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保护膜形成用薄膜的制作方法
文档序号:12288717
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来源:国知局
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保护膜形成用薄膜的制作方法与工艺
技术总结
本发明提供一种保护膜形成用薄膜,其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜,其用于形成保护半导体晶片的保护膜,保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分,环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物。
技术研发人员:
稻男洋一;佐伯尚哉
受保护的技术使用者:
琳得科株式会社
文档号码:
201480078687
技术研发日:
2014.07.04
技术公布日:
2017.02.22
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