技术总结
描述了一种TFET，包括：纳米线，具有用于形成源极区域和漏极区域的掺杂区域和用于耦合到栅极区域的未掺杂区域；以及在纳米线之上形成的第一终止材料；以及在纳米线的一部分之上形成的第二终止材料，所述第二终止材料与栅极区域和源极区域重叠。描述了另一种TFET，包括：纳米线的第一部分，具有用于形成源极区域和漏极区域的掺杂区域和用于耦合到栅极区域的未掺杂区域；纳米线的第二部分，所述纳米线的第二部分正交于所述第一部分延伸，所述第二部分被形成为邻近栅极区域和源极区域；以及在所述纳米线的所述第一部分和所述第二部分之上形成的终止材料。
技术研发人员：U·E·阿维奇;R·里奥斯;K·J·库恩;I·A·扬;J·R·韦伯
受保护的技术使用者：英特尔公司
文档号码：201480081390
技术研发日：2014.09.24
技术公布日：2017.05.10