液的赋予试验)对于所述空白晶片及试验用基板，通过单片式装置(SPS-EuropeB.V.公司制造、POLOS(商品名))而在下述条件下进行处理，实施评价试验。其在剥离处理、冲洗处理、显影处理中相同。·处理温度：记载于表中·喷出量：1L/min.·晶片转速：500rpm·喷嘴移动速度：7cm/s另外，使用图2的装置进行处理液的供给。处理液在制备后5分钟以内应用于试验中。(处理温度的测定方法)将HORIBA，LTD.制造的放射温度计IT-550F(商品名)固定于所述单片式装置内的晶片上方30cm的高度。使温度计朝向自晶片中心起2cm外侧的晶片表面上方，使药液流动且测量温度。温度是自放射温度计数位输出，用个人电脑连续地记录。其中，将温度稳定的10秒间的温度的平均值作为晶片上的温度。(pH)pH在室温(25℃)下通过HORIBA，LTD.制造的F-51(商品名)而进行测定。(蚀刻速度)关于锗含有层的蚀刻速度(ER)，通过使用椭圆偏光法(使用分光椭圆偏光仪、J.A.WoollamJapanCo.，Inc.Vase)测定蚀刻处理前后的膜厚而算出。采用5点的平均值(测定条件测定范围：1.2Ev～2.5eV、测定角：70度、75度)。(冲洗处理)在所述条件下，在下述剥离处理后的基团板上应用表1的冲洗液。其后，在空气中、室温下静放24小时。此时，将在基板表面产生黑点的情况作为“差”，将未产生黑点的情况作为“良好”。(显影处理)在所述条件下，在所述曝光后的抗蚀剂上应用表2的处理液而确认显影性。将其结果示于表2中。对于结果可将进行良好显影的情况作为“良好”，将不能进行良好显影的情况作为“差”。(剥离处理)在所述条件下，在所述电浆灰化后的抗蚀剂上应用表3的处理液而确认剥离性。将其结果示于表3中。对于结果可将进行良好剥离的情况作为“良好”，将产生剥离残留的情况作为“差”。另外，所述处理后的残渣的有无通过扫描式电子显微镜进行观察而确认。(N/Ge)关于进行所述冲洗处理、显影处理、剥离处理中任意一个的基团板，使用X射线光电子分光分析装置(ULVAC制造的PHIQuanteraII)检测各基板上的Ge、N元素的峰值强度而进行浓度换算。使用该值而设为浓度换算上的N/Ge。将该值示于各表中。另外，该N元素的值越大，表示吸附有越多的防蚀剂。(氧化还原电位[ORP])关于进行所述冲洗处理、显影处理、剥离处理中任意一个的基团板，使用电化学测定装置(HOKUTODENKOCORP制造的HZ-3000)而评价各基板上的氧化还原电位(腐蚀电位)。将其值示于各表中。[表1]表1(冲洗液)pH通过添加KOH或H2CO3而调整成为表中的值。在本发明的一实施方式中，将pH的范围规定为5～16。[表2-1]表2(显影液)[表2-2]续表2(显影液)pH通过添加KOH或H2CO3而调整成为表中的值。在本发明的一实施方式中，将pH的范围规定为5～16。[表3]表3(剥离液)pH通过添加KOH或H2CO3而调整成为表中的值。在本发明的一实施方式中，将pH的范围规定为5～16。[表4-1]表4(剥离液)[表4-2]续表4(剥离液)pH通过添加KOH或H2CO3而调整成为表中的值。在本发明的一实施方式中，将pH的范围规定为5～16。<表的注释>防蚀成分中相当于聚合物的化合物使用重量平均分子量为2000的化合物。TMAH：四甲基氢氧化铵DMSO：二甲基亚砜水清洗：通过二次纯水清洗10秒的含义。从以上结果可知：通过本发明的处理液，对于具有含有锗的层的半导体基板，可将位于其上侧的有机物适宜地处理。具体而言，在半导体基板的冲洗处理、显影处理、剥离处理中任意一个中均适合而发挥出良好的性能。对本发明与该实施方式一同进行说明，但我们认为只要没有特别指定，则在说明中任何细节部分中都不对我们的发明进行限定，应不违背附权利要求书中所示的发明精神与范围而广泛围地进行解释。本申请主张基于2013年11月18号于日本提出专利申请的日本专利申请2013-238344的优先权，这些内容在此进行参考而将其内容作为本说明书记载的一部分并援用于本说明书。符号说明1-硅基板，2、3-井，21-源基部，22-源硅化物部，23-漏极基部，24-漏极硅化物部，4-栅极绝缘膜，5-栅极电极，6-层间绝缘体，7-抗蚀剂层，71-改性抗蚀剂层，72-非改性抗蚀剂层，73-电浆改性抗蚀剂层，74-电浆非改性抗蚀剂层，11-处理容器(处理槽)，12-旋转台，13-喷出口，A-导入口，S-基板。