技术总结
本发明提供一种高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构，包括管芯和用于倒装焊接所述管芯的载体，所述管芯的衬底面集成微透镜，所述管芯的正面中心设有P电极，于正面中心对称设有N电极，所述载体的正面中心设有与所述P电极对应的第一金属焊盘，于正面中心对称设有与所述N电极对应的第二金属焊盘，所述第一金属焊盘上设有与所述P电极键合的第一金属凸点，所述第二金属焊盘上设有与所述N电极键合的第二金属凸点，在所述载体的正面还设有与所述第一金属焊盘金丝键合的P电极键合焊盘，以及与所述第二金属焊盘金丝键合的N电极键合焊盘。本发明还提供一种制作方法。本发明提供的结构简单适用，能够解决管芯倒装后芯片光电性能和结构可靠性等难点。
技术研发人员：崔大健;高新江;黄晓峰;樊鹏;董绪丰
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第四十四研究所
文档号码：201510000957
技术研发日：2015.01.04
技术公布日：2017.03.08